Translation of "Maskenöffnung" in English

Die Maskenöffnung in der Siliciumdioxidschicht 42 ist mittels standardmäßiger Photolithographie- und Ätzverfahren hergestellt.
The mask opening in the silicon dioxide layer 42 is formed by standard photolithography and etching techniques.
EuroPat v2
Mit 18 ist auf die Maskenöffnung in der Schicht 13 hingewiesen.
The mask opening in the layer 13 is referenced 18.
EuroPat v2
Für eine Durchkontaktierung wird eine größere Maskenöffnung als für die Gräben gewählt.
A larger mask opening is selected for a feedthrough than for the trenches.
EuroPat v2
Figur 5 eine Kurve reflektierter Lichtintensitäten an der Stelle derselben Maskenöffnung dargestellt.
FIG. 5 illustrates a curve of reflected intensities at the location of the same mask opening.
EuroPat v2
Vorzugsweise werden Masken mit einer runden, insbesondere kreisrunden, Maskenöffnung verwendet.
Preferably, masks with a rounded, in particular circular, mask aperture are used.
EuroPat v2
Die erste Maskenschicht wird strukturiert mit zumindest einer ersten Maskenöffnung aufgebracht.
The first mask layer is applied patterned with at least one first mask opening.
EuroPat v2
Vorzugsweise werden Masken mit einer abgerundeten, insbesondere kreisrunden, Maskenöffnung verwendet.
Preferably, masks with a rounded, in particular circular, mask aperture are used.
EuroPat v2
Je nach Orientierung der Maskenöffnung relativ zur gesuchten Kristallorientierung ist die Dimension der unterätzten Zone unterschiedlich.
The dimensions of the undercut zone will vary depending on the orientation of the mask opening relative to the crystal orientation which is to be found.
EuroPat v2
Dieser Wert ist positiv, weil die Maskenöffnung üblicherweise größer als die Lötfläche ist.
This value is positive because the mask is usually bigger than the pad.
ParaCrawl v7.1
1E weist somit eine sehr klein dimensionierte Maskenöffnung auf, deren Größe direkt mit der Schichtdicke der zweiten Isolierschicht zusammenhängt.
1E wherein a narrow dimensioned mask opening is formed which is directly related to the thickness of the second insulator layer.
EuroPat v2
Im nächsten Verfahrensschritt kann entweder mittels thermischer Diffusion oder Ionenimplantation ein Dotierungsstoff durch die Maskenöffnung 18 eingebracht werden.
The next step is to diffuse a dopant through the mask opening 18 by either the thermal diffusion method or the ion implantation method.
EuroPat v2
Es läßt sich also in diese Maskierungsschicht ohne weiteres ein Loch bzw. eine Maskenöffnung ätzen, wobei das darunterliegende Indiumphosphid nur ganz wenig - jedoch auch später noch nachweisbar - angeätzt wird.
Thus, a hole or a mask opening can be easily etched in this masking layer, so that the indium phosphide lying below is only very slightly attacked--but still detectable later.
EuroPat v2
Im nächsten Verfahrensschritt wird in der Oxidschicht (2) die eigentliche Maskenöffnung zum Ätzen des Substrats (1) hergestellt.
In a further process step, the actual mask opening for etching the substrate (1) is produced in the dioxide layer (2).
EuroPat v2
Weil bei Konvergenz die Leuchtstreifen Rot, Grün und Blau gleichzeitig durch dieselbe Maskenöffnung angeregt werden, sind die Signale der drei Sensoren für die Farben Rot, Grün und Blau zeitgleich.
Since, in the state of convergence, the phosphor stripes red, green and blue are simultaneously excited through the same shadow-mask hole, the signals of the three sensors for the colors red, green and blue are in synchronism.
EuroPat v2
Der nur zum Teil in der Blendenöffnung liegende rote Leuchtfleck erzeugt im Beispiel nur ein schwaches Signal, so daß der Rotstrahl als in der betreffenden Maskenöffnung noch nicht vorhanden gewertet wird.
The red phosphor dot which lies only partly in the diaphragm aperture, in the given example, only produces a weak signal, so that the red beam is evaluated as being not yet present in the respective shadow-mask hole.
EuroPat v2
Die Maskenöffnung zur Herstellung eines breiten Grabens G2 wird asymmetrisch zu der Bezugsfläche M gelegt, die durch die Mitte eines in einem späteren Verfahrensschritt herzustellenden kleinen Grabens G3 (Fig.
The mask aperture for preparing a wide ditch G2 is placed asymmetrically to the reference surface M which goes through the center of a small ditch G3 which can be made in a later process step (FIG.
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In der DE 39 13 540 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren beschrieben, bei dem eine Strukturierungsschicht schräg auf eine Maske aufgedampft wird, so daß sich in der Maskenöffnung eine für die Strukturierung einer Gateelektrode vorgesehene Öffnung geringer Abmessungen bildet.
German reference DE 39 13 540 A1 discloses a method for the manufacture of field effect transistors wherein a structuring layer is obliquely vapor-deposited onto a mask, so that an opening with small dimensions provided for the structuring of a gate electrode is formed in the mask opening.
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Eine erste bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass zur Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur derjenige Maskenschritt verwendet wird, mit welchem das Emittergebiet in das Substrat eingebracht wird, dass für den Maskenschritt, mit welchem das Emittergebiet in das Substrat eingebracht wird, eine Maske verwendet wird, welche randseitig um eine Maskenöffnung herum angeordnete, seitlich nach aussen sich erstreckende Aussparungen aufweist, derart, dass das eingebrachte Emittergebiet im Gebiet der Aussparungen seitlich nach aussen sich erstreckende Finger aufweist, und dass die Länge der Finger so gewählt wird, dass sie zumindest über das später eingebrachte Sourcegebiet seitlich hinausragen.
A first preferred embodiment of the method according to the invention is characterized by the fact that that mask step by means of which the emitter region is introduced into the substrate is used to structure the channel width of the MOS channel structure, that a mask is used for the mask step by means of which the emitter region is introduced into the substrate, which mask has cutouts which are arranged around the edge of a mask opening and extend laterally outwards, in such a way that the introduced emitter region has laterally outwardly extending fingers in the region of the cutouts, and that the length of the fingers is selected such that they project laterally at least beyond the subsequently introduced source region.
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Auf die Oberseite des Substrats 31 wird dann eine Maske 34 für die Implantation eines Emittergebietes 37 aufgebracht und ein P'-dotiertes Emittergebiet 37 durch eine Maskenöffnung 35 in der Maske 34 implantiert (Fig.
A mask 34 for the implantation of an emitter region 37 is then applied to the top side of the substrate 31 and a P+ -doped emitter region 37 is implanted through a mask opening 35 in the mask 34 (FIG.
EuroPat v2
Die Besonderheit der Maske 34 besteht im Zusammenhang mit der Erfindung darin, dass sie randseitig um die Maskenöffnung 35 herum angeordnete, seitlich nach aussen sich erstreckende Aussparungen 36 aufweist.
The special nature of the mask 34 in connection with the invention is that it has cutouts 36 which are arranged around the edge of the mask opening 35 and extend laterally outwards.
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Diese größere Dicke der Unterbau-Stoppschicht 105 macht allerdings die Lithographieschritte für den Graben und die entsprechende Ätzung zur Maskenöffnung schwieriger, weil das Prozeßfenster verkleinert wird.
However, this larger thickness of the substructure stop layer 105 makes the lithography steps for the trench and the corresponding etching to form the mask opening more difficult because the process window is made smaller.
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Besteht die Topelektrode beispielsweise aus Platin, so kann es neben einem Durchbruch der Topelektrode auch zu einer Redeposition von abgesputterten Platin an den Innenwänden der Maskenöffnung kommen.
If the top electrode is composed, for example, of platinum, there may occur, in addition to a break-through of the top electrode also a redeposition of sputtered platinum on the inner walls of the mask opening.
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Die Dimension der jeweiligen unterätzten Zonen wird optisch ermittelt, und die Lage der Maskenöffnung, an deren Seite die unterätzte Zone am kleinsten ist, wird zur Feststellung der Kristallorientierung herangezogen.
The dimensions of a particular undercut zone are determined optically, and the location of the mask opening at the side of which the undercut zone is smallest is utilized for determining the crystal orientation.
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Mit anderen Worten, es kann die Lage der Maskenöffnung 4a, an deren Seite die Breite C1 des nicht unterätzten Zwischenraumes am größten ist, zur Feststellung der Kristallorientierung herangezogen werden.
In other words, the position of mask opening 4 a next to which the width C 1 of the non-undercut intervening space is the largest can be utilized for determining the crystal orientation.
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Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß zur lateralen Aufweitung bis auf den Durchmesser des Glasfaserkerns (19) eine Belichtungsmaske mit sich aufweitender Maskenöffnung verwendet wird.
Method according to claim 16, characterized in that an exposure mask that has a widening mask opening is used for lateral widening up to the diameter of the glass fiber core (19).
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Da die Länge der Pyramidenflächen durch die Oberflächendiffusion der Atome begrenzt ist, ist es vorteilhaft, die Maskenöffnung vergleichbar mit dieser Diffusionslänge zu wählen.
Since the length of pyramidal surfaces is limited by the surface diffusion of the atoms, it is advantageous to select mask openings which are comparable to the diffusion length.
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Gleichzeitig mit dem Entstehen der pyramidenförmigen Spitze innerhalb der Maskenöffnung wird bei der Molekularstrahlepitaxie auf der Oberfläche der Maske eine dotierte Siliziumschicht abgeschieden.
Simultaneously with the creation of the pyramidal-shaped tip within the mask opening, the doped silicon layer is deposited on the surface of the mask during the molecular beam epitaxy step.
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Zur Bildung der Maskenöffnung werden die dritte Schicht und die zweite Schicht in einem anisotropen Ätzprozeß strukturiert.
To form the mask opening, the third layer and the second layer are structured in an anisotropic etching process.
EuroPat v2
Alternativ zur Erzeugung einer Öffnung und dem Auffüllen der Öffnung mit p + -Material ist es möglich, mittels einer Maske und einem oder mehreren nachfolgenden Implantationsschritten den durch die Maskenöffnung definierten Bereich am Boden der Schichtenfolge mit p + -Atomen zu dotieren.
As an alternative to creating an opening and filling the opening with p+ material, it is possible through the use of a mask and one or more successive implantation steps to dope the region, defined by the mask opening, on the bottom of the layer sequence with p+
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