Translation of "Löschbereich" in English

Die alte Grenzlinie 82 und der ehemalige Löschbereich 85 sind wiederum gestrichelt angedeutet.
The old boundary line 82 and the former cancel area 85 are again indicated with broken lines.
EuroPat v2
Die alte Grenzlinie 82 und der ehemalige Löschbereich 85 sind wiederum gestrichhelt angedeutet.
The old boundary line 82 and the former cancel area 85 are again indicated with broken lines.
EuroPat v2
Um einen Löschbereich zu wählen, muss man sein Anfang und Ende markieren.
To select the deletion area, you need to mark its beginning and end.
ParaCrawl v7.1
Im Löschbereich werden die Speicherfolien gelöscht und anschließend zurück zur Trenn-/Verbindungseinrichtung befördert.
In the erasing region, the imaging plates are erased and then conveyed back to the separating/joining device.
EuroPat v2
Das schützt die Gesundheit von Personen im Löschbereich und Sachwerte vor Rauchschäden.
This protects the health of people in the affected area and prevents smoke damage to property.
ParaCrawl v7.1
Der aktive Löschbereich wird mit den gelben Streifen markiert.
The active area of deletion is marked by yellow stripes at the limits of the area.
ParaCrawl v7.1
Die weitere Ausgestaltung der Erfindung betrifft Maßnahmen zur weiteren Verbesserung des Verhaltens der Speicherzelle im Löschbereich.
The further development of the invention relates to measures for further improvement of the memory cell function in the erase area.
EuroPat v2
Daher ist die Höhe des Schichtwiderstandes des implantierten Bereiches IP im Löschbereich der Speicherzelle relativ unkritisch.
Therefore, the layer resistance level of the implanted region iP in the erase area of the memory cell is relatively non-critical.
EuroPat v2
Die Schalenbildung um die Zusatzproben und die Belegung mit den Farbnummern "0" wird abgebrochen, sobald ein Löschbereich die gewünschte Ausdehnung erreicht hat.
The cup formation around the auxiliary samples and the occupation with the color numbers "0" is broken off as soon as a cancel area has reached its desired scope.
EuroPat v2
Wenn die aufgerufenen Adressen in den betreffenden Löschbereich fallen, werden diese mit den Farbnummern "0" belegt.
When the called-in addresses fall within the appertaining cancel area, these are occupied with the color numbers "0".
EuroPat v2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Zwei-Transistor-Speicherzelle in MOS-Technik, bei der ein für die Informationsspeicherung vorgesehener erster MOS-Feldeffekttransistor sowohl mit einem Steuergate als auch mit einem zwischen dem Steuergate und der Oberfläche des die Speicherzelle aufnehmenden Siliciumkristalls angeordneten schwebenden Gate versehen wird, während der zweite MOS-Feldeffekttransistor nur ein Steuergate erhält, bei dem ferner die beiden Steuergates und das schwebende Gate aus einer auf einer das betreffende Gate tragenden SiOp-Schicht abgeschiedenen Schicht aus dotiertem polykristallinen Silicium durch maskierte Ätztechnik geformt werden und bei dem schließlich für das schwebende Gate des ersten MOS-Feldeffekttransistors ein sich abseits des stromführenden Kanals der beiden MOS-Feldeffekttransistoren der Speicherzelle angeordneter Löschbereich vorgesehen wird.
The invention relates to a method of producing a monolithically integrated two-transistor memory cell in accordance with MOS technology, in which a first MOS field effect transistor, provided for information storage, is equipped with both a control gate and a floating gate disposed between the control gate and the surface of the silicon crystal accommodating the memory cell, whereas the second MOS field effect transistor is provided only with a control gate; the two control gates and the floating gate are formed by masked etching technology of a doped polycrystalline silicon layer deposited on an SiO2 film supporting the respective gate; and an erase area apart from the current-carrying channel of the two MOS field effect transistors of the memory cell is provided for the floating gate of the first MOS field effect transistor.
EuroPat v2
Im Interesse einer günstigen und definierten Löschfunktion bei Abänderung des in der betreffenden Speicherzelle gespeicherten Informationsgehaltes wäre es vorteilhaft, wenn das die schwebende Gateelektrode des ersten MOS-Feldeffekttransistors der Speicherzelle tragende Oxyd im Löschbereich in definierter Weise dünner als im Kanalbereich des ersten MOS-Feldeffekttransistors eingestellt wird.
In the interest of a favorable and defined erase function when the information content stored in the respective memory cell changes, it would be advantageous if the oxide supporting the floating gate electrode of the first MOS field effect transistor were made thinner in a defined manner in the erase area, than in the channel area of the first MOS field effect transistor.
EuroPat v2
Es hat sich jedoch gezeigt, daß diese Möglichkeit besser durch die von der Erfindung vorgeschlagene Möglichkeit zu ersetzen ist, da dann die Dicke des den Löschbereich an der Siliciumoberfläche bedeckenden Oxyds merklich besser reproduzierbar wird.
However, it has turned out that this production possibility is better replaced by the possibility suggested by the invention, because the thickness of the oxide covering the erase area on the silicon surface then becomes noticeably better reproducible.
EuroPat v2
Wesentlich ist außerdem, daß sich das schwebende Gate FG und das Steuergate SG1 des ersten Transistors T1 nicht nur im Kanalbereich KB des ersten Transistors T1 sondern auch in dem abseits des Kanalbereichs KB anzuordnenden Löschbereich Überlappen, wie dies aus Fig.
In additon, it is essential that the floating gate FG and the control gate SG1 of the first transistor T1 overlap not only in the channel area KB of the first transistor T1, but also in the erase area to be disposed apart from the channel area KB, as evident from FIG.
EuroPat v2
Der Löschbereich ist als diejenige Stelle an der Oberfläche des Siliciumkristalls im Bereich der einzelnen Speicherzelle definiert, an der bei Löschung die in der betreffenden Speicherzelle enthaltende und dem Pegel "1" entsprechende elektrische Ladung des schwebenden Gates zum Verschwinden gebracht wird.
The erase area is defined as the particular location on the silicon crystal surface in the area of the individual memory cell where, when erasing, the electrical charge of the floating gate contained in the respective memory cell corresponding to the "1" level is caused to disappear.
EuroPat v2
Für die Löschung wird der sog. Fowler-Nordheim-Effekt ausgenutzt, bei dem ein Tunnelstrom zwischen dem schwebenden Gate FG und der Diffusionszone LZ im Löschbereich der Zelle erzeugt wird, der das dünne Löschoxyd Lo aufgrund einer 20-30 V betragenden und zwischen das Steuergate SG1 des ersten Transistors T1 und dem sperrfreien Anschluß A3 des Löschdiffusionsgebietes LZ zu legenden Löschspannung überwindet, ohne dieses merklich zu beeinträchtigen.
The so-called Fowler-Nordheim effect is utilized for erasure, generating a tunnel current between the floating gate FG and the diffusion zone LZ in the erase area of the cell which overcomes the thin erase oxide Lo due to a 20-30 V erase voltage to be applied between the control gate SG1 of the first transistor T1 and the blockless terminal A3 of the erase diffusion zone LZ, without noticeable adverse effect on the latter.
EuroPat v2
Der nun folgende Schritt zur Erzeugung des Löschfensters LF in der durch den ersten Oxydationsschritt erhaltenen Oxydschicht Gox * beschränkt sich ausschließlich auf den für die jeweilige Speicherzelle vorgesehenen Löschbereich.
The next step which is to produce the erase window LF in the oxide film Gox* obtained by the first oxidation step is restricted exclusively to the erase area provided for the respective memory cell.
EuroPat v2
Ggf. kann je eine solche Implatation die Aufgabe der Sourcezonen S1, S2,.der Drainzonen D1, D2 sowie der Löschzone LZ im Löschbereich übernehmen.
If applicable, one such implantation for each can assume the function of the source zones S1, S2, of the drain zones D1, D2 and of the erase zone LZ in the erase region.
EuroPat v2
Die Schalenbildung um die Zusatzproben-Farborte und die Belegung mit den Farb- nummern "0" wird abgebrochen, sobald ein Löschbereich die gewünschte Ausdehnung erreicht hat.
The cup formation around the auxiliary samples and the occupation with the color numbers "0" is broken off as soon as a cancel area has reached its desired scope.
EuroPat v2