Translation of "Haltespannung" in English

Die Haltespannung von 10 kV wird nicht erreicht.
The holding voltage of 10 kV was not reached.
EuroPat v2
Die Spannung über der Haltebremse B wird nun auf die Haltespannung reduziert.
The voltage across holding brake B is now reduced to the holding voltage.
EuroPat v2
Im Falle der Anordnung nach Figur 1 beträgt die Haltespannung zirka 25 Volt.
In the case of the arrangement as in FIG. 1, the snap-back voltage is about 25 volt.
EuroPat v2
Die Anzeige-Elemente des Schreibgebietes liegen an einer höheren Haltespannung als die Anzeige-Elemente des HalteGebietes.
The display elements in the scanning region lie at a higher holding voltage then the display elements in the holding region.
EuroPat v2
Das Umschalten von einer Konfiguration in die andere erfolgt durch kurzzeitiges Erhöhen oder Erniedrigen der Haltespannung.
Switching from one configuration to the other occurs by momentary raising or lowering of the withstand voltage.
EuroPat v2
Wie weiter oben erklärt, ist die Haltespannung normalerweise deutlich kleiner als die Anzugsspannung.
As explained above, the hold current is usually clearly lower than the pull-in current.
ParaCrawl v7.1
Ab dann wird die Pulslänge 26 reduziert und es wird die Haltespannung 9 erzeugt.
From then onward, the pulse length 26 is reduced, and the holding voltage 9 is generated.
EuroPat v2
Die Haltespannung wird auf einen Wert geregelt, der betragsmäßig weit unterhalb der Anzugsspannung liegt.
The holding voltage is controlled to a level which, in terms of absolute value, is far below the pickup voltage.
EuroPat v2
Die erhöhte Haltespannung erklärt sich durch die hochohmige Anbindung der vergrabenen Schicht an die Anschlußschicht.
The increased snap-back voltage is explained by the highly resistive interface of the buried layer with the connecting layer.
EuroPat v2
Die zweite Stromverlaufskurve 2B entspricht dem Spannungsverlauf 1B für ein direktes Umschalten von Überspannung auf Haltespannung.
The second electrical current curves 2 B corresponds to the voltage curve 1 B for a direct switching from overvoltage to holding voltage.
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Die zuletzt genannte Lösungsmöglichkeit bedingt den Nachteil, daß sich die MOS-Transistorparameter verschlechtern, die Leckströme über die wannenförmige Halbleiterzone erhöhen und sich die Haltespannung des parasitären pnpn-Übergangs verringert.
This latter solution causes the disadvantage that the MOS transistor parameters deteriorate, the stray currents via the well-shaped semiconductor zone increase and the holding voltage of the parasitic pnpn-junction is reduced.
EuroPat v2
Für den eingangs bereits als Beispiel angesprochenen Fall eines bei etwa 50 % des untransformierten Signals liegenden Triggerpegels wird von der Haltespannung der Wert ln 2 abgezogen und dem Komparator 9 als Vergleichsspannung zugeführt.
For the case of a trigger level lying at approximately 50% of the untransformed signal that was already discussed above as an example, the value ln 2 is subtracted from the holding voltage and is supplied to the comparator 9 as a comparison voltage.
EuroPat v2
Soll der Fluidweg wieder geschlossen werden, genügt es, die Haltespannung abzuschalten, so daß die Membran der Federkraft folgend in die Schließstellung zurückgebracht wird.
If the fluid path is to be closed again, it is sufficient to switch off the holding voltage, so that the membrane follows the force of the spring and is moved back into its closing position.
EuroPat v2
Dann wird die Haltespannung wieder angelegt und die betreffenden Anzeigeelemente verbleiben in diesem (hellen) Zustand.
The holding voltage is then again applied and these display elements stay in this (bright) optical state.
EuroPat v2
Da diese Haltespannung und die Schreibspannung bei einem hohen Multiplexgrad sehr nah zusammenliegen müssen, ist der Kontrast bei dieser Betriebsspannung nicht besonders gut.
Because this holding voltage and the writing voltage must lie very close together for high multiplexing rates, the contrast ratio for this addressing method is not particularly good.
EuroPat v2
Das dort beschriebene Ansteuerverfahren verwendet eine Haltespannung, bei welcher die Anzeigeelemente einer Flüssigkristallmatrixanzeige zwei verschiedene optische Zustände (hell oder dunkel) annehmen können.
The addressing scheme described in this patent employs a holding voltage where the display elements of a liquid crystal matrix display can adopt two different optical states (dark or bright).
EuroPat v2
Ueber eine Schreibspannung, deren Amplitude grösser ist als die höhere Haltespannung, werden nur die ausgewählten Anzeige-Elemente in den optisch hellen Zustand versetzt.
By means of a writing voltage whose amplitude is larger than the higher holding voltage, the selected display elements are transferred into the bright optical state.
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Zur Vermeidung von Instabilitäten ist nämlich der dazu notwendige Druck p möglichst groß zu wählen, was bei vorgegebener Haltespannung zu der Notwendigkeit führt, den Elektrodenabstand (d) möglichst klein zu wählen.
In order to avoid instabilities, the pressure p required for that purpose should be as high as possible so that for holding a predetermined voltage the electrode spacing (d) should be minimized.
EuroPat v2
Nach dem Einschaltzeitpunkt können der durch die Erregerrichtung 3 fließende Strom i bzw. die an der Wicklung anliegende Spannung u1 bis zur Einleitung des Ausschaltvorgangs einen beliebigen Verlauf oberhalb des durch den Haltestrom bzw. durch die Haltespannung vorgegebenen Grenzwerts aufweisen.
After the closing instant, the current i flowing through the excitation winding 3, or the voltage u1 applied to the winding can have an arbitrary variation above the limiting value predetermined by the holding current or by the holding voltage until the introduction of the opening operation.
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Auf diese Weise läßt sich die Durchbruchspannung U CB und damit auch die Haltespannung der Schutzelemente vergrößern.
In this way, it is possible to increase the breakdown voltage U CB and thus also the withstand voltage of the protective elements.
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Besonders vorteilhaft ist die Erfindung, wenn der Schutztransistor durch eine Diode, deren Durchbruch im Bereich der Haltespannung des Schutztransistors liegt, angesteuert wird.
The invention is particularly advantageous if the protective transistor is driven by a diode whose breakdown lies in the range of the withstand voltage of the protective transistor.
EuroPat v2
Ausserdem wird die Haltespannung des Elements, d. h. die Spannung, die es nach Unterbrechung eines Kurzschlusses ohne zu grossen Leckstrom halten kann, dadurch herabgesetzt.
Furthermore, this causes a reduction in the sustain voltage of the element, i.e. the voltage said element is able to sustain without too large a leakage current after a short circuit has been broken.
EuroPat v2
Die dadurch erzielten Vorteile liegen vor allem darin, dass wesentlich höhere Kurzschlusspannungen unterbrochen werden können und dass auch die Haltespannung wesentlich höher liegt als bei bekannten gattungsgemässen Widerstandselementen.
The advantages thus achieved reside primarily in the fact that considerably higher short-circuit voltages can be interrupted and that the sustain voltage likewise is considerably higher than with known congeneric resistor elements.
EuroPat v2
Der spezifische Widerstand des Pulvers sollte bei tieferen Feldstärken ohnedies hoch sein, damit das Widerstandselement eine hohe Haltespannung mit geringem Leckstrom halten kann.
The specific resistance of the powder at relatively low field strengths should, in any case, be high, so as to enable the resistor element to sustain a high sustain voltage in conjunction with a low leakage current.
EuroPat v2
Für Anschlüsse, die sehr schnellen Spannungsflanken ausgesetzt sein können, ohne daß die äußere Beschaltung eine hinreichende Strombegrenzung gewährt, ist beim Einsatz von ESD-Schutzelementen, die im Durchbruch ein sogenanntes Snap-Back-Verhalten aufweisen, besonders darauf zu achten, daß die Haltespannung über der spezifizierten Signalspannung liegt, um so ein transientes Durchschalten (Latch-Up-Effekt) der ESD-Schutzelemente zu vermeiden.
For terminals that may be exposed to very fast voltage edges without the external circuitry ensuring sufficient current limiting, particular care must be taken, given the use of ESD protective elements which have a so-called snap-back behavior in the event of breakdown, to ensure that the withstand voltage lies above the specified signal voltage in order thereby to avoid a transient turn-on (latch-up effect) of the ESD protective elements.
EuroPat v2
Trotz der hohen ESD-Festigkeit und der guten Schutzwirkung können aus diesen Gründen Schutztransistoren, insbesondere npn-Bipolartransistoren, oder Thyristoren mit einer Haltespannung im Signalspannungsbereich nicht als ESD-Schutzelemente eingesetzt werden.
For these reasons, protective transistors, in particular npn bipolar transistors, or thyristors having a withstand voltage in the signal voltage range cannot be used as ESD protective elements, despite the high ESD strength and the good protective action.
EuroPat v2