Translation of "Halbleitersubstrat" in English
12A,
wird
ein
Halbleitersubstrat
(Wafer)
500
mit
P-
Dotierung
vorgesehen.
12A,
a
semiconductor
substrate
(a
wafer)
500
having
P-type
doping
is
provided.
EuroPat v2
Mit
dem
Bezugszeichen
7
ist
das
Halbleitersubstrat
aus
Silizium
bezeichnet.
The
semiconductor
substrate
7
is
composed
of
silicon.
EuroPat v2
Diese
Zonen
bilden
mit
dem
Halbleitersubstrat
10
pn-Übergänge
12a
und
12b.
These
zones,
together
with
the
semiconductor
substrate
10,
form
p-n
junctions
12a
and
12b.
EuroPat v2
Vielmehr
nutzt
man
die
Gesamtheit
der
Eigenschaften
der
auf
das
Halbleitersubstrat
aufgebrachten
Elemente.
On
the
contrary,
all
of
the
properties
of
the
elements
applied
on
the
semiconductor
substrate
are
utilized.
EuroPat v2
Das
beschichtete
Halbleitersubstrat
wird
gemäss
Fig.
The
coated
semiconducting
substrate
is
placed,
according
to
FIG.
EuroPat v2
Die
Halbleiterdiode
weist
eine
planare
Struktur
auf
einem
Halbleitersubstrat
auf.
The
semiconductor
diode
has
a
planar
structure
on
a
semiconductor
substrate.
EuroPat v2
Als
Halbleitersubstrat
ist
sowohl
eine
monokristalline
Siliziumscheibe
als
auch
ein
SOI-Substrat
geeignet.
Both
a
monocrystalline
silicon
wafer
and
an
SOI
substrate
are
suitable
as
the
semiconductor
substrate.
EuroPat v2
Das
Halbleitersubstrat
ist
z.B.
ein
Siliziumsubstrat
oder
ein
SOI-Substrat.
The
semiconductor
substrate
is
a
silicon
substrate
or
an
SOI
substrate.
EuroPat v2
Das
Verfahren
eignet
sich
somit
allgemein
zur
Bildung
von
Dotierungsgebieten
in
einem
Halbleitersubstrat.
The
method
is
thus
generally
suitable
for
forming
dopant
regions
in
the
semiconductor
substrate.
EuroPat v2
Bevorzugt
ist
das
Halbleitersubstrat
auf
einem
Grundsubstrat
angeordnet.
The
semiconductor
substrate
is
preferably
arranged
on
a
base
substrate.
EuroPat v2
Ansonsten
ist
nur
eine
mangelhafte
Verbindung
zwischen
Halbleitersubstrat
6
und
Träger
7
möglich.
Otherwise,
a
connection
between
semiconductor
substrate
6
and
carrier
7
will
likely
be
defective.
EuroPat v2
Figur
2
zeigt
den
Schnitt
durch
das
Halbleitersubstrat
nach
einer
ersten
Grabenätzung.
FIG.
2
is
a
sectional
view
through
the
semiconductor
substrate
after
first
trench
etching;
EuroPat v2
In
dem
Halbleitersubstrat
30
sind
n-dotierte
Gebiete
90a
angeordnet.
Several
n-doped
regions
90a
are
formed
in
the
semiconductor
substrate
30.
EuroPat v2
Bevorzugt
wird
das
Halbleitersubstrat
vor
seiner
Strukturierung
epitaktisch
auf
einem
Grundsubstrat
aufgebracht.
Before
being
structured,
the
semiconductor
substrate
is
preferably
applied
epitaxially
on
a
base
substrate.
EuroPat v2
Auf
einem
Grundsubstrat
20
ist
ein
Halbleitersubstrat
25
angeordnet.
A
semiconductor
substrate
25
is
arranged
on
a
base
substrate
20
.
EuroPat v2
Auf
einer
Grundplatte
39
ist
das
Halbleitersubstrat
32
angeordnet.
On
a
base
plate
39,
a
semiconductor
substrate
32
is
arranged.
EuroPat v2
Figur
7
zeigt
den
Schnitt
durch
das
Halbleitersubstrat
nach
einem
Reoxidationsschritt.
FIG.
7
shows
a
section
through
the
semiconductor
substrate
after
the
reoxidation
step.
EuroPat v2
Figur
8
zeigt
den
Schnitt
durch
das
Halbleitersubstrat
nach
Bildung
einer
Maske.
FIG.
8
shows
a
section
through
the
semiconductor
substrate
after
the
formation
of
a
mask.
EuroPat v2
Es
ist
ein
Halbleitersubstrat
mit
einer
Vielzahl
Speicherzellen
vorgesehen.
A
semiconductor
substrate
having
a
multiplicity
of
memory
cells
is
provided.
EuroPat v2
In
diesem
Fall
weisen
die
Dotierungsgebiete
und
das
Halbleitersubstrat
den
gleichen
Leitungstyp
auf.
In
this
case,
the
dopant
regions
and
the
semiconductor
substrate
are
of
the
same
conductivity
type.
EuroPat v2
Der
Flußwiderstand
kann
vor
allem
durch
kurze
Wege
im
Halbleitersubstrat
minimiert
werden.
The
forward
resistance
can
be
minimized
primarily
by
using
short
paths
in
the
semiconductor
substrate.
EuroPat v2
Vorzugsweise
weist
das
Halbleitersubstrat
in
Reihen
und
Spalten
angeordnete
Säulen
aus
Halbleitermaterial
auf.
Preferably,
the
semiconductor
substrate
has
pillars
of
semiconductor
material
arranged
in
rows
and
columns.
EuroPat v2
Zur
Erhöhung
der
Spannungsfestigkeit
ist
das
Halbleitersubstrat
mit
einer
Randpassivierung
6
versehen.
To
increase
the
dielectric
strength,
the
semiconductor
substrate
is
provided
with
an
edge
passivation
6.
EuroPat v2
Die
Meßschaltung
ist
monolithisch
mit
allen
Komponenten
auf
einem
Halbleitersubstrat
integrierbar.
The
measuring
circuit
is
adapted
to
be
monolithically
integrated
on
a
semicondustor
substrate
with
all
components.
EuroPat v2
Die
Ohm'schen
Kontakte
sind
nicht
unmittelbar
auf
das
Halbleitersubstrat
aufgebracht.
The
ohmic
contacts
are
not
deposited
directly
onto
the
semiconductive
substrate.
EuroPat v2
Ausgangspunkt
ist
ein
Halbleitersubstrat
mit
einer
gewünschten
Grunddotierung.
The
starting
point
is
a
semi-conductor
substrate
with
a
required
basic
doping.
EuroPat v2
Die
kunststofffreie
Oberfläche
zum
Halbleitersubstrat
wird
mit
Silber
beschichtet
und
getempert.
The
surface
free
of
plastic
facing
the
semiconductor
substrate
is
coated
with
silver
and
tempered.
EuroPat v2
In
seinem
Inneren
hat
das
Halbleitersubstrat
1
eine
pnpn-Vierschichtstruktur.
In
its
interior,
the
semi-conductor
substrate
1
has
a
four-layer
pnpn
structure.
EuroPat v2