Translation of "Halbleiterschicht" in English
Dabei
ist
dann
die
Halbleiterschicht
1
und
die
Elektrode
5
in
Fig.
Thereby,
the
semiconductor
layer
1
and
the
electrode
5
in
FIG.
EuroPat v2
Die
zu
untersuchenden
Schichten
werden
auf
die
Metall-
oder
Halbleiterschicht
aufgebracht.
The
layers
to
be
examined
are
applied
to
the
metal
or
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Die
zu
untersuchenden
Schichten
sind
hierzu
vorzugsweise
auf
eine
metallische
oder
Halbleiterschicht
aufgebracht.
For
this
purpose,
the
layers
to
be
examined
have
preferably
been
applied
to
a
metallic
or
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Das
Funktionselement
enthält
mindestens
eine
mittels
Implantation
oder
Epitaxie
hergestellte
hoch
dotierte
Halbleiterschicht.
The
function
element
contains
at
least
one
highly
doped
semiconductor
layer
produced
by
implantation
or
epitaxy.
EuroPat v2
Es
ist
vorteilhaft,
die
Halbleiterschicht
vor
dem
Temperieren
geeignet
zu
strukturieren.
It
is
advantageous
to
structure
the
semiconductor
layer
suitably
before
the
temperature
treatment.
EuroPat v2
Die
Schrägfläche
84
ist
mit
einer
Halbleiterschicht
88
beschichtet.
The
inclined
surface
84
is
coated
with
a
semiconductor
layer
88
.
EuroPat v2
Die
unterste
Halbleiterschicht
des
Substrates
ist
bei
dem
unteren
Halbleiterbauelement
in
Fig.
In
the
case
of
the
lower
semiconductor
component
in
FIG.
EuroPat v2
Andererseits
kann
die
Halbleiterschicht
in
Form
von
Leiterbahnen
oder
Adreßleitungen
geeignet
strukturiert
werden.
On
the
other
hand,
the
semiconductor
layer
can
be
suitably
structured
in
the
form
of
conductor
tracks
or
address
lines.
EuroPat v2
Bevorzugt
kann
die
Halbleiterschicht
auch
gleichzeitig
zum
Kontaktieren
des
Dotierungsgebiets
verwendet
werden.
The
semiconductor
layer
can
also
preferably
be
used
at
the
same
time
for
making
contact
with
the
dopant
region.
EuroPat v2
Selbstverständlich
kann
die
Halbleiterschicht
auch
eine
p-Dotierung
aufweisen.
Of
course,
the
semiconductor
layer
can
also
have
p-type
doping.
EuroPat v2
Die
hochdotierte
Halbleiterschicht
5
dient
zur
seitlichen
Kontaktierung
der
Basis
des
herzustellenden
Bipolartransistors.
The
highly-doped
semiconductor
layer
5
is
used
for
lateral
contacting
of
the
base
of
the
bipolar
transistor
to
be
manufactured.
EuroPat v2
Zur
Bildung
der
Halbleiterschicht
können
jedoch
auch
andere
Materialien
verwendet
werden.
However,
other
materials
can
also
be
used
to
make
the
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Dieser
Einbruch
markiert
also
zuverlässig
das
Ende
des
Ätzvorgangs
der
dotierten
Halbleiterschicht.
This
crossing
point
reliably
marks
the
end
of
the
etching
of
the
doped
silicon
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Auf
die
oberste
Halbleiterschicht
wird
eine
Metallisierungsschicht
als
erste
Kontaktschicht
abgeschieden.
A
metallization
layer
is
deposited
onto
the
top
semiconductor
layer
as
a
first
contact
layer.
EuroPat v2
Die
Steuerelektrode
kann
insbesondere
eine
Schottky-Diode
mit
der
Halbleiterschicht
bilden.
The
control
electrode
can,
in
particular,
form
a
Schottky
diode
with
the
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Bei
Dünnschicht-Solarmodulen
ist
die
photosensitive
Halbleiterschicht
direkt
auf
einen
Träger
aufgebracht.
In
case
of
thin-film
solar
modules,
the
photosensitive
semiconductor
layer
is
directly
applied
to
a
support.
EuroPat v2
Dabei
ist
die
kritische
Schichtdicke
von
dem
Material
der
Halbleiterschicht
abhängig.
The
critical
layer
thickness
here
depends
on
the
composition
of
the
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Durch
Effekte
wie
Substratverkrümmung
kann
es
zu
Temperaturabweichungen
zwischen
Träger
und
Halbleiterschicht
kommen.
Effects
such
as
substrate
curvature
can
cause
temperature
deviations
between
substrate
and
semiconductor
layer.
ParaCrawl v7.1
Die
Tunnelkontaktschicht
ist
vorzugsweise
eine
hoch
dotierte
Halbleiterschicht.
The
tunnel
contact
layer
is
preferably
a
highly
doped
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Die
Stromverbreiterungsschicht
ist
also
eine
hoch
dotierte
Halbleiterschicht
und
somit
Teil
des
Halbleiterkörpers.
The
current
spreading
layer
is
therefore
a
highly
doped
semiconductor
layer
and
thus
part
of
the
semiconductor
body.
EuroPat v2
Die
Fläche
301
ist
die
Fläche
einer
beispielsweise
p-dotierten
Halbleiterschicht.
The
area
301
is
the
area
of
a,
for
example,
p-doped
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Eine
solche
Halbleiterschicht
ist
an
eine
GaN-Schicht
gitterangepasst.
Such
a
semiconductor
layer
is
lattice-matched
to
a
GaN
layer.
EuroPat v2
Die
p-leitende
Halbleiterschicht
enthält
einen
p-Dotierstoff.
The
p-conductive
semiconductor
layer
contains
a
p-dopant.
EuroPat v2
Die
n-leitende
Halbleiterschicht
enthält
einen
n-Dotierstoff
und
einen
weiteren
Dotierstoff.
The
n-conductive
semiconductor
layer
contains
an
n-dopant
and
a
further
dopant.
EuroPat v2
Insbesondere
kann
die
n-leitende
Halbleiterschicht
eine
zumindest
lokal
erhöhte
Durchlässigkeit
für
Wasserstoff
aufweisen.
In
particular
the
n-conductive
semiconductor
layer
comprises
at
least
locally
elevated
permeability
for
hydrogen.
EuroPat v2
Der
Grad
der
Aktivierung
der
p-leitenden
Halbleiterschicht
kann
so
gesteigert
werden.
The
degree
of
activation
of
the
p-conductive
semiconductor
layer
may
in
this
way
be
increased.
EuroPat v2
Als
Halbleitermaterial
für
die
Halbleiterschicht
im
Träger
wird
vorzugsweise
Silizium
oder
Galliumarsenid
verwendet.
Silicon
or
gallium
arsenide
is
preferably
used
as
a
semiconductor
material
for
the
semiconductor
layer
in
the
carrier.
EuroPat v2
Das
Substrat
wird
dann
mit
der
planarisierten
Halbleiterschicht
verbunden.
The
substrate
is
then
bonded
with
the
planarized
semiconductor
layer.
EuroPat v2
Die
p-leitende
Halbleiterschicht
22
enthält
als
p-Dotierstoff
Magnesium.
The
p-conductive
semiconductor
layer
22
contains
magnesium
as
p-dopant.
EuroPat v2