Translation of "Einätzen" in English

Solche Gräben lassen sich ohne Schwierigkeiten und sehr genau einätzen oder einritzen.
Trenches of this type can be etched in or engraved very precisely without difficulty.
EuroPat v2
Ja, wir können mikroskopisch kleine Markierungen einätzen, was unseren Kunden die größtmögliche Sicherheit gibt.
Yes, we're able to etch microscopic markings that provides a degree of security our clients require.
OpenSubtitles v2018
Die Isolierzonen 9 und 10 werden durch Einätzen von Vertiefungen in die Epitaxialschicht 8 gebildet.
Isolation regions 9 and 10 are formed by etching trenches into epitaxial layer 8.
EuroPat v2
Zur Verhinderung eines Verrutschens der Obermatratze ist die Oberfläche durch Erodieren oder Einätzen von Strukturen aufgerauht.
To hinder a sliding of the upper mattress, the surface is roughened by erosion or by inserting structures.
EuroPat v2
Nach dem Einätzen der Aussparung 10 wird die Oberfläche der ganzen Anordnung dann mit einer Schicht aus Aluminium oder einer Aluminium-Siliciumlegierung versehen, wie in Fig.
After the recess 10 is etched, the surface of the entire arrangement is provided with a layer of aluminum or an aluminum-silicon alloy, as shown in FIG.
EuroPat v2
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen der weiteren Nuten (4) durch Einätzen erfolgt.
The method in accordance with claim 1 wherein said second grooves are provided by etching.
EuroPat v2
Ist dies nicht möglich oder nicht zweckmässig, kann ein Spiegel auch durch ein Reflexionsgitter oder durch Einätzen oder Einbohren einer Vertiefung in das Substrat 1 realisiert werden.
If this is not possible or not expedient, a mirror can also be constructed by a reflection grating or by etching in or drilling a depression into the substrate 1.
EuroPat v2
Mit der Erfindung läßt sich erreichen, daß nach selektivem Abätzen des ursprünglichen Substratkörpers 12 und nachfolgendem selektivem Einätzen der Maskierungsstruktur in die Schicht 13 ein Körper bestehend aus den Schichten 14 und 15 und dem Trägerkörper 16 entsteht, bei dem = abgesehen von der Maskierungsschicht 13 - die Schicht 14, in der der pn-Übergang herzustellen ist, oberste Schicht desjenigen Körpers ist, wie ihn Figur 2 zeigt.
With the invention, after selectively etching off the original substrate body 12 and subsequent selective etching-in of the masking structure into the layer 13, a body consisting of the layers 14 and 15 and of the carrier body 16 arises wherein--apart from the masking layer 13--the layer 14 in which the pn junction is to be manufactured is the uppermost layer of that body, as shown in FIG. 2.
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Vorzugsweise wird diese Maskierung mittels einer Lackmaske vorgenommen, in die photolithographisch Ausnehmungen eingebracht werden, die das Dünnschichtsystem in denjenigen Bereichen freilegen, innerhalb derer sich jeweils ein Fenster 31' für das Einätzen einer Justiermarke befindet.
This masking is preferably performed through the use of a resist mask into which cutouts are introduced photolithographically. The cutouts uncover the thin-film system in those areas within which a window 31 ? for the etching in of an alignment marker is respectively situated.
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Die Abmessungen der Strukturen der Isolierschichten 26 und 27 und der Strukturen der Kapazitätselektrodenschichten 3 und 9 sind dabei so gewählt, daß ein ausreichender Abstand zwischen ihnen und den leitenden im Schnitt trapezförmigen Abstandshaltern 7, die durch Einätzen von Kavitäten im Grundkörper 1 hergestellt sind, vorhanden ist.
The dimensions of the insulating layers 26 and 27 as well as the capacitance electrode layers 3 and 9 have been chosen so that a sufficient clearance exists between them and the conductive spacers 7. The spacers 7, which are trapezoidal in cross section, are created by etching cavities into the base 1.
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Lochöff­nungen oder Gräben in aus n-dotiertem Silizium bestehenden Schichten oder Substraten, wie sie bei der Herstellung von Halb­leiterbauelementen, insbesondere hochintegrierten Halbleiter­schaltungen, verwendet werden, durch maskiertes Einätzen.
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates generally to the manufacture of semiconductor components. More particularly, the present invention is directed to a method for generating apertured openings or trenches in layers or substrates composed of n-silicon as used in the manufacture of semiconductor components, particularly LSI semiconductor circuits, through masked etching.
EuroPat v2
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die durchgehenden Öffnungen in der Schutzschicht, welche auf der ersten Grünfolie angeordnet ist, mittels Maskieren der Schutzschicht durch eine Maskierungsschicht und Einätzen der durchgehenden Öffnungen erzeugt.
In one exemplary embodiment of the present invention, the through openings in the protective layer, which is positioned on the first green film, are produced by masking the protective layer with a masking layer, and etching the through openings.
EuroPat v2
Die kastenförmigen Einsätze können Stifte aufweisen, die jeweils in Kontakt mit den aus Metall gefertigten vertikalen Profilen treten, um Spannung aufzunehmen, damit die LEDs, die in den kastenförmigen Einätzen angeordnet sind, mit Spannung versorgt werden.
The box-shaped inserts can have pins, which in each case come into contact with the vertical profiles made from metal, in order to receive voltage so that the LEDs disposed in the box-shaped inserts are supplied with voltage.
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Werden Oxidstrukturen mit schneidenförmiger Spitzenstruktur hergestellt, so lassen sich gegebenenfalls zwei Öffnungen in die Spitze der Oxidschicht beziehungsweise den Bodenbereich 24 einätzen.
If oxide structures having an edge-like tip structure are produced, two openings can be etched into the tip of the oxide layer or the bottom area 24, if required.
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Werden Oxidstrukturen mit plateauförmiger Struktur an der zulaufenden Seite des Stumpfes der Oxidschicht 26 hergestellt, so lassen sich gegebenenfalls vier Öffnungen in die Spitze der Oxidschicht 26 einätzen.
If oxide structures are produced having a plateau-like structure on the tapering side of the stump of the oxide layer 26 four openings can be etched into the tip of the oxide layer 26, if required.
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Danach erfolgt ein Einätzen von Kontaktlöchern und Justiergräben in die Isolatorschicht, wobei die Kontaktlöcher und Justiergräben an ihrer Unterseite an der Metallschicht ausmünden.
Afterwards, contact holes and alignment trenches are etched into the insulator layer, the contact holes and alignment trenches opening out at the metal layer at their underside.
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Andererseits würde ein solcher "optimaler" Prozess zu einer unerwünschten isotropen statt anisotropen Ätzung führen, während der erfindungsgemäße Prozess trotz der kurzen Passiviergastakte weiterhin ein anisotropes Einätzen von Strukturen ermöglicht.
However, such an “optimum” process would lead to undesired isotropic etching instead of anisotropic etching, while the process according to the present invention, in spite of the short passivation gas cycles, still allows anisotropic etching of structures.
EuroPat v2
Wir können jegliche Designideen in das Leder einätzen, egal wie kompliziert sie sind. Verschiedene Designstile, unterschiedliche Farben und unterschiedliche Größen stehen für eine Vielzahl von Looks zur Verfügung.
We can etch any design ideas into the leather no matter how intricate they are. Different design styles, different colors, different sizes are available for a wide variety of looks.
CCAligned v1