Translation of "Eigenleitung" in English

Die ABO 3 -Schicht ist die Schicht mit der Eigenleitung.
The ABO3 layer is the layer with intrinsic conductivity.
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In der deutschen Patentanmeldung 30 41 818 wird ein Halbleiterbauelement für Temperaturen oberhalb des Einsetzens der Eigenleitung vorgeschlagen, bei dem ein Halbleiterkörper mit zwei Elektroden sehr unterschiedlicher Flächen versehen ist.
German Patent Application No. 30 41 818 describes a semiconductor device for temperatures above the point where intrinsic conduction begins. This device comprises a semiconductor body provided with two electrodes of substantially different surface areas.
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Zusätzlich wird der das Halbleiterbauelement durchfließende Strom in seiner Stärke und Richtung so gewählt, daß sich in dem Halbleiterkörper eine solche elektrische Feldstärkeverteilung einstellt, daß praktisch alle Minoritätsladungsträger zu der am negativen Potential liegenden Elektrode abgeführt werden und damit entsprechend viele Majoritätsladungsträger im Halbleiterkörper festgebunden werden und die Eigenleitung weitgehend unwirksam ist.
Moreover, the magnitude and direction of the current which flows through the semiconductor device are selected so that in the semiconductor body an electric field strength distribution is obtained such that substantially all minority charge carriers are carried off to the electrode connected to the negative potential. Consequently, a corresponding amount of majority charge carriers are retained in the semiconductor body, thereby largely cancelling the intrinsic-conduction effect.
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Bei dieser Polung wird der Einfluß der Eigenleitung erst bei einer erheblich höher liegenden Temperatur wirksam, der Bereich, in dem die Fremdleitung überwiegt, also zu höheren Temperaturen hin ausgedehnt.
For this polarity the intrinsic conduction begins at a substantially higher temperature so that the range in which the extrinsic conduction is predominant is extended towards higher temperatures.
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Einerseits ist nämlich die Stromrichtungsabhängigkeit des Innenwiderstandes nur im Temperaturbereich unterhalb des Einsatzes der Eigenleitung verringert, der Halbleiterkörper aber gegenüber der einfachen Bauweise stark vergrößert.
The dependence of the internal resistance on the current direction is smaller only in the temperature range below the point where the intrinsic conduction begins, but the semiconductor body is substantially larger despite the simple arrangement.
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Man erkennt, daß die stromrichtungsabhängigen Unterschiede im Innenwiderstand mit steigender Stromstärke zunehmen und außerdem die Temperaturen, bei denen sich in den jeweiligen Stromrichtungen die Eigenleitung durchsetzt, mit steigendem Strom immer weiter voneinander abweichen.
It can be seen that the current-direction dependent differences in internal resistance increase at increasing current and also that the temperatures at which iintrinsic conduction starts for the instantaneous current directions always differ substantially from each other at increasing current.
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Da die Stromrichtungsabhängigkeit des Innenwiderstandes im Bereich der Fremdleitung gering ist und erst beim Einsetzen der Eigenleitung ein nennenswertes Meßsignal liefert, zeigt dieses in seinem Temperaturverlauf eine deutliche Schwellwertcharakteristik.
Since the current-direction dependence of the internal resistance in the extrinsic-conduction range is small and only provides a useful measurement signal at the point where the intrinsic conduction starts, its variation as a function of the temperature exhibits a distinct threshold value.
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Die Erfindung hat den Vorteil, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, die genaue Temperaturmessungen im Bereich der Eigenleitung des verwendeten Halbleiterelements ermöglicht.
The invention has the advantage that it provides a circuit arrangement which enables accurate temperature measurements to be made in the intrinsic-conduction range of the semiconductor element which is used.
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Je nach Stromstärke und -richtung macht sich die Eigenleitung bei unterschiedlichen Temperaturen bemerkbar, und der Innenwiderstand fällt mit steigender Temperatur ab.
Depending on the magnitude and direction of the current the intrinsic conduction begins at different temperatures and the internal resistance decreases at increasing temperature.
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In der deutschen Patentanmeldung DE-A- 30 41 818 wird ein Halbleiterbauelement für Temperaturen oberhalb des Einsetzens der Eigenleitung vorgeschlagen, bei dem ein Halbleiterkörper mit zwei Elektroden sehr unterschiedlicher Flächen versehen ist.
German Patent Application No. 30 41 818 describes a semiconductor device for temperatures above the point where intrinsic conduction begins. This device comprises a semiconductor body provided with two electrodes of substantially different surface areas.
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Silicium beispielsweise zeigt bei den genannten Dotierungskonzentrationen im Temperaturbereich von etwa -200° C bis etwa +800° C das beschriebene Verhalten, wobei der Übergang zwischen dem Bereich der Fremdleitung und dem der Eigenleitung je nach Dotierungskonzentration zwischen etwa +100 und etwa +300° C liegt.
For the specified doping concentrations, for example, silicon exhibits the behaviour described in the foregoing in the temperature range from approximately -200° C. to approximately +800° C., the transition between the range of extrinsic conduction and the range of intrinsic conduction lying between approximately +100° C. and approximately +300° C. depending on the doping concentration.
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Der sich aus der Eigenleitung ergebende Widerstand kann sich aber nur dann einstellen, wenn die Anschlußgebiete unter den Elektroden genügende Ergiebigkeit an Ladungsträgern aufweisen.
The resistance as a result of the intrinsic conduction, however, can be obtained only if the connection areas underneath the electrodes produce a sufficient amount of charge carriers.
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P bedeutet p-leitende Schicht, n bedeutet n-leitende Schicht und Schicht i bedeutet Schicht mit intrinsischen Eigenschaften, d. h. die Schicht verfügt über Eigenleitung.
P indicates the p-conductive layer, n stands for an n-conductive layer and i indicates a layer with intrinsic properties, that is, this layer has intrinsic conductivity.
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Dieser Selbstheileffekt wird erreicht durch die Engstellen 95kl, 95mn,... zwischen Kollektoranschlußfleck 30kl, 30mn,... und Kollektorsammelleitung 03kl, 03mn,... Wird ein Teil einer Zelle oder auch mehrerer Zellen durch einen darunterliegenden Lunker überhitzt, geht also in die Eigenleitung, so übernimmt der betroffene Teil den insgesamt möglichen Strom, die Engstelle bzw. die Engstellen brennen durch.
This self-sealing effect is achieved by means of the bottlenecks 95kl, 95mn, . . . between the collector connection pad 30kl, 30mn, . . . and the collector collecting line 03kl, 03mn, . . . If a portion of a cell or a plurality of cells is overheated, i.e. passes into intrinsic conductivity, because of a solder defect located below it, the affected part takes over the total possible current and the bottleneck or bottlenecks burn through.
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Da die Eigenleitung (Intrinsicdichte) exponentiell mit der Temperatur ansteigt, konzentriert sich in einem solchen "angefachten" Halbleiterbereich der Strom lawinenartig und erhitzt so lokal das Halbleitermaterial.
Since the intrinsic conduction (inversion density) rises exponentially with the temperature, the current concentrates cumulatively in a "kindled" semiconductor area of this type and so heats up the semiconductor material locally.
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Dadurch wird der Einfluß der unkontrollierbaren Eigenleitung, die zu einer instabilen Stromverteilung im Halbleiter führen kann, vermieden.
This eliminates the effect of uncontrollable intrinsic conduction which can lead to an unstable current distribution within the semiconductor.
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Beim Einsatz der Eigenleitung zu höheren Temperaturen hin bewirkt die Stromrichtungsabhängigkeit des Widerstandes eine Verzerrung der Spannung über der Kapazität, es entsteht ein Gleichspannungsanteil, der mit steigender Temperatur rasch anwächst.
At the point where the intrinsic conduction begins, towards higher temperatures, the current-direction dependence of the resistance gives rise to a distortion of the voltage across the capacitance and a d.c. component is produced which rapidly increases as the temperature increases.
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