Translation of "Bipolartransistor" in English

Der Bipolartransistor 14 kann auch durch einen p-Kanal-FET ersetzt werden.
The bipolar transistor 14 can also be interchanged with a p-channel FET.
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Die erste Schaltvorrichtung enthält einen MOS-Feldeffekttransistor und die zweite Schaltvorrichtung einen Bipolartransistor.
The first switching device comprises a MOS field-effect transistor and the second switching device comprises a bipolar transistor.
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Der Bipolartransistor erfordert eine gewisse Steuerleistung, was für viele Zwecke unerwünscht ist.
The bipolar transistor requires a certain amount of control power which is undesirable for many purposes.
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Anstelle eines MOS-Feldeffekttransistors kann auch ein Bipolartransistor als Stellglied verwendet werden.
A bipolar transistor may be used as a control means in place of an MOS FET.
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Bipolartransistor nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
Bipolar transistor according to claim 4, wherein:
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Dadurch weist der erfindungsgemäße Bipolartransistor eine eindimensionale Transistorstruktur auf.
The bipolar transistor according to the invention consequently has a unidimensional transistor structure.
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Die Erfindung betrifft einen Bipolartransistor sowie ein Ver­fahren zu dessen Herstellung.
The invention relates to a bipolar transistor and a process for producing the same.
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Der Bipolartransistor T1 kann in ähnlicher Technologie wie der GTO ausgeführt sein.
The bipolar transistor T1 can be designed using similar technology to the GTO.
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T2) einen Bipolartransistor oder einen Feldeffekttransistor umfaßt.
T 2) comprises a bipolar transistor or a field effect transistor.
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Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die weitere Halbleiterstruktur ein Bipolartransistor.
In a further refinement of the method according to the invention, the further semiconductor structure is a bipolar transistor.
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Dieser sog. "Spacer" schützt beim Bipolartransistor den Emitter/Basis-Übergang.
This so-called "spacer" protects the emitter/base junction in the bipolar transistor.
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Das in Fig. 4 dargestellte fertige Bauelement kann als Bipolartransistor betrieben werden.
The finished component shown in FIG. 4 can be operated as a bipolar transistor.
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Die Funktion entspricht einem vertikalen Bipolartransistor mit einer lateralen Kollektorraumladungszone.
The function corresponds to a vertical bipolar transistor with a lateral collector space-charged zone.
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Der Bipolartransistor 1 nach FIG 1 ist als Doppel-Emitter-Transistor ausgeführt.
The bipolar transistor 1 according to FIG. 1 is designed as a double-emitter transistor.
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Die "Carry-Propagation"-Schaltung enthält sowohl MOS-Transistoren als auch einen Bipolartransistor.
The "carry-propagation" circuit contains both MOS transistors as well as a bipolar transistor.
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Der Bipolartransistor kann über die Basis durch Lichteinstrahlung gesteuert werden.
The bipolar transistor can be controlled by the base by beaming light in.
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Der Temperaturfühler wird durch den Bipolartransistor T3 gebildet.
The bi-polar transistor T3 is the temperature sensor.
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Beim oben beschriebenen Bipolartransistor kann es sich demnach beispielsweise um einen npn-Transistor handeln.
Accordingly, the above-described bipolar transistor can be for example an npn-transistor.
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Der FET 5 und der Bipolartransistor 8 werden gleichzeitig gesperrt.
The FET 5 and the bipolar transistor 8 are simultaneously blocked.
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Durch die Zener-Diode 15 wird verhindert, daß der Bipolartransistor 8 übersteuert wird.
The Zener diode 15 prevents the bipolar transistor 8 from being overdriven.
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Der Aufbau einer Basisladung am parasitären lateralen Bipolartransistor B1 wird somit verhindert.
The buildup of a base charge at the parasitic, lateral bipolar transistor B1 is thus prevented.
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Ein typisches Beispiel für einen Bipolartransistor mit Schutzdiode ist der Philips BU505DF.
The Philips BU505DF is a typical example of a diode protected bipolar transistor.
ParaCrawl v7.1
In einem der aktiven Gebiete ist der erfindungsgemäße Bipolartransistor mit epitaxialer Basis angeordnet.
The bipolar transistor with epitaxial base according to the invention is arranged in one of the active regions.
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