Translation of "Ausgangssubstrat" in English

Als Ausgangssubstrat dient das transparente Glas 8, 18, wie in Fig.
Transparent glass 8 and 18 is used as the starting substrate, as shown in FIGS.
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Figur 1 zeigt ein Ausgangssubstrat für ein elektronisches Bauteil der Erfindung.
FIG. 1 shows a starting substrate for an electronic sub-assembly of the invention.
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Figur 2 zeigt das Ausgangssubstrat der Figur 1 mit aufgelegter elektrisch isolierender Lage.
FIG. 2 shows the starting substrate of FIG. 1 with an electrically insulating layer placed thereon.
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Figur 1 zeigt ein Ausgangssubstrat 10 für ein elektronisches Bauteil gemäß der Erfindung.
FIG. 1 shows a starting or base substrate 10 for an electronic sub-assembly according to the invention.
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Dabei dient der Kernstab 8 als Ausgangssubstrat.
The core rod 8 is used as a starting substrate.
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Das Ausgangssubstrat 10 ist aus einem elektrisch leitenden Material.
The starting substrate 10 is made of an electrically conductive material.
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Ethanol wird in zahlreichen Industriezweigen als Ausgangssubstrat für Synthesen benutzt.
In numerous industries, ethanol is used as a starting substrate for syntheses.
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Die Oxidation von Laktat durch die LDHC stellt Pyruvat als Ausgangssubstrat für den Zitratzyklus zur Verfügung.
The oxidation of lactate by LDHC provides pyruvate as starting substrate for the citrate cycle.
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Die Bondschicht ist direkt oder vorzugsweise über eine Haftvermittlerschicht auf dem Ausgangssubstrat beziehungsweise den Bauelementen aufgebracht.
The bond layer is directly attached, or is preferably attached via an adhesion promoter layer, to the initial substrate or devices.
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Vorzugsweise wird das Ausgangssubstrat in dieser Ausführungsform im wesentlichen kontinuierlich im Reaktionsgemisch im Verlauf der Abbaureaktion zugegeben.
Preferably, the starting substrate of this embodiment is added substantially continuously in the reaction mixture in the course of the degradation reaction.
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Diesen Enzymsystemen ist gemeinsam, daß sie hintereinandergeschaltet sind, d.h. das Reaktionsprodukt der ersten Reaktion ist Ausgangssubstrat der zweiten Reaktion.
Common to these enzyme systems is that they act consecutively, i.e., the reaction product of the first reaction is the starting substrate for the second reaction.
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Ferner ist darauf hinzuweisen, daß bei der Verwendung von einkristallinem Ausgangssubstrat die Möglichkeit besteht, nach Aufbringen der Passivierungsschicht (276) und zumindest teilweisem Abtragen dieser auf den Erhebungen (276) durch Keimbildung in den Öffnungen eine Epitaxieschicht gebildet werden kann.
It must also be pointed out that when a monocrystalline initial substrate is used, it is possible to form an epitaxy layer following application of the passivation layer (276) and at least partial removal of the latter from the elevated areas (274) by nucleation in the openings.
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Die Aetzung findet zweckmässigerweise am n-dotierten Ausgangssubstrat statt, sodass anschliessend die Stoppschicht 3a und die Anodenschicht 2 eindiffundiert werden können.
The etching expediently takes place on the n-doped initial substrate so that subsequently the stop layer 3a and the anode layer 2 can be diffused in.
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In diesem "Tracer-Test" wurde anstelle von Mikroorganismen pulverförmiges LiCl in einer Konzentration von 10 mg Lithium/kg Ausgangssubstrat (bei Fermenter Typ 2 die doppelte Menge) am Ort der Substratzugabe zugesetzt.
In this “tracer test”, instead of microorganisms, powdered LiCl was added at a concentration of 10 mg lithium/kg of starting substrate (twice this amount for fermenter type 2) at the place of substrate addition.
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Unter einem Verbundsubstrat ist hierbei ein Substrat zu verstehen, das mindestens zwei Bereiche, den Substratkörper und die Zwischenschicht, enthält und als solches das Ausgangssubstrat für das Epitaxieverfahren darstellt.
A composite substrate in this context means a substrate that contains at least two regions, the substrate body and the interlayer, and that as such represents the starting substrate for the epitaxial process.
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Erfindungsgemäß wird eine Halbleiterbauelement-Verbundstruktur bereitgestellt, die ein Ausgangssubstrat mit diskreten, integrierten Bauelementen und eine Wärmeableitstruktur aufweist.
According to the invention, a semiconductor device composite structure is provided which comprises an initial substrate with, discrete integrated devices and a heat removal structure.
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Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft die Verwendung eines zu oxidierenden Oligosaccharid-Gemisches als Ausgangssubstrat, bei dem mindestens ein Oligosaccharid-Bestandteil ein C1-Kohlenstoffatom mit einer oxidierbaren Aldehyd-Gruppe enthält beziehungsweise bei dem vor der selektiven Oxidation das C1-Kohlenstoffatom mindestens eines Oligosaccharid-Bestandteils mit einer oxidierbaren Aldehyd-Funktion versehen werden kann.
One embodiment of the invention relates to the use of an oligosaccharide mixture to be oxidized as initial substrate, in which at least one oligosaccharide constituent comprises a C1 carbon atom having an oxidizable aldehyde group, or in which the C1 carbon atom of at least one oligosaccharide constituent can be provided with an oxidizable aldehyde function before the selective oxidation.
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Weiter ist es auch möglich, dass beispielsweise das Thermopapier in einer getrennten Produktionseinrichtung mittels der Druckeinrichtung 60 bedruckt wird und die so hergestellte Folienrolle dann zum Druckwerk 62 transportiert wird und als Ausgangssubstrat dem Druckwerk 62 zugeführt wird.
Furthermore, it is also possible, for example, to print on the thermal paper in a separate production unit by means of the printing unit 60 and then to transport the film roll produced in this way to the printing mechanism 62 and to feed it to the printing mechanism 62 as starting substrate.
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Das Substrat des aus mehreren Schichten bestehenden Schaltkreises umfasst ein auf einer Diamantschicht basierendes Ausgangssubstrat, mehrere Kontaktierungsschichten sowie diamantbasierte Zwischenschichten zur elektrischen Isolation.
The substrate of the circuit which consists of several layers comprises an initial substrate which is based on a diamond layer, several contacting layers and diamond-based intermediate layers for electrical insulation.
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Im Zuge der Fertigung, welche im Rahmen eines sogenannten "Wafer Level Packagings" parallel für jedes Bauelement erfolgen kann, wird bei einer möglichen Fertigungsvariante das Ausgangssubstrat mit den integrierten Bauelementen ganzflächig, das heißt über den gesamten Wafer, mit einer Bondschicht überzogen.
During the course of production, which can take place for each element in parallel as part of a “water level packaging” system, with one possible production variant, the initial substrate with the integrated devices is covered over the entire surface, i.e. over the entire wafer, with a bond layer.
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Im Folgenden ist dabei die Vorderseite der Bauelemente als die dem Ausgangssubstrat abgewendete Seite der Bauelemente definiert, während die Rückseite die gegenüberliegende, substratzugewandte Seite der Bauelemente ist.
Below, the front side of the devices is defined as the side of the devices facing away from the initial substrate, while the rear side is the opposite side of the devices which faces towards the substrate.
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Die Bondschicht 42 kann direkt oder vorzugsweise über eine Haftvermittlerschicht (nicht dargestellt) auf dem Ausgangssubstrat 20 beziehungsweise den Bauelementen 10 aufgebracht sein.
The bond layer 42 can be directly applied or is preferably applied via an adhesion promoter layer (not shown) to the initial substrate 20 or to the devices 10 .
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In diesem speziellen Ausführungsbeispiel sind die Vorderseiten der diskreten Bauelemente 10 über Wärmebrücken 46 mit der Wärmeableitschicht 44 thermisch verbunden, während die Rückseiten der diskreten Bauelemente 10 über metallische Wärmebrücken 46 mit der Wärmeableitschicht 44 durch das Ausgangssubstrat hindurch thermisch verbunden sind.
In this specific exemplary embodiment, the front sides of the discrete devices 10 are thermally connected via thermal bridges 46 with the heat removal layer 44, while the rear sides of the discrete devices 10 are connected via metallic thermal bridges 46 with the heat removal layer 44 through the initial substrate.
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Die metallischen Wärmebrücken 46 zur Vorderseite der Bauelemente sind in dem in Figur 2 gezeigten Beispiel als senkrechte Durchverbindungen (Vias), durch die Bond- und die Wärmeableitschicht 42, 44 ausgeführt, während die Wärmebrücken 46 zur Bauelemente-Rückseite zusätzlich noch durch das Ausgangssubstrat 20 führen.
The metallic thermal bridges 46 to the front side of the devices are in the example shown in FIG. 2 implemented as vertical through connections (vias) by the bond and heat removal structure 42, 44, while the thermal bridges 46 to the rear side of the devices also run through the initial substrate 20 .
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