Translation of "Anschlusswiderstand" in English

Hierbei wirkt sich die Sperrschichtkapazität zusammen mit dem Anschlusswiderstand bereits als Tiefpass aus.
In this respect, the depletion layer capacitance together with the connection resistance is already effective as a lowpass.
EuroPat v2
Außerdem verringert sich der Anschlusswiderstand und der Schichtwiderstand.
The contact resistance and the sheet resistance are additionally reduced.
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Zusätzlich ist ein geringer Anschlusswiderstand der n-Isolationsdotierung 116 anzustreben.
An additional aim is a low connection resistance in respect of the n-insulation doping 116 .
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Mit Hilfe dieser Struktur gelingt es, den Anschlusswiderstand gering zu halten.
By means of that structure it is possible to keep down the connection resistance.
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Es ist bevorzugt, den Anschlusswiderstand unterhalb 50 MOhm, höchst vorzugsweise unterhalb 1 MOhm auszubilden.
It is preferred to make the contact resistance below 50 MOhm, extremely preferably below 1 MOhm.
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Das Silizid verringert den Anschlusswiderstand, so dass Signale hoher Frequenzen verarbeitet werden können.
The silicide reduces the contact resistance, so that signals at high frequencies can be processed.
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Der so erhöhte Anschlusswiderstand des Bodenelektrodenbereiches 34a wirkt einer Entladung des Kondensators 154 entgegen.
The thus increased contact resistance of the bottom electrode region 34 a counteracts a discharging of the capacitor 154 .
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Mit Hilfe dieser Struktur gelingt es, den Anschlusswiderstand der Isolationsdotierung gering zu halten.
By means of that structure it is possible to keep down the connection resistance of the insulation doping.
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Ferner wird mit einer relativ dicken hochdotierten Kollektoranschlussschicht (buried layer) der den Anschlusswiderstand des Kollektors reduziert und der Justierung der Kollektordicke und der Dotierung, Grenzfrequenzen oberhalb 50 GHz bei relativ niedrigen Kollektorströmen erreicht.
Furthermore, limiting frequencies above 50 GHz are achieved at relatively low collector currents with a relatively thick, highly-doped collector connector layer (buried layer), which reduces the connection resistance of the collector, and the adaptation of the collector thickness and the doping.
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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde einen kleinen, scheibenförmigen NTC-Widerstand mit an lötfähigen metallischen Belegungen angelöteten Stromzuführungselementen anzugeben, dessen Anschlusswiderstand bei einer Temperaturschockbeanspruchung von 100fachem Wechsel zwischen -60°C und +300°C, vorzugsweise -30°C bis + 130°C eine Drift von weniger als 1 % aufweist und bei dem eine stabile Halterung der Keramikscheibe durch die sie tragenden Stromzuführungselemente gewährleistet ist, ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen NTC-Widerstandes anzugeben.
It is an object of the present invention to provide a small wafer-shaped NTC resistor having current lead elements soldered to solderable metal coatings on the wafer wherein the lead resistance has a drift of less than 1% given a temperature shock stress of 100 fold cycling between -60° C. and +300° C., preferably through -30° C. through +100° C. with a stable adhesion of the current lead to the ceramic wafer is maintained.
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Durch die Verwendung einer hohen Schichtdicke (beispielsweise in Form einer dicken Schicht oder einer massiven Metallplatte) kann zum einen der Anschlusswiderstand verringert werden und zum anderen ergibt sich die Möglichkeit, die Schicht als Verkapselung des Systems zu nutzen.
By the use of a high layer thickness (for example in the form of a thick layer or a massive metal plate) on the one hand the terminal resistance may be reduced and on the other hand the possibility results to use the layer as an encapsulation of the system.
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Bei der vorgeschlagenen Kontaktierungsart ist der Anschlusswiderstand somit nicht mehr durch die transparente Elektrode, sondern lediglich durch den Flächenwiderstand der Kontaktschicht (zweite Metallisierungsebene) definiert.
With the proposed type of contacting, the terminal resistance is thus no longer defined by the transparent electrode, but only by the surface resistance of the contact layer (second metalization plane).
EuroPat v2
Darüber hinaus ist zu erwähnen, dass die Anschlussteile vorzugsweise aus einem hochleitfähigen Material bestehen, um einen möglichst geringen Anschlusswiderstand zu erreichen.
In addition it should be mentioned that the connection parts are preferably composed of a highly conductive material, in order to achieve the smallest possible connection resistance.
EuroPat v2
Die erste Schichtenfolge, die vorzugsweise einen Logik-Transistor in dem Logik-Bereich eines integrierten Schaltkreises bildet, weist infolge der geringen Dicke des Seitenwandoxids einen ausreichend niederohmigen Anschlusswiderstand auf und gewährleistet eine ausreichend schnelle Logik.
On account of the low thickness of the side wall oxide, the first layer sequence, which preferably forms a logic transistor in the logic region of an integrated circuit, has a sufficiently low connection resistance and ensures a sufficiently fast logic.
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Auf diese Weise lassen sich auf einfache Art Spulen hoher Güte, Kondensatoren mit kleinem Anschlusswiderstand, Betriebsspannungsleitungen mit kleinem ohmschen Widerstand, Koaxialleitungen und andere passive Bauelemente erzeugen, wenn Leitbahnen benachbarter Leitstrukturlagen entlang ihrer gesamten Länge oder in einem längeren Abschnitt aneinandergrenzend angeordnet werden, beispielsweise in einem Abschnitt mit einer Länge, die zehn mal größer als die Breite des Abschnitts ist.
In this way, coils having a high quality factor, capacitors having a low contact resistance, operating voltage lines having a low nonreactive resistance, coaxial lines and other passive components can be produced in a simple manner if interconnects of adjacent conductive structure levels are arranged in a manner adjoining one another along their entire length or in a relatively long section, for example in a section having a length that is ten times greater than the width of the section.
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Erdungsüberprüfung: Das MGV-System gewährleistet, dass der Anschlusswiderstand des Objekts, das als Erdungsquelle identifiziert wurde, niedrig genug ist, um die elektrostatische Ladung sicher vom Tanklastzug über den Potentialausgleich bis in das Erdreich abzuleiten.
Static Ground Verification: The MGV system ensures the connection resistance of the object that is identified as the ground source to earth, is low enough to safely dissipate static charges from the truck.
ParaCrawl v7.1
Eine dünne Seitenwandoxid-Schicht ist bei einem Logik-Transistor erforderlich, um einen niederohmigen Anschlusswiderstand zu gewährleisten: Eine als Logik-Transistor dienende Schicht-Anordnung auf einem Substrat ist mit der Umgebung koppelbar, indem in den beidseitigen Grenzbereichen zwischen der lateral begrenzten Schicht-Anordnung und dem Substrat Dotieratome injiziert werden ("lightly doped drain").
A thin side wall oxide layer is necessary in a logic transistor in order to ensure a low connection resistance: a layer arrangement which serves as a logic transistor on a substrate can be coupled to the surroundings by doping atoms being injected into the boundary regions on both sides between the laterally delimited layer arrangement and the substrate (“lightly doped drain”).
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Die Leiterbahnstruktur 52 hat einen wie schematisch angedeuteten Eingangsanschluß 521 und einen Ausgangsanschluß 522, der über einen Anschlußwiderstand 523 ebenfalls an Masse liegt.
The conductor track 52 has a schematically indicated input connection 521 and an output connection 522 likewise grounded via a terminal resistance 523.
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