Translation of "Schreibzeit" in English

Als ein weiteres Löschzustandskriterium dient die jeweils erforderliche Schreibzeit und/oder Löschzeit.
The given required write time and/or erase time serves as a further erase-state criterion.
EuroPat v2
Ferner ist die EL Schreibzeit sehr teuer.
Furthermore, the EL writing time is very expensive.
EuroPat v2
Die durchschnittliche Schreibzeit (aus der Maximalzeit errechnet) beträgt 10 Stunden.
The average writing time (calculated by maximum time) is 10 hours.
ParaCrawl v7.1
Die Doppelbrechungskurven erreichen bei dieser kurzen Schreibzeit ihren Maximalwert nicht.
The double refraction curves do not reach their maximum value with this short writing time.
EuroPat v2
Die Zeiten in diesem Beispiel sind ein guter Richtwert für eine schnelle Schreibzeit.
The times in this example are a good guideline for a fast write time.
ParaCrawl v7.1
Aktualisiert Office-Filter (wird nun Duplikate vergleichen letzte Schreibzeit und entfernen älter)
Updated Office filter (will now compare duplicates last write time and remove older)
CCAligned v1
In diesem Moment…verkünde ich das Ende der Schreibzeit.
At this very moment... I announce the end of the writing time.
ParaCrawl v7.1
Die durchschnittliche Schreibzeit (aus der Minimalzeit errechnet) beträgt 7,6 Stunden.
The average writing time (calculated by minimum time) 7.6 hours.
ParaCrawl v7.1
Die Mehrheit der Lebenslauf Schreibzeit sollte zwingende Leistung Aussagen schriftlich ausgegeben werden.
The majority of your resume writing time should be spent writing compelling accomplishment statements.
ParaCrawl v7.1
Die Kurve C zeigt die minimale Schreibzeit des zweiten optischen Zustandes (dunkel).
Curve C shows the minimal writing time of the second optical state (dark).
EuroPat v2
Die Kurve D zeigt die minimale Schreibzeit des ersten optischen Zustandes (hell).
Curve D shows the minimal writing time of the first optical state (bright).
EuroPat v2
Um die 700 cm2 große Oberfläche eines 300-mm-Silizium-Wafers abzudecken, würde sich die minimale Schreibzeit auf 7·108 Sekunden, etwa 22 Jahre, verlängern.
To cover the 700 cm2 surface area of a 300 mm silicon wafer, the minimum write time would extend to 7*108 seconds, about 22 years.
WikiMatrix v1
Die großen Flächen der Gatepads 18 werden anschließend - zusammen mit Source 13 und Drain 14 - mittels Kontaktlithographie strukturiert, um ein unnötiges Anwachsen der Schreibzeit mittels Elektronenstrahlschreiber zu vermeiden.
The large areas of the gate pads 18 are subsequently, together with the source 13 and the drain 14, structured by way of contact lithography in order to avoid an unnecessary increase of the writing time by way of the electron beam writers.
EuroPat v2
Die X-Achse bezeichnet die angelegte Betriebsspannung V in Volt, die Y-Achse die minimale Schreibzeit t in Sekunden (logarithmische Skala).
The X-axis designates the applied driving voltage V in volts and the Y-axis the minimal writing time t in seconds (logarithmic scale).
EuroPat v2
Zur Bestimmung der minimalen Schreibzeit des zweiten optischen Zustandes (Kurve C) wird ein Schreibspannungsimpuls V von 8,0 Volt und 21 ms Impulsdauer angelegt.
To determine the minimal writing time of the second optical state (curve C) a writing voltage pulse of 8.0 V amplitude and 21 ms width is applied.
EuroPat v2
Die betreffende minimale Schreibzeit bei der angelegten Betriebsspannung ist dann die Zeit, die verläuft, bis 90 % der Intensität des zeiten optischen Zustandes (dunkel) erreicht ist.
The minimal writing time at the applied driving voltage is then the time required to achieve 90% of the final intensity of the second optical state (dark).
EuroPat v2
In Figur 7 ist dazu noch die Schreibspannungsimpulsdauer von 21 ms addiert, so dass eigentlich die für das Schreiben der Anzeige massgebende Zeit - die effektive Schreibzeit - auf der Y-Achse dargestellt ist.
The times indicated in FIG. 7 include the length of the 21 ms wide writing pulse, so that the actual time required to write the display--the effective writing time--is plotted along the Y-axis.
EuroPat v2
Zur Bestimmung der minimalen Schreibzeit des ersten optischen Zustandes (Kurve D) wird ein Schreibspannungspuls von 0 Volt und 100 ms Pulsdauer angelegt.
To determine the minimal writing time of the first optical state (curve D) a writing voltage pulse of 0 V amplitude and 100 ms width is applied.
EuroPat v2
Dies hat zur Folge, dass die benötigte Schreibzeit in einem Floatinggate-Feldeffekttransistor mit einer erfindungsgemäßen elektrisch isolierenden Schichtenfolge entsprechend reduziert werden kann.
The consequence of this is that the required writing time can be correspondingly reduced in a floating gate field-effect transistor with an electrically insulating layer sequence according to the invention.
EuroPat v2
Weiterhin ist es bekannt, die Schreibzeit und/oder die Löschzeit dem jeweiligen Alterungszustand des Speichers anzupassen.
It is furthermore known to adjust the write time and/or the erase time to the respective aging condition of the memory.
EuroPat v2
Auf Grund der geringeren Dicke der ersten elektrischen Isolationsschicht 601 im Vergleich zu einer homogenen Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (SiO 2) mit gleicher Isolationswirkung kann die notwendige Programmier- bzw. Löschspannung auf weniger als 8 V und die benötigte Schreibzeit auf weniger als 10 ns reduziert werden.
On account of the smaller thickness of the first electrical insulation layer 601 in comparison with a homogeneous insulation layer made of silicon dioxide (SiO 2) with the same insulation effect, the required programming or erasing voltage can be reduced to less than 8 V and the required writing time to less than 10 ns.
EuroPat v2
Die Rubrik "Schreibzeit" zeigt an, vie lange Zeit der Anwender mit dieser Übung aufgebracht hat während die Rubrik "Dauer" die Dauer der Übung ausdrückt.
The column "Time" shows the time the user has spent on the exercise whilst column "Duration" shows the exercise duration.
ParaCrawl v7.1
Die bildgebenden Verfahren zur Strukturerzeugung auf den Masken bzw. Verfahren zur Direktstrukturierung von Wafern benötigen deshalb eine immer größere Schreibzeit.
Therefore, the image-generating methods for producing structures on masks and methods for direct structuring of wafers require increasingly longer writing times.
EuroPat v2
Die Forderung der Halbleiterindustrie nach Kostensenkung durch Reduzierung der Schreibzeit bei der Highend-Maskenherstellung sowie bei der Direktbelichtung von Wafern lässt sich mit den derzeit verfügbaren Einzelstrahlschreibtechnologien nicht erfüllen.
The demand in the semiconductor industry for lowering costs by reducing writing times in high-end mask fabrication and in direct exposure of wafers cannot be met by currently available single-beam writing technologies.
EuroPat v2
Die SiO 2 -Barrieren führen aber auch zu Nachteilen, nämlich zu einer langsamen Schreibzeit in der Größenordnung von Mikrosekunden und zu einer nur geringen Haltbarkeit von nur rund einer Million Lösch- und Schreibzyklen.
However, the SiO 2 barriers also lead to disadvantages, namely to a slow writing time of the order of magnitude of microseconds and to just a low durability of only about a million erasing and writing cycles.
EuroPat v2
Eine solche Einrichtung kann auch vorteilhaft ein zeitoptimiertes Datenübertragungsverfahren realisieren, in dem die Daten von einem zum anderen Gerät blockweise übertragen werden und der Mikroprozessor bereits während der Schreibzeit eines Datenblocks in dem zu beschreibenden nichtflüchtigen Speicher, bereits den nächsten Datenblock aus dem zu lesenden nichtflüchtigen Speicher ausliest.
Such an arrangement can also provide a beneficial time-optimized data transfer process if the data is transferred from one apparatus to the other in blocks and the microprocessor, already during a writing time of a data block into its written-in non-volatile memory, is already reading the next data block from the read-out non-volatile memory.
EuroPat v2
Auf Grund der geringeren Dicke der zweiten elektrischen Isolationsschicht 408 im Vergleich zu einer homogenen Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (SiO 2) mit gleicher Isolationswirkung kann die notwendige Programmier- bzw. Löschspannung auf weniger als 8 V und die benötigte Schreibzeit auf weniger als 10 ns reduziert werden.
On account of the smaller thickness of the second electrical insulation layer 408 in comparison with a homogeneous insulation layer made of silicon dioxide (SiO 2) with the same insulation effect, the required programming or erasing voltage can be reduced to less than 8 V and the required writing time to less than 10 ns.
EuroPat v2
Dadurch kann man die Schreibzeit t auf t/2 n verringern, was für die Großflächenlithographie insbesondere für Nanostrukturen von großem Vorteil ist, beispielsweise beim direkten Schreiben von Masken oder Wafer-Belichtungen für die Produktion von integrierten Schaltungen.
As a result, the write time t can be reduced to t/2 n, which is highly advantageous for the lithography of large areas, especially for the lithographic production of nanostructures in cases where, for example, masks are to be written or wafers exposed directly for the production of integrated circuits.
EuroPat v2
Um sicherzustellen, dass die im Vergleich zu den Polymeren 1 bis 5 längere Belichtungszeit das Ergebnis nicht qualitativ verfälscht, wurden Schreib-/Löschzyklen am Polymer 6 mit nur je 100 s Schreibzeit durchgeführt.
In order to ensure that the longer illumination time compared to the polymers 1 to 5 does not qualitatively falsify the result, writing/extinction cycles were carried out on polymer 6 with in each case a writing time of only 100 sec.
EuroPat v2