Translation of "Lesespannung" in English

Die Lesespannung der Karte lag genau auf dem Niveau des Referenzbandes.
The read voltage of the card was exactly at the level of the reference band.
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Die maximale Lesespannung im HiCo-Bereich lag bei 7,5 Volt.
The maximum read voltage in the HiCo range was 7.5 volt.
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Die Hochvolt-Transistoren schalten z.B. Programmierspannungen, die höher als die Lesespannung sind.
The high-voltage transistors switch e.g. programming voltages that are higher than the read voltage.
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Diese Lesespannung sollte gegenüber der Spannung an den nicht-selektierten Wortleitungen unterschiedlich sein.
The reading voltage should be different than the voltage on the unselected word lines.
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Geringfügige Unregelmäßkeiten in der Walzenoberfläche verschlechtern daher die Pegelkonstanz der Lesespannung und können zu Pegeleinbrüchen führen.
Slight irregularities in the surfaces of the rollers therefore impair the output signal level and may result in dropouts.
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Die Lesespannung vor dem Hochladen der Wortleitung WL wird im vorliegenden Beispiel mit EPMATHMARKEREP angenommen.
Prior to charging up the word line WL, the read voltage in the present example is assumed to be
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Durch ein Anlegen einer Lesespannung von 3 V an die Controlgates wird dies überprüft.
This can be verified by applying a read voltage of 3 V to the control gates.
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Die eigentliche Lesespannung wird angelegt und der Spannungshub an der lokalen Bitleitung 10 gemessen.
The actual read voltage is applied and the voltage swing on the local bit line 10 is measured.
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Dadurch sollen Beschädigungen der Schichtoberfläche bei Schreib-/Lesebetrieb, z.B. durch Berührung des Schreib/Lesekpfes mit der Platte oder durch Herausreißen von Schichtteilen durch den Kopf an Erhebungen in der Oberfläche, besonders bei flexiblen Aufzeichnungsträgern, vermieden und möglichst geringe Schwankungen der Lesespannung erzielt werden.
As a result, damage to the coating surface during writing or reading, caused for example by the write/read head making contact with the disk or removing portions of the recording layer at particles projecting from the surface, is avoided, particularly in the case of flexible recording disks, and very small fluctuations in the read voltage are achieved.
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Für den Normalbetrieb wird im Hinblick auf Toleranzschwankungen von Fertigung, Spannungsversorgung oder Produktalterung ein Lesefenster von grösserer Breite mit einem grösseren Sicherheitsabstand gegenüber der vorgegebenen Lesespannung - wie z. B. in der Fig. 2 gezeigt - gewählt.
For normal operation, a wider reading window with a larger margin of safety against the predetermined reading voltage is chosen in view of the tolerance variations in production, the voltage supply or product aging, as shown, for instance, in FIG. 2.
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Bei Verwendung einer Programmierzeitsteuerung werden die Lesekontrollspannungen und die Schreibkontrollspannungen und die Lesespannung U GR vorteilhafterweise über einen gemeinsamen Spannungsteiler erzeugt, der die Reihenfolge der Spannungen unverändert festlegt.
If programming time control is used, the read test voltages and the write test voltages and the read voltage UGR are advantageously generated by a common voltage divider, which determines the sequence of the voltages in an unchanged manner.
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Die Breite der Lesefenster der Speichertransistoren der Zellen 20 bis 43 kann während der Funktionsüberprüfung beispielsweise über eine in der DE-OS 2 828 855 im einzelnen dargestellte Programmierzeitsteuerung verringert und kontrolliert werden, so dass während des Testens das Lesefenster nicht nur verschmälert wird, sondern die Umprogrammierung der Speicherzellen auch in der Weise kontrolliert wird, dass das Lesefenster die Lesespannung sicher einschliesst.
The width of the reading windows of the storage transistor of cells 20 to 43 can be reduced and tested during the functional testing, such as through a programming time control shown in detail in U.S. Pat. No. 4,279,024, incorporated hereinto by reference, so that during the testing, the reading window is not only made narrower but the reprogramming of the storage cells is also controlled in such a manner that the reading window reliably encloses the reading voltage.
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Darüberhinaus wird auch eine größere Lesespannung erzielt, so daß ein genügend großes Lesesignal auch bei ungünstigen Prozeßparameter-Toleranzen zur Verfügung steht.
In addition, a higher read voltage is obtained, so that a sufficiently high read signal is also available if the process parameter tolerances are unfavorable.
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Diese müssen jedoch für beide Magnetschichten nach ihrer Übertragung auf das Substrat gemäß ISO-Norm derart sein, daß bei einem Aufsprechstrom zwischen 350 und 500 % des Referentwertes die Signalamplitude der Lesespannung zwischen 80 und 130 % des Referentsignals ist.
However, after transfer of the two magnetic layers to the substrate, said read voltages for both magnetic layers must, according to the ISO standard, be such that the signal amplitude of the read voltage is from 80 to 130% of the reference signal at a recording current of from 350 to 500% of the reference value.
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Da sich bei den Magnetschichten der erfindungsgemäßen Transferfolien problemlos die erforderlichen remanenten Magnetisierungen erhalten lassen und deshalb die einzelnen Magnetschichten auch sehr dünn einstellen lassen, ergibt sich bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Transferfolien ein besonderer Vorteil dadurch, daß über den Magnetschichten harte, hochvernetzte und/oder leitende Deckschichten oder Abdeckfolien aufgebracht werden können, ohne daß die Werte für die Lesespannung nicht mehr normgerecht sind.
Since the required residual inductions can readily be obtained using the magnetic layers of the novel transfer films, and the individual magnetic layers can therefore also be made very thin, when the novel transfer films are used a particular advantage is obtained by virtue of the fact that hard, highly crosslinked and/or conductive top layers or cover sheets can be applied on top of the magnetic layers without the values for the read voltage failing to conform to the standard.
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Die so erhaltene Transferfolie wurde danach auf eine Kreditkarte nach ISO-Norm 7811 übertragen, die maximale Lesespannung der Karte lag im LoCo-Bereich, gemessen mit einem Rinasgerät, bei 8,0 Volt.
The transfer film thus obtained was transferred to a credit card according to ISO standard 7811, and the maximum read voltage of the card in the LoCo range, measured with a Rinas apparatus, was 8.0 volt.
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Die maximale Lesespannung im LoCo-Bereich lag danach bei 4,5 Volt und im HiCo-Bereich bei 9,5 Volt und damit unter bzw. über Standardwerten.
The maximum read voltage in the LoCo range was then 4.5 volt and that in the HiCo range was 9.5 volt and thus, respectively, below and above the standard values.
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Die Lesespannung U GR muß nicht in der Mitte des Lesefensters liegen, ' da die Alterung von EEPROMs aufgrund des sich entladenden programmierten Zustandes unsymmetrisch erfolgt.
The read voltage UGR must not be in the center of the reading window because the aging of EEPROMs takes place asymmetrically due to the discharging programmed state.
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Um zu einer eindeutigen Lesespannung zu gelangen, muß das Referenzpotential genau zwischen den Potentialen der Kreuzkopplungsdifferenz liegen.
In order to obtain an unambiguous reading voltage, the reference potential must be exactly between the potentials of the cross coupling difference.
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Abhängig von der Wirksamkeit eines Lese-, eines Lösch- oder Schreibsignals verbinden sie die Programmierleitungen mit der Lesespannung U LES, dem hohen Bezugspotential bzw. dem niederen Bezugspotential.
Depending on the effectiveness of a read, an erase or a write signal, they connect the programming lines to the read voltage ULES, the high reference potential or the low reference potential (ground), respectively.
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Beim Anwählen der Adresse einer i-ten Speicherzelle wird an dieser die Lesespannung U L wirksam, so daß durch deren Speichertransistor ein Source-Drain-Strom entsprechend des jeweiligen Informationsgehalts fließt.
When selecting the address of a i-st cell, the read voltage UL will become effective thereon, so that a source-drain current corresponding to the respective information content will flow through the storage transistor thereof.
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Dessen Eingang liefert die Lesespannung U L von gleicher Größe wie diejenige des Eingangs des Leseverstärkers A. Im Eingangskreis des Referenz-Leseverstärkers Ar liegt entsprechend der Erfindung die Source-Drain-Strecke des Speichertransistors Ts' einer nicht programmierten Referenzzelle Mr, die mit den Speicherzellen der Speichermatrix S identisch ist und gleichzeitig mit diesen hergestellt wird.
The input thereof supplies the read voltage UL of the same magnitude as that of the input of the read amplifier A. According to the invention, within the input circuit of the reference read amplifier Ar, there is arranged the source-drain line of the storage transistor Ts' of a nonprogrammed reference cell Mr which is identical to the storage cells of the memory matrix S, and manufactured simultaneously therewith.
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Da aber der Zwischenraum zwischen Haupt- und Hilfspol sehr schmal ist, werden somit die Windungszahl der Wicklung und folglich die Lesespannung entsprechend begrenzt.
Since, however, the space between the main and the auxiliary pole is very small, the number of turns of the winding and consequently, the read voltage, are limited accordingly.
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Darüber hinaus läßt sich bei dem Magnetkopf nach der Erfindung auf Grund der Trennung der Schreib- von der Lesespulenwicklung vorteilhaft die Windungszahl der Lese- spulenwicklung beträchtlich erhöhen und damit eine ausreichende Lesespannung erzeugen, ohne daß die Spulenherstellungstechnologie nennenswert erschwert wird.
In addition, the number of turns of the read coil winding can advantageously be increased considerably in the magnetic head according to the invention due to the separation of the write and read coil windings, and thereby, a sufficiently high read voltage can be generated without making the coil fabrication technology appreciably more difficult.
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Insbesondere soll also eine hinreichend große Lesespannung mit diesem Magnetkopf zu erzeugen sein, wobei die bei Einzel-Pol-Köpfen gegebenen Vorteile zumindest weitgehend gewährleistet sein sollen.
In particular, a sufficiently large read voltage is therefore to be generated with this magnetic head, and the advantages present in single-pole heads are to be assured at least to a large degree.
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Ein solches reduziertes Lesefenster wird durch die Wahl von Schreibkontrollspannung U GSK und Lesekontrollspannung U GLK erreicht, wobei die Kontrollspannungen im Vergleich zu den Kontrollspannungen bei großem Lesefenster U GSG und U GLG näher an der Lesespannung U GR liegend gewählt werden.
Such a reduced reading window is obtained by selecting the writing control voltage UGSK and the reading control voltage UGLK so that the control voltages are closer to the read voltage UGR when compared to the control voltages UGSG and UGLG for a large reading window.
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Die Kontrollspannungen U GSG und U GLG und die Lesespannung U GR können dann über die Transfergates 57, 62, 59 und ein weiteres, über den Zeilendecodierer der Gate-Aussteuer-Schaltung 52 zu steuerndes Transfergate 51 das Gate eines Speichertransistors 11, der ein breites Lesefenster aufweisensoll, beaufschlagen.
The control voltages UGSG and UGLG and the read voltage UGR, via the transfer gates 57, 62, and 59 and a further transfer gate 51 which can be controlled via a row decoder of the gate-driving circuit 52, can then drive the gate of a storage transistor 11 which is to have a wide reading window.
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