Translation of "Tappable" in German

At the reference potential connection 28, a reference potential VSS is tappable.
Am Bezugspotenzialanschluss 28 ist ein Bezugspotenzial VSS abgreifbar.
EuroPat v2
At a supply voltage connection 34 of the input circuit arrangement 11, a supply voltage VDD is tappable.
An einem Versorgungsspannungsanschluss 34 der Eingangsspannungsanordnung 11 ist eine Versorgungsspannung VDD abgreifbar.
EuroPat v2
Advantageously, a first of the two electrical polarities is tappable at the outer part.
Mit Vorteil ist eine erste der zwei elektrischen Polaritäten am Aussenteil abgreifbar.
EuroPat v2
The measurement current is subsequently tappable at the output side for further processing as the detection result.
Der Messstrom ist anschließend ausgangsseitig als Detektionsergebnis zur Weiterverarbeitung abgreifbar.
EuroPat v2
A battery voltage UBatt and a battery current IBatt are tappable at terminals 25 .
An den Klemmen 25 sind eine Batteriespannung UBatt und ein Batteriestrom IBatt abgreifbar.
EuroPat v2
The corresponding applies also for the control voltages tappable between any desired other taps 121 to 127.
Entsprechendes gilt auch für die zwischen beliebigen anderen Abgriffen 121 bis 127 abgreifbaren Steuerspannungen.
EuroPat v2
At the activation connection 67, an activation signal SAN is tappable, which is supplied to the activation switch 66 .
Am Aktivieranschluss 67 ist ein Aktiviersignal SAN abgreifbar, das dem Aktivierschalter 66 zugeleitet wird.
EuroPat v2
The electrons and holes that contribute to the electric current are, however, only those which are formed in a zone beneath the p-n junction, which zone is limited by the diffusion length of the charge carriers, which is of the order of approximately 50 ?m, so that charge carriers produced at a relatively great depth in the wafer especially by light in the infrared region do not contribute to the tappable electric current.
Es tragen aber nur solche Elektronen und Löcher zum elektrischen Strom bei, die in einer Zone unterhalb des pn-Überganges gebildet werden, die durch die Diffusionslänge der Ladungsträger in der Grössenordnung von etwa 50 um begrenzt wird, so dass insbesondere durch Lichtanteile im infraroten Bereich in grösserer Tiefe des Scheibchens erzeugte Ladungsträger nicht mehr zum abgreifbaren elektrischen Strom beitragen.
EuroPat v2
This voltage inversion at the base of the switching transistor T1 is effected by the inversion of the voltage tappable at the control winding W3.
Diese Spannungsumkehr an der Basis des Schalttransistors Tl wird bewirkt durch die Umkehr der an der Steuerwicklung W3 abgreifbaren Spannung.
EuroPat v2
This voltage inversion at the base of the switching transistor T1 is caused by the inversion of the voltage tappable at the control winding W3.
Diese Spannungsumkehr an der Basis des Schalttransistors Tl wird bewirkt durch die Umkehr der an der Steuerwicklung W3 abgreifbaren Spannung.
EuroPat v2
In general, this means that at least the smallest tapping voltage UXmin, in many cases however also some of the integral multiples thereof, must be tappable several times.
Im all gemeinen bedeutet dies, daß zumindest die kleinste Ab- griffss p annung U Xmin' in manchen Fällen aber auch einige der ganzzahligen Vielfachen hiervon mehrfach abgreifbar sein müssen.
EuroPat v2
Preferably, the first value, second value and third value of the supply voltage are likewise tappable via a single output of the supply circuit.
Bevorzugt sind der erste, der zweite und der dritte Wert der Versorgungsspannung ebenfalls über einen einzigen Ausgang der Versorgungsschaltung abgreifbar.
EuroPat v2
In accordance with a further embodiment of the circuit in accordance with the invention, the appropriate stage is provided with a fourth MOS transistor for tapping an intermediate voltage along the voltage multiplying circuit, with the source electrode of the fourth MOS transistor being connected to the first summing point and its gate electrode to the second summing point, and the intermediate voltage being tappable at the drain electrode of this fourth MOS transistor.
Gemäß einer weiteren erfindungsgemäßen Weiterbildung der Schaltung wird zum Abgriff einer Zwischenspannung entlang der Spannungsvervielfacherschaltung die entsprechende Stufe mit einem vierten MOS-Transistor versehen, wobei die Source-Elektrode des vierten MOS-Transistors mit dem ersten Summationspunkt und dessen Gate-Elektrode mit dem zweiten Summationspunkt verbunden ist, und die Zwischenspannung an der Drain-Elektrode dieses vierten MOS-Transistors abgreifbar ist.
EuroPat v2