Translation of "Precipitable" in German

The coloring substance of the second and/or the third ink may itself be a precipitable coloring substance.
Das Farbmittel der zweiten und/oder dritten Tinte kann gegebenenfalls selbst ein ausfällbares Farbmittel sein.
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Likewise, can a precipitable coloring substance be precipitated by various precipitation reagents contained in different inks.
Ebenso kann ein ausfällbares Farbmittel durch verschiedene, in verschiedenen Tinten enthaltene Fällungsreagenzien ausgefällt werden.
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The purpose of treating the tissue with the glycoprotein solvent is to remove precipitable normal proteins and interfering antigenic materials.
Die Behandlung der Blutprobe mit dem Glycoprotein-Lösungsmittel erfolgt zum Zweck die fällbaren Normalproteine und die interferierenden Antigenmaterialien zu entfernen.
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The invention relates to a process which allows the anti-fouling activity of scale-inhibiting polymers in industrial plants employing water containing precipitable salts to be considerably enhanced.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung von Kesselstein, mit dem die krustenverhindernde Wirkung von polymerem Kesselstein-Inhibitor in Industrieanlagen deutlich erhöht werden kann, in denen Wasser verwendet wird, welches ausfällbare Salze enthält.
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The precipitation reagent is capable of transforming the precipitable coloring substance (or its color-carrying elements) into a solution which is difficult to dissolve, or capable of causing an agglomeration of the coloring substance (or its color-carrying elements).
Das Fällungsreagenz ist in der Lage, das ausfällbare Farbmittel (bzw. dessen farbtragende Bestandteile) in eine schwerlösliche Verbindung zu überführen bzw. eine Agglomeration des Farbmittels (bzw. dessen farbtragender Bestandteile) herbeizuführen.
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In the present method, the potassium hydroxide added to the aqueous potassium chloride solution for the precipitation of the ions precipitable as hydroxides (e.g., Mg and Fe ions) may be added in part or as a whole to a side stream of the depleted brine.
Im erfindungsgemäßen Verfahren kann die für die Fällung der als Hydroxide fällbaren Ionen, z. B. Mg- und Fe-Ionen, erforderliche Menge an Kaliumhydroxid ganz oder teilweise einem Teilstrom der Dünnsole zugesetzt werden, aus welchem Kaliumsulfat abgetrennt wird.
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In addition to the fact that compounds which are not precipitable with calcium hydroxide in a neutral or alkaline medium must not be used in the preparation of the phosphating solution, care must also be taken in the practice of the invention that such substances are not used in replenishing the bath.
Ebenso wie zum Ansatz der Phopshatierungslösung keine Verbindungen verwendet werden dürfen, die nicht mit Calciumhydroxid im neutralen oder alkalischen Bereich fällbar sind, ist auch bei der Ergänzung darauf zu achten, daß keine derartigen Substanzen eingebracht werden.
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Since the phosphating bath shall be free of components not precipitable by calcium hydroxide in a neutral or alkaline medium, the chemicals used to prepare and replenish the bath must not introduce ions which would result in a formation of water-soluble salts.
Da das Phosphatierungsbad frei von solchen Komponenten sein soll, die mit Calciumhydroxid im neutralen oder alkalischen Bereich nicht fällbar sind, sind zum Ansatz und zur Ergänzung des Bades nur solche Chemikalien geeignet, durch die keine Ionen eingebracht werden, die zu wasserlöslichen Salzen führen.
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Usually, the precipitable impurities will be present in the semiconductor material as a result of the initial crystal growth process, although in some cases it may be necessary or desirable to intentionally introduce the impurities during the growth process.
Im allgemeinen sind die ausscheidbaren Verunreinigungen, die im Halbleitermaterial vorhanden sind, das Ergebnis des ersten Kristallwachstumsverfahrens, obgleich es in einigen Fällen nötig oder wünschenswert sein mag, absichtlich Verunreinigungen während des Wachstumsverfahrens einzuführen.
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In silicon semiconductor crystals produced by the Czochralski process, the precipitable impurity will normally be oxygen atoms which are derived from the quartz crucible liner which holds the molten silicon from which the crystals are drawn.
In Siliziumhalbleiterkristallen, die nach dem CZOCHRALSKI-Verfahren hergestellt werden, besteht die ausscheidbare Verunreinigung normalerweise aus Sauerstoffatomen, die aus der Quarztiegeleinlage stammen, die das geschmolzene Silizium enthält, aus dem die Kristalle gezogen werden.
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Other impurities and defects, such as nitrogen, carbon, silicon native defects and the like, may be added during the crystal growth phase if it is desired to raise the concentration of the precipitable impurities.
Andere Verunreinigungen und Fehler, wie z.B. Stickstoff, Kohlenstoff, natürliche Fehler im Silizium und dgl. können während der Kristallwachstumsphase hinzugefügt werden, wenn es wünschenswert ist, die Konzentration der ausscheidbaren Verunreinigungen zu erhöhen.
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Conveniently, the precipitable impurity will be nitrogen introduced by crystal growth in a nitrogen-containing environment to a concentration in the range from about 0.1 to 10 ppma.
Zweckmäßigerweise ist die ausscheidbare Verunreinigung Stickstoff, der durch Kristallwachstum in einer Stickstoff enthaltenden Umgebung in einer Konzentration im Bereich von ca. 0.1 bis 10 ppma eingeführt wird.
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The internal gettering sites will be clusters of the precipitable impurities, typically oxygen or nitrogen, having a critical mass or number of atoms, which is sufficiently large so that the sites will attract the impurities during the subsequent thermal processing of the wafer.
Die Innenstörstellen sind Gruppen von ausscheidbaren Verunreinigungen, typischerweise Sauerstoff oder Stickstoff, die eine kritische Masse oder Anzahl von Atomen haben, die ausreichend groß ist, so daß die Stellen die Verunreinigungen während der folgenden thermischen Bearbeitung der Scheibe anziehen.
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The precise mass will vary depending both on the nature of the semiconductor material and on the nature of the precipitable impurity.
Die genaue Masse variiert, was sowohl von der Art des Halbleitermaterials als auch der Art der ausscheidbaren Verunreinigung abhängt.
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The concentration enhancement phase of the present invention comprises annealing the wafers by heating to a temperature in the range from about 550° to 850° C., usually in the range from about 600° to 750° C., for a retention time selected to enhance the formation of precipitable clusters so that the concentration of internal gettering sites is within the desired range set forth above.
Die Konzentrationssteigerungssphase der vorliegenden Erfindung umfaßt das Tempern der Scheiben durch Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich von ca. 550 - 850°C, üblicherweise im Bereich von zwischen ca. 600 und 750°C für eine Retentionszeit, die ausgesucht wurde, um die Bildung von ausscheidbaren Anhäufungen zu vergrößern, so daß die Konzentration der Innenstörstellen innerhalb des gewünschten Bereichs, von dem obenstehend die Rede ist, liegt.
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