Translation of "Hemt" in German

The field plate structure according to the invention is therefore also useable for high-frequency applications (HEMT).
Die erfindungsgemäße Feldplattenstruktur ist daher auch für Hochfrequenzanwendungen (HEMT) verwendbar.
EuroPat v2
These kinds of HEMT make it possible to achieve high frequencies and high power densities.
Mit solchen HEMT lassen sich hohe Frequenzen und hohen Leistungsdichten erreichen.
ParaCrawl v7.1
A chip carrier according to the invention gives better results for a HEMT than a ceramic housing.
Ein Chipträger nach der Erfindung ermöglicht bessere Ergebnisse für einen HEMT als ein Keramik-Gehäuse.
EuroPat v2
Growth conditions for the respective HEMT layers were optimized and a new SiN passivation was analyzed for the barrier layer.
Die Wachstumsbedingungen der jeweiligen Schichten des HEMT wurden optimiert und eine neue SiN-Passivierung der Barriere-Schicht analysiert.
ParaCrawl v7.1
However, the present invention is not limited to the materials mentioned in the embodiment but is suitable for all semiconductor materials which permit the manufacture of an HEMT (high electron mobility transistor).
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die im Ausführungsbeispiel angegebenen Materialien beschränkt, sondern für alle Halbleitermaterialien geeignet, die die Herstellung eines HEMT (High Electron Mobility Transistors) ermöglichen.
EuroPat v2
This is followed by the etching of the recess for setting the cutoff voltage of the transistor (for example HEMT).
Es folgt das Ätzen des Recess zum Einstellen der Einsatzspannung des Transistors (z. B. HEMT).
EuroPat v2
When using "HEMT" transistors, which have a very small internal noise value, a very low-noise transmission of the high-frequency signal is achieved, despite the addition of the high-frequency preamplifiers to the switchable high-frequency amplifying arrangements.
Durch Verwendung derartiger "HEMT"-Transistoren, die ein sehr geringes Eigenrauschen aufweisen, wird trotz Hinzufügung der Hochfrequenz-Vorverstärker zu den schaltbaren Hochfrequenz-Verstärkeranordnungen eine sehr rauscharme Übertragung der Hochfrequenzsignale erreicht.
EuroPat v2
The switchable high-frequency amplifying arrangement 15, 16 respectively, preferably comprises at least a substantially identical transistor, advantageously a "HEMT" transistor, arranged in accordance with the transistor in the high-frequency preamplifier 11, 12, respectively: its gate electrode is connected to the output 21, 22 of the second switching element 13, 14, respectively its source electrode is connected to ground and its drain electrode is connected to the output 47, 48 of the switchable high-frequency amplifying arrangement 15, 16, respectively.
Die schaltbaren Hochfrequenz-Verstarkeranordnungen 15, 16 sind bevorzugt mit wenigstens nahezu identischen Transistoren, vorteilhaft "HEMT"-Transistoren, ausgeführt, die entsprechend den Transistoren in den Hochfrequenz-Vorverstärkern 11 bzw. 12 angeordnet sind: Ihr Gate-Anschluß ist mit den Ausgängen 21 bzw. 22 der zweiten Koppelglieder 13 bzw. 14, ihr Source-Anschluß ist mit Masse und ihr Drain-Anschluß ist mit dem Ausgang 47 bzw. 48 der schaltbaren Hochfrequenz-Verstarkeranordnung 15 bzw. 16 verbunden.
EuroPat v2
The high-frequency preamplifier 11, 12 respectively, is formed in the present exemplary embodiment by field effect transistors which have a high charge carrier mobility, so-called "HEMT" transistors.
Die Hochfrequenz-Vorverstärker 11 bzw. 12 werden im vorliegenden Ausführungsbeispiel durch Feldeffekttransistoren mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit gebildet, sogenannte "HEMT"-Transistoren.
EuroPat v2
The high intensity of the X-rays at SLS – which far outperforms comparable facilities – was crucially important for this acknowledge Leonid Lev and Ivan Maiboroda of the Kurchatov Institute in Russia, where the HEMT devices were fabricated: “The unique instrumentation of SLS provided us with extremely important scientific results.
Die hohe Intensität der Strahlung an der SLS – die vergleichbare Anlagen bei Weitem übertrifft – war dabei von entscheidender Bedeutung, wie Leonid Lev und Ivan Maiboroda vom Kurchatov-Institut in Russland, wo die HEMT hergestellt wurden, bestätigen: »Die einzigartige Instrumentierung der SLS hat uns extrem wichtige wissenschaftliche Ergebnisse geliefert.
ParaCrawl v7.1
Each of the fingers (=each of the plurality of field plates) of the conductive material can be connected to a different electrode (for example gate, source, drain) of the transistor (preferably HEMT, MISFET, MOSFET) or can alternatively not be connected to any electrode, in this case the field plate is called “unearthed” (floating).
Jeder der Finger (= jede der Vielzahl von Feldplatten) des leitenden Materials kann an eine unterschiedliche Elektrode des Transistors (vorzugsweise HEMT, MISFET, MOSFET) angeschlossen werden (beispielsweise Gate, Source, Drain) oder kann alternativ auch an keine Elektrode angeschlossen sein, in diesem Fall wird die Feldplatte "erdfrei" (floating) genannt.
EuroPat v2