Translation of "Ground collector" in German

In the winter, a heat pump is switched to the ground collector.
Im Winter wird dem Erdkollektor eine Wärmepumpe nachgeschaltet.
ParaCrawl v7.1

The most important findings for borehole heat exchanger and ground collector facilities will be presented below.
Im Folgenden werden die wichtigsten Erkenntnisse für die Erdsonden und Erdkollektoranlagen vorgestellt.
ParaCrawl v7.1

Both borehole heat exchanger and ground collector facilities are technically mature and achieve a high degree of efficiency under real conditions.
Sowohl Erdsonden- als auch Erdkollektoranlagen sind technisch ausgereift und erreichen unter realen Bedingungen eine hohe Effizienz.
ParaCrawl v7.1

This ground collector replaces a cooling machine.
Der Erdkollektor ersetzt eine Kältemaschine.
ParaCrawl v7.1

For the device, the manufacturer offers diverse material packages for the solar thermal and ground collector heating sources.
Für das Gerät bietet der Hersteller für die Wärmequellen Solarthermie sowie Erdkollektor vielfältige Materialpakete an.
ParaCrawl v7.1

Ground lightning protection - a device thatIt provides reliable contact with the ground collector.
Boden Blitzschutz - ein Gerät, dasEs bietet einen zuverlässigen Kontakt mit dem Boden Sammler.
ParaCrawl v7.1

In order to expand the range of output signal when large amounts of electrophilic compound are present in the detection chamber 8, means are provided for maintaining the current flowing between ground and the collector 22 at a constant value.
Um den Bereich der Ausgangssignale zu vergrößern, wenn sich in der Detektionskammer 8 große Mengen einer elektrophilen Verbindung befinden, ist eine Einrichtung vorgesehen, um den zwischen Masse und Kollektor 22 fließenden Strom auf einem konstanten Wert zu halten.
EuroPat v2

The remote control input FE of the driving circuit AS is connected to the base of a transistor T7 whose emitter is connected to ground and whose collector is connected via a resistor R7 to the base of the right-hand pre-transistor VTR.
An den Fernsteuereingang FE der Ansteuerschaltung AS ist die Basis eines Transistors T7 angeschlossen, dessen Emitter mit Masse und dessen Kollektor über einen Widerstand R7 an die Basis des rechten Vortransistors VTR angeschlossen ist.
EuroPat v2

Shutoff is effected via the shutoff stage 26, which includes a longitudinal transistor T5 with its emitter connected to ground, the collector of which is connected with the two joined emitters of the switching transistors T1 and T2 of the end stage 13.
Abgeschaltet wird über die Abschaltstufe 26, die einen Längstransistor T5 mit seinem Emitter gegen Masse umfaßt, dessen Kollektor mit den beiden zusammengefaßten Emittern der Schalttransistoren T1 und T2 der Endstufe 13 verbunden ist.
EuroPat v2

An additional filtering action is produced by a capacitor 48, connected to ground from the collector of transistor 43, in such fashion that capacitor 48, when an amplified alternating voltage appears across transistor 43 during the negative half-wave, discharges rapidly, while during the positive half-wave, it is relatively slowly charged through resistor 44.
Eine weitere Filterwirkung wird durch einen Kondensator 48, der vom Kollektor des Transistors 43 gegen Masse geschaltet ist, erreicht, und zwar in der Weise, daß der Kondensator 48 bei einer verstärkten Wechselspannung über den Transistor 43 während der negativen Halbwelle schnell entladen wird, bei der positiven Halbwelle jedoch über den Widerstand 44 relativ langsam aufgeladen wird.
EuroPat v2

The output stage is formed by a multi-emitter transistor 2, one emitter of which is connected to ground and the collector of which is connected to an output 3.
Die Endstufe wird von einem Multi-Emitter-Transistor 2 gebildet, dessen einer Emitter mit Masse und dessen Kollektor mit einem Ausgang 3 verbunden ist.
EuroPat v2

Due to the fact that the switching transistors work, according to the characteristic features of the invention not with resistors, hut with active loads, more particularly with transistors of the current control circuit, and since the emitter surface of the second transistor in the current mirror branch exceeds by a factor N each of the same emitter surfaces of the first interception transistors coupled on the collector side with a supply voltage terminal and that the emitter surface of the first transistor in the current mirror branch exceeds by a factor P each of the same emitter surfaces of the second interception transistors coupled to ground on the collector side, the temperature independence of the difference UH of the threshold voltage value can be obtained in an advantageous manner.
Dadurch, daß die Schalttransistoren entsprechend den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches nicht auf Widerstände, sondern aktive Lasten, insbesondere auf Transistoren der Stromsteuerschaltung arbeiten und die Emitterfläche des zweiten Transistors im Stromspiegelzweig um einen Faktor N größer ist als jede der gleichen Emitterflächen der kollektorseitig an der Spannungsquelle angeschlossenen ersten Abfangtransistoren, und daß die Emitterfläche des ersten Transistors im Stromspiegelzweig um einen Faktor P größer ist als jede der gleichen Emitterflächen der kollektorseitig gegen Masse geschalteten zweiten Abfangtransistoren, kann in vorteilhafter Weise eine Temperaturunabhängigkeit der Differenz U H des Schwellenspannungswertes erzeugt werden.
EuroPat v2

The channel for the signal F1 is located at the base of the transistor T1, which is connected to the supply voltage via resistor R25, the emitter of the transistor T1 is connected via a resistor R27 and a parallel capacitor C17 to ground and the collector of the transistor T1 is connected directly to the supply voltage.
Im Kanal für das Signal F1 liegt die Basis des Transistors T1 über einen Widerstand R25 an der Versorgungsspannung, während der Emitter von T1 über einen Widerstand R27 und einen parallelen Kondensator C17 auf Masse liegt und der Kollektor direkt mit der Versorgungsspannung verbunden ist.
EuroPat v2

Via a correction network KN a connection exists between the emitter of the npn transistor T2 and the terminal for ground, while the collector of T2 controls a current mirror amplifier consisting of the two pnp transistors T3 and T4.
Über ein Korrekturnetzwerk KN besteht eine Verbindung zwischen dem Emitter des npn-Transistors T2 und dem Anschluss für das Bezugspotential, während der Kollektor von T2 einen aus den beiden pnp-Transistoren T3 und T4 bestehenden Stromspiegelverstärker steuert.
EuroPat v2

Given the use of an npn transistor T, the emitter of the transistor is connected to a reference potential (ground), the collector lies at the primary winding Wp of the transformer Tr and the other end of the primary winding is connected to the supply potential +Up supplied by the rectifier circuit (which, however, is not shown on the drawings).
Im Falle der Verwendung eines npn-Transistors T liegt der Emitter dieses Transistors am Bezugspotential (Masse), der Kollektor an der Primärwicklung Wp des Transformators Tr und das andere Ende dieser Primärwicklung an dem von der genannten (aber in den Zeichnungen nicht dargestellten) Gleichrichterschaltung gelieferten Versorgungspotentiai +Up.
EuroPat v2

If you place a ground collector is not possible, then this type of pump station - the best option.
Wenn Sie einen Erdkollektor Platz nicht möglich ist, dann ist diese Art von Pumpstation - die beste Option.
ParaCrawl v7.1

On the side of the apparatus 1 facing the ground, an air collector 7 is formed in the base support 3 .
Auf der dem Boden zugewandten Seite der Vorrichtung 1 ist im Grundträger 3 ein Luftfänger 7 ausgebildet.
EuroPat v2

The control resistor is preferably made up of the collector-emitter channel or the drain-source channel of a transistor, which is referred to below as a control transistor, at whose base or gate a control voltage has been applied, so that the second oscillator capacitor is connected to the second potential, especially to the ground, via the collector-emitter channel or via the drain-source channel of the control transistor, and the frequency of the oscillator can be varied by changing the control voltage.
Bevorzugt ist der Steuerwiderstand durch die Kollektor-Emitter-Strecke bzw. die Drain-Source-Strecke eines Transistors, im folgenden als Steuertransistor bezeichnet, gebildet, an dessen Basis bzw. Gate eine Steuerspannung anliegt, so dass der zweite Oszillator-Kondensator über die Kollektor-Emitter-Strecke bzw. die Drain-Source-Strecke des Steuertransistors an das zweite Potential, insbesondere an Masse, gelegt ist, und die Frequenz des Oszillators durch Verändern der Steuerspannung veränderbar ist.
EuroPat v2

According to an alternative embodiment, the control resistor is formed by the collector-emitter channel of a transistor designated as a control transistor through whose base a control current flows, so that the second oscillator capacitor is connected to the second potential, especially to the ground, via the collector-emitter channel of the control transistor, and the frequency of the oscillator can be varied by changing the control current.
Gemäß einer alternativen Ausführungsform ist der Steuerwiderstand durch die Kollektor-Emitter-Strecke eines als Steuertransistor bezeichneten Transistors gebildet, durch dessen Basis ein Steuerstrom fließt, so dass der zweite Oszillator-Kondensator über die Kollektor-Emitter-Strecke des Steuertransistors an das zweite Potential, insbesondere an Masse, gelegt ist, und die Frequenz des Oszillators durch Verändern des Steuerstromes veränderbar ist.
EuroPat v2

Preferably, the collector-emitter channel or the drain-source channel of a transistor, which is referred to below as a control transistor, is used as the control resistor, so that the second oscillator capacitor is connected to the second potential, especially to the ground, via the collector-emitter channel or via the drain-source channel of the control transistor, whereby a control voltage is applied at the base or gate of the control transistor, and the frequency of the oscillator is varied by changing the control voltage.
Als Steuerwiderstand wird bevorzugt die Kollektor-Emitter-Strecke bzw. die Drain-Source-Strecke eines Transistors, der im folgenden als Steuertransistor bezeichnet wird, verwendet, so dass der zweite Oszillator-Kondensator über die Kollektor-Emitter-Strecke bzw. die Drain-Source-Strecke des Steuertransistors an das zweite Potential, insbesondere an Masse, gelegt ist, wobei an die Basis bzw. das Gate des Steuertransistors eine Steuerspannung angelegt wird, und die Frequenz des Oszillators durch Verändern der Steuerspannung verändert wird.
EuroPat v2