Translation of "Gigaohm" in German

This must exceed 100 kiloohm, but be less than or equal to 1 gigaohm.
Dieser muss größer als 100 Kiloohm, aber kleiner oder gleich 1 Gigaohm sein.
ParaCrawl v7.1
In addition to a milliohmmeter and a multimeter, an insulation tester has been integrated into the METRAHIT 27 H+E CAR for measurements up through the gigaohm range.
Im METRAHit H+E CAR wurde zum Milliohmmeter und Multimeter zusätz lich ein Isolationstester für Messungen bis in den GigaOhm Bereich integriert.
ParaCrawl v7.1
Upon obtaining a Gigaohm seal, a defined membrane retaining potential was applied via a pre-amplifier (CV-4 Headstage, Axon Instruments) and an amplifier (Axopatch 1 D, Axon Instr.)
Bei Erhalt eines Gigaohm-Seals wurde über einen Vorverstärker (CV-4 Headstage, Axon Instruments) und Verstärker (Axopatch 1D, Axon Instr.)
EuroPat v2
For example, high resistances in the range of hundreds of megaohms or gigaohm can be used as a measure of the electrical quality of the seal and thus the quality of the molecular layers formed, in particular of the lipid bilayers.
Hohe Widerstände z.B. im Bereich hunderter Megaohm oder Gigaohm können als Maß für die Güte der elektrischen Abdichtung und somit die Qualität der gebildeten Molekülschichten, insbesondere der Bilipdschichten, verwendet werden.
EuroPat v2
The high-voltage source, which may be embodied as a transformer in particular, is designed to form a preferably negative high voltage of at least 2 kV and less than 6 kV, in particular less than 5 kV (each measured with 1 gigaohm of the measurement device at the electrode tip).
Die Hochspannungsquelle, die insbesondere als Transformator ausgebildet sein kann, ist zur Bildung einer vorzugsweise negativen Hochspannung von mindestens 2 kV und weniger als 6 kV, insbesondere weniger als 5 kV (je gemessen mit 1 Gigaohm des Messgeräts an der Elektrodenspitze) ausgebildet.
EuroPat v2
According to another embodiment of the invention, the high-voltage source, the electrode and the electric conductor are designed so that a negative high voltage of 2.5 kV to 6 kV, measured at 1 gigaohm of the measurement device, is applied to the electrode.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Hochspannungsquelle, die Elektrode und der elektrische Leiter derart ausgebildet sind, dass an der Elektrode eine negative Hochspannung von 2,5 kV bis 6 kV, gemessen an 1 Gigaohm des Messgeräts anliegt.
EuroPat v2
Provided as input resistance is typically a resistance of 1 megaOhm (1×10 6 ohm), preferably 1 gigaOhm (1×10 9 ohm).
Als Eingangswiderstand ist typischerweise ein Widerstand ab 1 MegaOhm (1x10 6 Ohm) vorzugsweise ab 1 GigaOhm (1x10 9 Ohm)vorgesehen.
EuroPat v2
Further embodiments are characterized in that the active serial switch has a capacitance of less than 1.5 pF from the receive path to circuit ground and to the control electronics unit and/or an impedance of more than 1 gigaohm from the receive path to circuit ground and to the control electronics unit during the ion detection phase.
Weitere Ausführungsformen zeichnen sich dadurch aus, dass während der lonen-Detektionsphase der aktive serielle Schalter eine Kapazität von kleiner als 1.5 pF vom Empfangspfad gegen Schaltungsmasse und gegen die Steuerelektronik und/oder eine Impedanz von mehr als 1 Giga-Ohm vom Empfangspfad gegen Schaltungsmasse und gegen die Steuerelektronik aufweist.
EuroPat v2
Embodiments in which, for the purpose of transmitting the ion excitation voltage to the ICR cell, diode pairs are inserted having less than 0.2 pF per diode and/or parallel resistances in the range of more than 4 gigaohm per diode are also advantageous.
Vorteilhaft sind auch Ausführungsformen, bei denen für eine Übertragung der lonen-Anregungsspannung auf die ICR-Messzelle Diodenpaare eingesetzt sind, die weniger als 0.2 pF pro Diode und/oder Parallelwiderstände im Bereich von mehr als 4 Giga-Ohm pro Diode aufweisen.
EuroPat v2
After forming a gigaohm seal and establishing whole-cell mode (including several automated quality control steps), the cell membrane is clamped at the ?80 mV holding potential.
Nach Bildung eines Giga-Ohm-Seals und Herstellen des Ganzzell-Modus (einschliesslich mehrerer automatisierter Qualitätskontrollschritte) wird die Zellmembran auf das Haltepotential -80 mV geklemmt.
EuroPat v2
Particularly preferred are embodiments of the ICR cell according to the invention in which, for the protection of the preamplifier, an active serial switch, in combination with downstream one or more diode pairs and/or diode pairs having less than 0.2 pF per diode and/or diode pairs comprising parallel resistances in the range of more than 4 gigaohm per diode are inserted in the receive path.
Besonders bevorzugt sind Ausführungsformen der erfindungsgemäßen ICR-Messzelle, bei welchen zum Schutz des Vorverstärkers im Empfangspfad ein aktiver serieller Schalter in Kombination mit nachfolgend einem oder mehreren Diodenpaaren und/oder Diodenpaare mit weniger als 0.2 pF pro Diode und/oder Diodenpaare, welche Parallelwiderstände im Bereich von mehr als 4 Giga-Ohm pro Diode aufweisen, eingesetzt sind.
EuroPat v2
The duplexer is preferably composed of an, in particular optical, active serial switch with low capacitance and high resistance (C iso typically 0.8 pF and R iso greater than 1 gigaohm), against circuit ground, for example implemented by way of a PhotoMOS relay (design variant of a solid-state relay, see reference [5]).
Der Duplexer besteht vorzugsweise aus einem gegen Schaltungsmasse kapazitätsarmen und hochohmigen (C iso typisch 0.8 pF und R iso größer 1 Giga-Ohm), insbesondere optischen aktiven seriellen Schalter, zum Beispiel ausgeführt durch ein PhotoMOS-Relais (Ausführungsvariante eines Solid-State Relais, siehe Referenz [5]).
EuroPat v2
In this way, the influence of the parasitic capacitance (C iso typically 0.8 pF) and of the parasitic resistance (R iso greater than 1 gigaohm) adversely affecting the signal-to-noise ratio from the receive path to the control electronics unit or circuit ground, which usually exists for any semiconductor switch having more than two ports, is minimized.
So werden die Einflüsse der das Signal- zu Rauschverhältnis belastenden parasitären Kapazität (C iso typisch 0.8 pF) und des parasitären Widerstandes (R iso größer 1 Giga-Ohm), vom Empfangspfad zur Steuerelektronik bzw. Schaltungsmasse, wie sie sonst für jeden Halbleiterschalter mit mehr als zwei Toren bestehen, auf ein Minimum reduziert.
EuroPat v2
After formation of a GigaOhm seal and after the whole-cell mode has been established (including a plurality of automated quality control steps), the cell membrane is patched to a maintenance potential of ?80 mV.
Nach Bildung eines Giga-Ohm-Seals und Herstellen des Ganzzell-Modus (einschliesslich mehrerer automatisierter Qualitätskontrollschritte) wird die Zellmembran auf das Haltepotential -80 mV geklemmt.
EuroPat v2
On obtaining a “Gigaohm seal”, a defined membrane holding potential was applied via a pre-amplifier (CV-4 Headstage, Axon Instruments) and amplifier (Axopatch 1D, Axon Instr.)
Bei Erhalt eines "Gigaohm-Seals" wurde über einen Vorverstärker (CV-4 Headstage, Axon Instruments) und Verstärker (Axopatch 1D, Axon Instr.)
EuroPat v2
Shoes are antistatic if the measured contact resistance is in the range between 100 kiloohm (105 ohm) and 1 gigaohm (109 ohm).
Ein Schuh ist antistatisch, wenn sich der gemessene Durchgangswiderstand im Bereich zwischen 100 Kiloohm (105 Ohm) und 1 Gigaohm (109 Ohm) befindet.
ParaCrawl v7.1
Type the number of Gigaohm (G?) you want to convert in the text box, to see the results in the table.
Geben Sie die Anzahl der Gigaohm (G?) ein, die Sie in das Textfeld umwandeln möchten, um die Ergebnisse in der Tabelle anzuzeigen.
ParaCrawl v7.1
It is apparent that the resistance value of the surface resistance was able to be improved to more than 10 gigaohms, which surprisingly exceeds measured value 21 .
Sichtbar ist, dass der Widerstandswert des Oberflächenwiderstandes weiter auf mehr als 10 Gigaohm verbessert werden konnte, was überraschenderweise den Messwert 21 übertraf.
EuroPat v2