Übersetzung für "Memory b cells" in Deutsch

Memory B cells are an important part of the immunological memory formed upon vaccination.
B-Gedächtniszellen sind ein wichtiger Teil des bei einer Impfung gebildeten immunologischen Gedächtnisses.
ParaCrawl v7.1
Memory B cells turn into plasma cells, which produce wave after wave of the specific antibodies that latch onto HIV to prevent it from infecting cells, while squadrons of killer T cells seek out and destroy cells that are already HIV infected.
B-Gedächtniszellen werden zu Plasmazellen, die Schub um Schub spezifische Antikörper produzieren, die an HIV andocken, um es daran zu hindern, Zellen zu infizieren, während Geschwader von T-Killerzellen hinausgehen und Zellen zerstören, die bereits HIV-infiziert sind.
TED2020 v1
Changes in B cells (including naïve, memory and activated B cells, and plasma cells) and IgG levels occurring in patients during ongoing treatment with intravenous belimumab were followed in a long-term uncontrolled extension study.
Veränderungen der B-Zellen (einschließlich naiver B-Zellen, B-Gedächtniszellen und aktivierter BZellen sowie Plasmazellen) und der IgG-Spiegel, die bei Patienten unter fortdauernder intravenöser Belimumab-Behandlung auftraten, wurden in einer unkontrollierten Langzeit-Verlängerungsstudie nachverfolgt.
ELRC_2682 v1
After 7 and a half years of treatment (including the 72-week parent study), a substantial and sustained decrease in various B cell subsets was observed leading to 87% median reduction in naïve B cells, 67% in memory B cells, 99% in activated B cells, and 92% median reduction in plasma cells after more than 7 years of treatment.
Nach einer Behandlung von siebeneinhalb Jahren (inklusive der parentalen Studie über 72 Wochen) wurde eine erhebliche und anhaltende Abnahme verschiedener B-Zell-Subtypen beobachtet, mit einer medianen Reduktion von naiven B-Zellen um 87 %, von B-Gedächtniszellen um 67 %, von aktivierten B-Zellen um 99 % und von Plasmazellen um 92 % nach einer Behandlungsdauer über mehr als 7 Jahre.
ELRC_2682 v1
Memory B cells turn into plasma cells, which produce wave after wave of the specific antibodies that latch onto HlV to prevent it from infecting cells, while squadrons of killer T cells seek out and destroy cells that are already HlV infected.
B-Gedächtniszellen werden zu Plasmazellen, die Schub um Schub spezifische Antikörper produzieren, die an HIV andocken, um es daran zu hindern, Zellen zu infizieren, während Geschwader von T-Killerzellen hinausgehen und Zellen zerstören, die bereits HIV-infiziert sind.
QED v2.0a
With renewed antigen contact, these memory B cells can mature into plasma cells much faster to battle the antigen with antibodies within a much shorter time span.
Diese B-Gedächtniszellen können bei erneutem Antigenkontakt sehr viel schneller zur Plasmazelle reifen und innerhalb kurzer Zeit das Antigen mit Antikörpern bekämpfen.
ParaCrawl v7.1
If the additional data and the data or code are located in the same memory, then in this manner, for example at 32 bits, the information from memory cells B 1, B 2, B 3 and the additional datum memory cell Z 1 are read out at four times 8 bits, in a single transfer in the case of a 32-bit connecting line.
Wenn sich die Zusatzinformationen und die Daten bzw Code im selben Speicher befinden, wird auf diese Art, beispielsweise mit 32 Bit, die Information aus den Speicherzellen B1, B2, B3 und der Zusatzinformationsspeicherzelle Z1 ausgelesen mit vier mal 8 Bit, bei einer 32bit-Verbindungsleitung in einem einzigen Transfer.
EuroPat v2
This is unlike the adaptive immune system, which requires B-cells to come in contact with the abhorrent cells in question and become memory B-cells, ready to recognise these specific cells in the future.
Dieses ist anders als das anpassungsfähige Immunsystem, das B-Zellen erfordert, mit die verabscheuungswÃ1?4rdigen vorliegend Zellen in BerÃ1?4hrung zu kommen und Speicher B-Zellen zu werden, betriebsbereit, diese spezifischen Zellen in der Zukunft zu erkennen.
ParaCrawl v7.1
In an immune reaction (immune response), all of the system components work together: While granulocytes, macrophages, the complement system, and cytokines mediate the unspecific, innate immune reaction, the specific, acquired or adaptive immune response is tied primarily to the memory B and T cells of the lymphocytes, as well as the immunoglobulins.
Bei einer Immunreaktion (Immunantwort) wirken alle Systemkomponenten zusammen: Während Granulocyten, Makrophagen, das Komplementsystem und Cytokine eine unspezifische, angeborene Immunreaktion vermitteln, ist die spezifische, erworbene oder adaptive Immunantwort maßgeblich an die B- und T-Gedächtniszellen der Lymphocyten sowie die Immunglobuline geknüpft.
ParaCrawl v7.1
The large capacitance C B of memory cell B. however, is effective.
Die große Kapazität C B der Speicherzelle B ist dagegen wirksam.
EuroPat v2
If the two memory cells A and B generate, for example, differing voltages in the states A0 and B0 thereof, it can be established by measuring the voltage that is generated in the series circuit composed of the memory cells A and B whether memory cell A is in state A0 or whether memory cell B is in state B0.
Erzeugen die beiden Speicherzellen A und B nun beispielsweise in ihren Zuständen A0 und B0 unterschiedliche Spannungen, lässt sich durch Messung der in der Reihenschaltung aus den Speicherzellen A und B erzeugten Spannung feststellen, ob sich die Speicherzelle A im Zustand A0 befindet oder ob sich die Speicherzelle B im Zustand B0 befindet.
EuroPat v2
The trade-off for this advantage is that, after reading out a state 1, the memory cell A is switched to state A1 and the memory cell B is switched to state B0, and the information written to the cells is thereby lost.
Dieser Vorzug wird damit erkauft, dass nach dem Auslesen eines Zustandes 1 die Speicherzelle A in den Zustand A1 und die Speicherzelle B in den Zustand B0 geschaltet wird und somit die eingeschriebene Information verloren geht.
EuroPat v2
By way of example, a memory element was implemented as a stack comprising a Pt electrode, an SiO 2 layer as the active material of memory cell A, a Cu electrode as the common electrode of both memory cells A and B, a further SiO 2 layer as the active material of memory cell B, and a further Pt electrode.
Beispielhaft wurde ein Speicherelement als Stapelung aus einer Pt-Elektrode, einer Schicht SiO 2 als aktives Material der Speicherzelle A, einer Cu-Elektrode als gemeinsamer Elektrode beider Speicherzellen A und B, einer weiteren Schicht SiO 2 als aktives Material der Speicherzelle B und einer weiteren Pt-Elektrode realisiert.
EuroPat v2
In state 1, the memory cell B is in state B1, so that the high capacitance C B thereof is not effective.
Im Zustand 1 ist die Speicherzelle B im Zustand B1, so dass ihre hohe Kapazität C B nicht wirksam ist.
EuroPat v2
BACKGROUND OF THE INVENTION memory element is known from DE 10 2009 023 153, in which a memory cell A having stable states A0 and A1 is connected in series to a memory cell B having stable states B0 and B1.
Aus der DE 10 2009 023 153 ist ein Speicherelement bekannt, das eine Serienschaltung einer Speicherzelle A mit stabilen Zuständen A0 bzw. A1 und einer Speicherzelle B mit stabilen Zuständen B0 bzw. B1 aufweist.
EuroPat v2

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