Übersetzung für "Drain connection" in Deutsch
The
gate
connection
of
the
transistor
13
representing
a
load
element
is
connected
with
its
drain
connection.
Der
Gateanschluß
des
ein
Lastelement
darstellenden
Transistors
13
ist
mit
seinem
Drainanschluß
verbunden.
EuroPat v2
The
connection
523
is
also
connected
to
the
drain
connection
of
an
n-channel
MOSFET
607
.
Der
Anschluss
523
ist
außerdem
mit
dem
Drain-Anschluss
eines
n-Kanal
Mosfets
607
verbunden.
EuroPat v2
The
drain
connection
of
the
fourth
transistor
T
4
is
also
connected
to
the
supply
potential
connection
VDD.
Ferner
ist
der
Drain-Anschluss
des
vierten
Transistors
T4
an
den
Versorgungspotenzialanschluss
VDD
angeschlossen.
EuroPat v2
The
node
127
is
also
connected
to
the
drain
connection
of
a
MOSFET
122
.
Der
Knoten
127
ist
weiterhin
mit
dem
Drain-Anschluss
eines
Mosfets
122
verbunden.
EuroPat v2
The
transistor
30
has
a
drain
connection
30
a
on
its
one
side.
Der
Transistor
30
verfügt
auf
seiner
einen
Seite
über
einen
Drain-Anschluss
30a.
EuroPat v2
The
drain
connection
30
a
is
soldered
onto
the
metallic
coating
12
using
soldering
technology.
Der
Drain-Anschluss
30a
wird
mittels
Löttechnik
auf
der
metallischen
Beschichtung
12
aufgelötet.
EuroPat v2
The
drain
connection
3
of
the
MOS
FET
2
is
thus
connected
with
the
DC
motor
1
.
Der
Drainanschluß
3
des
MOS-FETs
2
ist
dabei
mit
dem
Gleichstrommotor
1
verbunden.
EuroPat v2
Resistor
84
connects
the
drain
connection
of
the
field-effect
transistor
78
to
the
reference
ground
potential.
Der
Widerstand
84
verbindet
den
Drain-Anschluß
des
Feldeffekttransistors
78
mit
dem
Bezugspotential
Masse.
EuroPat v2
In
a
particularly
advantageous
manner,
an
input
of
the
monitoring
circuit
is
connected
to
the
drain
connection
of
the
sensing
FET.
In
besonders
vorteilhafter
Weise
ist
ein
Eingang
der
Überwachungsschaltung
mit
dem
Drain-Anschluß
des
Sense-FETs
verbunden.
EuroPat v2
The
drain
connection
of
the
sensing
FET
3
is
also
connected
to
the
input
of
a
monitoring
circuit
5
.
Der
Drain-Anschluß
des
Sense-FETs
3
ist
auch
mit
dem
Eingang
einer
Überwachungsschaltung
5
verbunden.
EuroPat v2
The
DRAIN
connection
of
the
MOS-transistor
32
is
coupled
with
the
inner
GATE
connection
Gi
of
the
output-stage
element
10.
Der
DRAIN-Anschluß
des
MOS-Transistors
32
ist
mit
dem
inneren
GATE-Anschluß
Gi
des
Endstufenelements
10
verbunden.
EuroPat v2
The
drain
connection
of
field
effect
transistor
126
is
connected
to
the
input
connection
32
of
the
input
and
output
device
20
.
Der
Drainanschluss
des
Feldeffekttransistors
126
ist
mit
dem
Eingangsanschluss
32
des
Ein-
und
Ausgabegerätes
20
verbunden.
EuroPat v2
A
tap
between
the
light-emitting
diodes
108
and
109
is
connected
to
the
drain
connection
of
a
MOSFET
126
.
Ein
Abgriff
zwischen
den
Leuchtdioden
108
und
109
ist
mit
dem
Drain-Anschluss
eines
Mosfets
126
verbunden.
EuroPat v2
Furthermore,
the
output
825
of
the
diode
824
is
coupled
to
the
drain
connection
827
of
an
initializing
transistor
828
.
Weiterhin
ist
der
Ausgang
825
der
Diode
824
mit
dem
Drain-Anschluss
827
eines
Initialisierungstransistors
828
gekoppelt.
EuroPat v2
This
resistor
is
connected
on
one
side
to
the
drain
connection
of
the
NMOS
transistor
22
.
Dieser
Widerstand
ist
auf
der
einen
Seite
mit
dem
Drain-Anschluß
des
NMOS-Transistors
22
verbunden.
EuroPat v2
The
drain
connection
405
of
the
first
switching
transistor
401
is
coupled
to
a
first
output
406
.
Der
Drain-Anschluss
405
des
ersten
Schalttransistors
401
ist
mit
einem
ersten
Ausgang
406
gekoppelt.
EuroPat v2
Thereby,
the
two
field
effect
transistors
12
and
13
of
the
enhancement
type
are
connected
in
series
with
their
source-drain
segments,
whereby
the
drain
connection
of
12
is
connected
with
a
connection
14
carrying
the
supy
voltage
VDD,
whereas
the
source
connection
of
13
is
switched
with
the
grounded
potential.
Dabei
sind
zwei
Feldeffekttransistoren
12
und
13
vom
Anreicherungstyp
mit
ihren
Source-Drain-Strecken
in
Serie
geschaltet,
wobei
der
Drainanschluß
von
12
mit
einem
die
Versorgungsspannung
V
DD
führenden
Anschluß
14'
verbunden
ist,
während
der
Sourceanschluß
von
13
mit
Massepotential
beschaltet
ist.
EuroPat v2
Two
field
effect
transistors
12
and
13
are
connected
in
series
with
their
source-drain
segments,
whereby
the
drain
connection
of
12
is
connected
with
a
connection
14
carrying
the
supply
voltage
VDD,
whereas
a
source
connection
of
13
is
connected
with
ground
potential.
Es
sind
zwei
Feldeffekttransistoren
12
und
13
mit
ihren
Source-Drain-Strecken
in
Serie
geschaltet,
wobei
der
Drainanschluß
von
12
mit
einem
die
Versorgungsspannung
V
DD
führenden
Anschluß
14
verbunden
ist,
während
der
Sourceanschluß
von
13
mit
Massepotential
beschaltet
ist.
EuroPat v2
The
gate
connection
of
the
transistor
13
representing
a
load
element
is
connected
with
its
drain
connection,
insofar
as
the
transistor
13
is
of
the
enhancement
type.
Der
Gateanschluß
des
ein
Lastelement
darstellenden
Transistors
13
ist
mit
seinem
Drainanschluß
verbunden,
sofern
der
Transistor
13
vom
Anreicherungstyp
ist.
EuroPat v2
This
memory
is
characterized
in
that
the
row
lines
have
respective
right
and
left
line
sectors,
that
a
number
of
scanning
amplifiers
corresponding
to
the
number
of
row
lines
are
arranged
in
a
column
in
such
a
manner
that
each
of
the
amplifiers
connects
a
right-hand
line
sector
with
a
left-hand
line
sector,
that
the
memory
cells
each
comprise
a
field
effect
transistor
where
the
gate
is
connected
to
one
of
the
column
lines
and
the
source
or
drain
connection
to
one
of
the
row
lines,
as
well
as
a
capacitive
storage
element,
that
furthermore
several
auxiliary
cells
are
provided
one
of
which
is
respectively
connected
to
one
of
the
right
or
left
row
line
sectors,
and
that
a
common
input/output
line
is
arranged
at
one
end
of
the
row
lines,
and
connected
thereto,
the
common
line
being
such
that
it
can
be
coupled
to
several
of
the
memory
cells
for
the
scanning
amplifiers.
Dieser
Speicher
ist
dadurch
gekennzeichnet,
daß
die
Zeilenleitungen
jeweils
rechte
und
linke
Zeilenleitungsabschnitte
aufweisen,
daß
eine
der
Zahl
der
Zeilenleitungen
entsprechende
Anzahl
von
Abtastverstärkern
in
einer
Spalte
derart
angeordnet
ist,
daß
jeder
der
Verstärker
einen
rechten
Zeilenleitungsabschnitt
mit
einem
linken
Zeilenleitungsabschnitt
verbindet,
daß
die
Speicherzellen
jeweils
einen
Feldeffekttransistor,
dessen
Gate
an
einer
der
Spaltenleitungen
und
dessen
Source-
oder
Drain-Anschluß
an
einer
der
Zeilenleitungen
angeschaltet
sind,
und
ein
kapazitives
Speicherelement
aufweisen,
daß
ferner
mehrere
Hilfszellen
vorgesehen
sind,
von
denen
jeweils
eine
mit
einem
der
rechten
oder
linken
Zeilenleitungsabschnitte
verbunden
ist,
und
daß
eine
Eingangs-/Ausgangs-Sammelleitung
an
einem
Ende
der
Zeilenleitungen
angeordnet
ist
und
mit
diesem
verbunden
ist,
wobei
die
Sammelleitung
mit
einigen
der
Speicherzellen
für
die
Abtastverstärker
koppelbar
ist.
EuroPat v2