Übersetzung für "Crystal wafer" in Deutsch

The aperture body 8 is typically produced from Si or Ge (e.g. a single crystal wafer).
Der Blendenkörper 8 wird typischerweise aus Si oder Ge hergestellt (etwa einem einkristallinen Wafer).
EuroPat v2
In the production of silicon semiconductor wafers it is conveniently applied after the initial crystal slicing and wafer shaping operations.
Bei der Erzeugung von aus Silicium bestehenden Halbleiterscheiben wird es vorzugsweise nach dem Zersägen des Kristalls und nach der Formung der Halbleiterscheiben eingesetzt.
EuroPat v2
A photosensitive resist mask generated in such a manner can either be employed in subsequent etching processes for structuring the silicon dioxide layer located therebelow or such mask can be used directly as a mask for doping substances to be implanted into the silicon crystal wafer.
Die so erzeugte Fotolackmaske kann dann entweder bei nachfolgenden Ätzprozessen zur Strukturierung der darunter befindlichen Siliziumdioxidschicht dienen oder selbst direkt als Maske gegen die in die Siliziumkristallscheibe zu implantierenden Dotierstoffe eingesetzt werden.
EuroPat v2
4A, a 100-crystal oriented silicon wafer 42 is boron-doped on its front side so that at a depth of about 5 ?m the boron concentration is still about 7×1019 atoms/cm3 (layer 40).
4A wird ein Siliciumwafer 42 mit 100-Kristallorientierung an seiner Vorderseite so mit Bor dotiert, daß in einer Tiefe von ungefähr 5 µm noch eine Borkonzentration von ungefähr 7 x 10 19 A tomen/cm 3 vorhanden ist (Schicht 40).
EuroPat v2
According to FIG. 4A, a 100-crystal oriented silicon wafer 42 is boron-doped on its front side so that at a depth of about 5 ?m the boron concentration is still about 7×1019 atoms/cm3 (layer 40).
Entsprechend Fig.4A wird ein Siliciumwafer 42 mit 100-Kristallorientierung an seiner Vorderseite so mit Bor dotiert, daß in einer Tiefe von ungefähr 5 um noch eine Borkonzentration von ungefähr 7 x 10 19 Atomen/cm 3 vorhanden ist (Schicht 40).
EuroPat v2
For the substrate 1 use is made of a commercially available silicon single crystal wafer with [100] orientation, on which an about 2.5 ?m thick SiC layer 3 is deposited on all sides (FIGS. 1a, 1b).
Als Substrat 1 dient eine handelsübliche Silicium-Einkri­stallscheibe mit [100]-Orientierung, auf der allseitig ei­ne etwa 2,5 µm dicke SiC-Schicht 3 abgeschieden wird (Figuren 1a, 1b).
EuroPat v2
However, the method also proceed so that the silicon single crystal substrate 1 is first oxidized, after the SiC layer 3 has been provided, for forming the oxide layer 7, after which in the diaphragm region 5 the silicon single crystal wafer 1 with the layers provided on this substrate part (SiC layer 3 and oxide layer 7) is removed by a selective etching process.
Es kann jedoch auch so verfahren werden, daß das Silicium-Einkristallsubstrat 1 nach Anbringen der SiC-Schicht 3 zunächst zur Ausbildung der Oxidschicht 7 oxidiert wird, wonach im Membranbereich 5 die Silicium-Einkristallscheibe 1 mit den auf diesem Substratteil angebrachten Schichten (SiC-Schicht 3 und Oxidschicht 7) durch einen selektiven Ätzprozeß entfernt wird.
EuroPat v2
According to a preferred embodiment of the method in accordance with the invention, an SiC nucleation layer is formed on the silicon single crystal wafer with the action of a hydrocarbon gas.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung wird auf der Silicium-Einkristallscheibe unter Einwirkung eines Kohlenwasserstoffgases eine SiC-Keimschicht erzeugt.
EuroPat v2
SUMMARY OF THE INVENTION The invention provides a method of increasing the alloying readiness of a thin surface layer of a <100>-orientated silicon crystal wafer with respect to a contact metal, so that the entire surface can be alloyed-on at the very begining of an alloying operation and, thereby attain a uniform relatively thick alloy layer.
Die Aufgabe, die der Erfindung zugrundeliegt, besteht deshalb darin, die Legierungsfreudigkeit einer dünnen Oberflächenschicht der (100)-orientierten Siliziumkristallscheibe gegenüber dem Kontaktmetall zu erhöhen, damit die gesamte Fläche gleich zu Beginn des Legierungsvorganges anlegiert und dadurch eine gleichmässig dicke Legierungsschicht erreicht wird.
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The overall irradiation time for a <100>-orientated silicon crystal wafer approximately 7.5 cm in diameter, amounts to about 1 minute in this embodiment.
Die gesamte Bestrahlungszeit für eine etwa 7,5 cm grosse <100>- orientierte Siliziumkristallscheibe beträgt für dieses Beispiel ca. 1 Minute.
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Therefore, a crystal wafer is required with the polar axis parallel to the surface (X or Y cut).
Dazu ist eine Kristallscheibe erforderlich, bei der die polare Achse parallel zur Oberfläche liegt (X- oder Y-Schnitt).
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Therefore, a crystal wafer is required which is cut so that the coefficient of thermal expansion is equal in all directions parallel to the surface.
Dazu ist eine Kristallscheibe nötig, die so geschnitten ist, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient in allen Richtungen parallel zur Oberfläche gleich ist.
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Therefore, a crystal wafer is required whose polar axis is parallel to the surface (X or Y cut).
Dazu ist eine Kristallscheibe erforderlich, bei der die polare Achse parallel zur Oberfläche liegt (X- oder Y-Schnitt).
EuroPat v2
An insulating layer 2 is arranged on a single crystal silicon wafer 1 and a single-crystal silicon layer 3 is arranged on the insulating layer 2 (see FIG. 1).
Auf einer einkristallinen Siliziumscheibe 1 ist eine isolierende Schicht 2 und darauf eine einkristalline Siliziumschicht 3 angeordnet (siehe Figur 1).
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The IGBT is realized in an SOI substrate that has a single-crystal silicon wafer 29, an insulating layer 30 arranged thereon and a single-crystal silicon layer 31 arranged on the insulating layer 30.
Der IGBT ist in einem SOI-Substrat realisiert, das eine einkristalline Siliziumscheibe 29, eine darauf angeordnete isolierende Schicht 30 und eine darauf angeordnete einkristalline Siliziumschicht 31 umfaßt.
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The silicon crystal wafer 1 is connected to a positive pole 5 of a voltage source (not shown) via an ohmic contact 4.
Über einen ohmschen Kontakt 4 wird die Si­liziumkristallscheibe 1 mit dem positiven Pol 5 einer Spannungs­quelle (nicht abgebildet) verbunden.
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