Übersetzung für "Speicherzustand" in Englisch

Der Speicherzustand wird dann durch die folgende Tabelle wiedergegeben.
The memory state is then reproduced by the following table:
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Damit ist der Speicherzustand der SpeicherZelle festgelegt.
This determines the storage state of the storage cell.
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Bei diesem erfindungsgemäß vorgesehen Zustand handelt es sich also um einen insensitiven Speicherzustand.
Therefore, this state provided in accordance with the invention is an insensitive storage state.
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Dieser hochohmige Zustand der Speicherzelle entspricht beispielsweise einem unprogrammierten Speicherzustand.
This high-impedance state of the memory cell corresponds to an unprogrammed memory state, for example.
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Der Zustandsspeicher 20 steuert in einem ersten Speicherzustand den Schalter 18 auf, also nichtleitend.
In a first state the latch 20 controls the switch 18 to be opened, that means non-conductive.
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In einem zweiten Speicherzustand steuert der Zustandsspeicher 20 den Schalter 18 zu, also leitend.
In a second state the latch 20 controls the switch 18 to be closed, that means conductive.
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Aus einem solchen TMR-Element lassen sich Daten auslesen, ohne dass dessen Speicherzustand verändert wird.
Data can be read from such a TMR element without altering the memory state thereof.
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Dabei lassen sich die Schalter der integrierten Schaltung in Abhängigkeit von dem Speicherzustand der Speicherschaltung steuern.
The switches of the integrated circuit can thereby be controlled in accordance with the storage state of the storage circuit.
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Der Speicherzustand wird solange gehalten, bis ein weiterer Funktionszustand des Kraftfahrzeugschlosses erreicht ist.
The memory state is maintained so long as a further operational state of the motor vehicle lock is reached.
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Nunmehr wird über das Negationsglied NE das UND-Glied AN4 gesperrt, so daß der Speicherzustand nicht mehr verändert werden kann.
Now the AND gate AN4 is blocked via an inverter NE1 so that the memory state can no longer be altered.
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Das Spiel wiederholt sich sukzessive an dem jeweils folgenden Ausgangskanal V 4 bis Vp, bis die Adressen der ersten p angespielten Töne in je einem der Ausgangskanäle gespeichert ist und - solange der Speicherzustand andauert - in der bereits anhand von Fig. 2 beschriebenen Weise dafür sorgt, daß die dem gespeicherten Ton entsprechende Tonfrequenzschwingung am Tonsignalausgang AU 1 bzw. AU 2 bzw..... bzw. AUp des betreffenden Ausgangskanals V 1 bzw. V 2 bzw..... bzw. Vp an den jeweils zugeordneten Amplitudenformer AF 1 bis AFp abgegeben wird.
The cycle is repeated successively at the respectively following output channels V4 to Vp until the addresses of the first p tones played are stored in a respective one of the output channels and provision is made in the manner hereinafore described in connection with FIG. 2 that, as long as the storage state persists, the audio frequency oscillation corresponding to the stored tone is delivered at the tone signal output AU1, AU2, . . . AUp, respectively, of the corresponding output channel V1, V2, . . . Vp to the respective associated amplitude former AF1 to AFp.
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An den Bitleitungen ist dann eine Spannungsdifferenz festzustellen, die sich mit Hilfe eines angeschlossenen Differenzverstärkers verstärken lässt und ein den Speicherzustand der Speicherzelle kennzeichnendes Signal liefert.
In this case a voltage difference is detected on the bit lines which can be amplified by means of a connected differential amplifier and which supplies a signal indicating the storage state of the storage cell.
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Diese Stromdifferenz kann mit Hilfe einer Abfühlschaltung in Form eines niederohmigen Anzeigeverstärkers gemessen werden und liefert eine Aussage über den Speicherzustand der betrachteten Speicherzelle.
This current difference can be measured by means of a sense circuit in the form of a low-resistance amplifier and is indicative of the storage state of the storage cell considered.
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An den Bitleitungen ist dann eine Spannungsdifferenz festzustellen, die sich mit Hilfe eines angeschlossenen Differenzverstärkers verstärken läßt und ein den Speicherzustand der Speicherzelle kennzeichnendes Signal liefert.
In such a case, a voltage difference occurs on the bit lines, which can be amplified by means of a connected differential amplifier and which supplies a signal characterizing the storage state of the storage cell.
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Der Zustandsspeicher 20 kann durch ein externes Signal DA (disable) an einem Eingang 22 des Bausteins 10 in den ersten Speicherzustand gebracht werden.
The latch 20 can also be set to the first state by an external signal DA (disable) at an input 22 of the device 10.
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Sobald mindestens ein Datenwort in der Fifo-Speichervorrichtung 3 abgespeichert ist, erlischt das von dieser der zweiten Steuervorrichtung 6 zugeführte Flag EF über den leeren Speicherzustand der Fifo-Speichervorrichtung, wodurch die zweite Steuervorrichtung darüber informiert wird, daß in der Fifo-Speichervorrichtung 3 in die Videospeichervorrichtung 4 umspeicherbare Datenworte vorliegen.
As soon as at least one data word has been stored in the fifo storage device 3, the flag EF supplied to the second control device 6 by fifo storage device 3 and indicating the empty storage condition of the device 3 will disappear, whereby the second storage device is informed of the fact that data words which can be re-stored in the video storage device 4 are present in the fifo storage device 3.
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Ist der ausgelesene Speicherzustand eine (langsame) « 1 », ist dieser Ausgangszustand bereits vorhanden und erfordert keine weitere Einstellzeit der Ausgabeschaltung.
If the read-out memory state is a (slow) "1" this output state exists already and does not require any further setting period of the output circuit.
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In diesem Falle können nämlich keine weiteren Registerstufen des Puffers 6 in den Speicherzustand geschaltet werden, da die dann rückwärts gezählten Zählstufen nur bereits in den vorhergehenden Fokuseinstellungsmessungen gesetzte Registerstufen ansteuern, also unwirksam sind.
At that point, no further register stages of buffer 6 can be switched into the storage state, since the then incremented counting stages control only register stages that have been set in the preceding focussing measurement, i.e. that are ineffective.
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Wenn ein Impuls auf die Bitteilerleitung 40 ausgegeben wird, wird die Produktterm-Diffusionsleitung 42 mit der Erdleitung 48 über den Transistor 44 nur verbunden, wenn der Personalisierungstransistor 46 leitet, und dieser Leitzustand wird bestimmt durch den Speicherzustand, der aus den FETs 14 und 18 bestehenden Flipflop-Zelle.
When a pulse is output on the bit partitioning line 40, the product termed diffusion 42 will be connected to the ground diffusion 48 through the AND array element 44 only if the programming gate 46 is conductive and that state of conductivity is determined by the storage state of the resistive gate flip-flop cell composed of devices 14 and 18.
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Ist der ausgelesene Speicherzustand eine (langsame) "1", ist dieser Ausgangszustand bereits vorhanden und erfordert keine weitere Einstellzeit der Ausgabeschaltung.
If the read-out memory state is a (slow) "1" this output state exists already and does not require any further setting period of the output circuit.
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Um eine Speicherzelle auszulesen, wird entweder die Sense- oder die Wortleitung (im Folgenden immer die Wortleitung) mit einer Lesespannung beaufschlagt und über die Wort- oder Senseleitung das durch die den Speicherzustand wiederspiegelnde Impedanz der Speicherzelle veränderte Signal vermittels einer zugeordneten Wort- oder Senseleitungsverstärkerschaltung ausgewertet.
To read out a memory cell, a read voltage is applied either to the sense line or to the word line (always the word line in the text which follows) and via the word line or sense line the signal determined by the impedance of the memory cell which reflects the memory state is evaluated by an associated word line or sense line amplifier circuit.
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Die erfindungsgemäße Elektrodenverwaltung überwacht demnach den Verschleißzustand der verwendeten und z.B. in einem Elektrodenwechsler verfügbaren Elektroden und ordnet diesen in einem Speicherzustand Eigenschafften wie "brauchbar", "unbrauchbar" oder "deklassiert zu einer Schruppelektrode", etc. zu.
The electrode administration according to the invention therefore monitors the wear status of the used electrodes which are, for example, available in an electrode changer, and assigns to them storage status properties, such as “usable”, “unusable” or “downgraded to roughing electrode”, etc.
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Erreicht nun eine bestimmte Elektrode die maximal zulässige Anzahl von Arbeitszyklen, so wird die Elektrode von dem Verwaltungssystem entweder für die weitere Verwendung ausgeschlossen, d.h. sie erhält den Speicherzustand "unbrauchbar", oder - falls möglich - wird die Elektrode für die Verwendung für eine andere Bearbeitungsphase in eine andere Elektrodenkategorie deklassiert.
If a specific electrode now reaches the maximum permissible number of work cycles, the electrode is excluded from the administration system either from further use, i.e., it is assigned the storage status “unusable”, or if possible the electrode is downgraded to another electrode category for use in another machining phase.
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