Übersetzung für "Schichtwachstum" in Englisch

Diese Abweichungen von einer glatten Fläche beeinträchtigen nachteilhaft einkristallines Schichtwachstum auf den Perowskiten.
These deviations from a smooth surface detrimentally affect single crystal layer growth on the perovskites.
EuroPat v2
Um ein Schichtwachstum zu erreichen, wird dieser Prozess mehrfach wiederholt.
In order to achieve layer growth, that process was repeated a plurality of times.
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Grundsätzlich sind folgende Kriterien für ein defektfreies epitaktisches Schichtwachstum erforderlich:
Basically, the following criteria are required for a defect-free epitaxial layer growth:
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Bei der Atomlagenabscheidung findet dabei ein Schichtwachstum in zyklischer Weise statt.
During atomic layer deposition, layer growth takes place in a cyclic manner in this case.
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Dies hat einen positiven Einfluss auf das Schichtwachstum und die Eigenschaften der Absorberschicht.
This has a positive influence on the layer growth and the qualities of the absorber layer.
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Das Schichtwachstum und damit auch der Kristallitbildungsprozess werden nicht zusätzlich energetisch beeinflusst.
The layer growth and therewith also the process of crystallite formation are not additionally energetically influenced.
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Erfindungsgemäß wird dies erreicht durch ein terrassenartiges Schichtwachstum.
This is achieved according to the invention by a terrace-like layer growing.
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Zum anderen lässt sich durch eine Erwärmung des Substrates ein gleichmäßigeres Schichtwachstum erreichen.
On the other hand, a more uniform layer growth can be attained by heating the substrate.
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Für das Schichtwachstum ist dies aus wirtschaftlicher und technologischer Sicht nicht befriedigend.
For the layer growth this is not satisfactory from an economical and technological point of view.
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Das Schichtwachstum erfolgt vorzugsweise mit Gasphasenepitaxie oder mit Molekularstrahlepitaxie.
The layer growth is effected preferably with gas phase epitaxy or with molecular beam epitaxy.
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Durch die Form der Anoden kann das Schichtwachstum in einer gewünschten Weise beeinflußt werden.
By means of the shape of the anodes, the layer growth can be influenced in a desired manner.
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Es ist bekannt, Perowskite als Substrat bei einkristallinem Schichtwachstum oder als Material bei Hochtemperatur-Brennstoffzellen einzusetzen.
It is known to utilize perovskites as substrates for single crystal layer growth or as a material for high temperature fuel cells.
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Die Bor und Germanium-Dotierung der ersten Si-Schicht wirkt sich in vorteilhafterweise auf das nachfolgende Schichtwachstum aus.
The boron and germanium doping of the first silicon layer has a favourable effect on subsequent layer growth.
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Ferner ist ein Verfahren bekannt, bei dem der AI-Gehalt mit zunehmendem Schichtwachstum kontinuierlich abnimmt.
A method is also known in which the Al content decreases continuously with increasing layer growth.
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Hierdurch wird einem dendritischen Schichtwachstum entgegengewirkt, da die sich ausbildende Schicht sofort kompaktiert wird.
This counteracts dendritic layer growth, since the layer which forms is compacted immediately.
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Zum anderen wird mittels der energetischen Selen-Ionen ein zusätzlicher, nichtthermischer Energiebeitrag zum Schichtwachstum bereitgestellt.
On the other hand an additional, non-thermal energy contribution for layer growth is made available by the energetic selenium ions.
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Zur Ausbildung besonders starker Beschichtungen ist es zweckmäßig, mit frischer wässriger Reaktionsdispersion das Schichtwachstum weiterzuführen.
For the formation of especially thick coatings, it is expedient to continue the layer growth with fresh aqueous reaction dispersion.
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Hier kann das Schichtwachstum und die Kristallisation des SiO 2 gezielt über die Beschichtungsparameter gesteuert werden.
Here, the layer growth and the crystallization of the SiO 2 can be controlled expediently via the coating parameters.
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Ursache für das milchige Erscheinungsbild bei niedrigen Beschichtungstemperaturen ist ein Schichtwachstum in Form von ausgeprägtem Säulenwachstum.
The cause of the milky appearance with low coating temperatures is layer growth in the form of pronounced column growth.
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Durch die Untersuchungen erhalten die Forscher von diesem Schichtwachstum nun erstmals ein vollständiges Bild.
Thanks to the investigations, the researchers have for the first time obtained a complete picture of this layer growth.
ParaCrawl v7.1
Aufgrund dessen können ohne die Gefahr eines wilden Knospenwachstums hohe Stromdichten zugelassen werden, die ein schnelles Schichtwachstum bewirken.
As a result thereof, it is possible to allow high current densities, which bring about a rapid film growth, without any danger of a wild nodule growth.
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Diese extremen Anforderungen machen es notwendig, das Schichtwachstum praktisch von der ersten Monolage an zu verfolgen und gegebenenfalls auch zu steuern.
Such extremely high property requirements make it necessary to follow and, if necessary, control layer growth, practically beginning with a first mono-atomic layer.
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Bei hohen Strömungsgeschwindigkeiten ist ein gleichmäßigeres Schichtwachstum bei hohen Stromdichten erreichbar, insbesondere wenn die Elektrolyttemperaturen relativ niedrig liegen, worauf noch weiter unten eingegangen wird.
At high flow rates, a more uniform coating growth is attainable at high current densities, particularly when the electrolyte temperatures are relatively low, which will be discussed in more detail below.
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Es zeigt sich, daß bei Temperaturen im Bereich von etwa 30 bis 40° C, insbesondere von etwa 35° C, eine geringere Rauhigkeit der aufgebrachten Schicht, eine bessere Stromausbeute und ein schnelleres Schichtwachstum erzielt werden können.
It turns out that at temperatures ranging from approximately 30° to 40° C., more especially of approximately 35° C., it is possible to attain a reduced roughness of the deposited coating, a better current efficiency and a faster coating growth.
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In diesem Zusammenhang spielt bereits die Möglichkeit einer Reduzierung des Substratpotentials von den in herkömmlichen Vorrichtungen meist angewandten -200 V auf die in der erfindungsgemäßen Vorrichtung möglichen -50 V Substratpotential bei hoher Stromdichte eine entscheidende Rolle, da diese Maßnahme die thermische Belastung der Substrate drastisch vermindert, dennoch aber die Gesamtanordnung ideale Voraussetzungen für das Schichtwachstum ermöglicht.
In this connection, an essential possibility is reducing, at a high current density, the substrate potential from the -200 V largely used in conventional devices to a possible -50 V in accordance with the invention. This step drastically reduces the thermal stress of the substrates. Yet, the arrangement as a whole still permits ideal conditions for the growth of the layers.
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Durch eine sich am Substrat gegenüber dem Plasma einstellende negative "Selfbias"-Spannung werden die ionisierten positiven Materialteilchen gegen das Substrat beschleunigt, was zu einem besseren Schichtwachstum beiträgt.
The ionized, positive particles of material are accelerated against the substrate by means of a "self-bias" voltage produced on the substrate which is negative compared to the plasma, and this contributes to improved layer growth.
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Selbst wenn diese Partikel nicht mit den Substraten in Berührung kommen, wirkt sich dieser Vorgang doch negativ auf das Schichtwachstum bzw. die Schichthomogenität auf dem Substrat aus.
Even if these particles do not come in contact with the substrates, however, this process has a negative effect on the growth and homogeneity of the layer deposited on the substrate.
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Auf der freiliegenden Oberfläche des Substrats (1) wird die elektrisch leitende Spitze (7) durch eine selektive Epitaxie erzeugt, bei der das Schichtwachstum in Richtung parallel zur Oberfläche des Substrats (1) geringer ist als in der Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats (1).
The electrically conductive tip is produced by a selective epitaxy on the exposed surface of the substrate such that the layer growth in the direction parallel to the surface of the substrate is lower than in the direction perpendicular to the surface of the substrate.
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Die an der Ringelektrode eingekoppelte RF-Leistung wird so eingestellt, daß das Schichtwachstum auf den freiliegenden Oberflächen der unteren Schicht im wesentlichen dem Ätzangriff des Ätzprozesses an diesen Oberflächen entspricht.
The RF power supplied at the ring electrode is set such that the layer growth on the exposed surfaces of the lower layer essentially corresponds to the etching attack of the etching process at these surfaces.
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