Übersetzung für "Leistungstrennschalter" in Englisch

Im Normalfall fließt der Phasenstrom über den niederohmigen Leistungstrennschalter.
In normal operation, the phase current flows through the low-ohmic circuit breaker.
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In der Energieübertragungstechnik wurde diese Problematik bisher typischerweise durch Verwendung mechanischer Leistungstrennschalter gelöst.
In power transmission technology, this problem has hitherto typically been solved by the use of mechanical power circuit breakers.
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Insbesondere lässt sich der vorgeschlagene Halbleiterschalter nicht nur als Leistungstrennschalter sondern auch für andere Schaltanwendungen einsetzen.
In particular, the suggested semiconductor switch may be used not only as a circuit breaker, but also for other switching applications.
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Halbleiterschalter werden als Leistungstrennschalter beispielsweise zur Begrenzung und Abschaltung eines Überstromes in einem elektrischen Netzwerk genutzt.
Semiconductor switches are used as circuit breakers in order to limit and switch off an overcurrent in an electrical grid for example.
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Ein grundsätzliches Problem der vorangehend erläuterten Lösungsansätze stellt der komplexe Aufbau der Leistungstrennschalter dar.
One fundamental problem in all of the solution approaches outlined in the preceding text is the complex construction of the circuit breakers.
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Eine weitere Möglichkeit zur Lösung der obigen Problematik stellt die Verwendung halbleiterbasierter Leistungstrennschalter dar.
Another option for solving the problems outlined above is offered by the use of semiconductor-based circuit breakers.
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Figur 7 zeigt den vorgeschlagenen Leistungstrennschalter 1 als Schutzorgan bei Überströmen (z.B. Lastkurzschluss) in einer Netzwerkanwendung (Gleich- oder Wechselspannung).
FIG. 7 shows the suggested circuit breaker 1 as a protection element against overcurrents (e.g. load short circuit) in a grid application (DC or AC).
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Die in Figur 8 dargestellte Konfiguration mit dem vorgeschlagenen Leistungstrennschalter 1 trägt der Notwendigkeit eines mechanischen Lasttrennschalters in elektrischen Energieübertragungsstrecken Rechnung.
The configuration with the suggested circuit breaker 1 represented in FIG. 8 addresses the need for a mechanical circuit breaker in electrical power distribution lines.
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Die vorliegende Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Halbleiterschalter, insbesondere einen Leistungstrennschalter, mit einem ersten und einem zweiten monolithisch integrierten Feldeffekttransistor, wobei eine Source- oder Emitter-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einer Source- oder Emitter-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors kurzgeschlossen ist, eine Drain- oder Kollektor-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einem ersten Spannungsanschluss und eine Drain- oder Kollektor-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors mit einem zweiten Spannungsanschluss des Halbleiterschalters verbunden sind.
Technical Area The present invention relates to a monolithically integrated semiconductor switch, particularly a circuit breaker, having a first and a second monolithically integrated field effect transistor, wherein a source or emitter electrode of the first field effect transistor is short circuited to a source or emitter electrode of the second field effect transistor, a drain or collector electrode of the first field effect transistor is connected to a first terminal, and a drain or collector electrode of the second field effect transistor is connected to a second terminal of the semiconductor switch.
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Diese Leistungstrennschalter werden zum Ein- und Ausschalten von Betriebsströmen sowie zum Abschalten von Kurzschlussströmen im Fehlerfall eingesetzt.
Such circuit breakers are used to switch operating currents on and off and to switch short circuit currents off in the event of a fault.
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Im Kurzschlussfall muss der Leistungstrennschalter den Strompfad möglichst abrupt und sicher abschalten, damit nachfolgende Betriebsmittel nicht geschädigt oder zerstört werden.
In the case of short circuits, the circuit breaker must interrupt the current path as quickly and safely as possible, so that downstream operating resources are not damaged or destroyed.
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Durch entsprechende Wahl der Dicke und Dotierung des Driftgebietes lassen sich monolithisch integrierte Leistungstrennschalter mit Sperrfestigkeiten von bis zu 10kV (Silicium) bzw. 200kV (Siliciumkarbid) realisieren.
Monolithically integrated circuit breakers with blocking strengths up to 10 kV (silicon) or 200 kV (silicon carbide) can be achieved by appropriate selection of the thickness and doping of the drift region.
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Durch den Einsatz von Siliciumkarbid ergibt sich zudem die Möglichkeit, Halbleiterbauelemente bzw. einen darauf basierenden Leistungstrennschalter für den Betrieb bei hohen Sperrspannungen zu realisieren, so dass auch Anwendungen in der Mittelspannungsebene (10kV bzw. 20kV) und in der HGÜ-Technik (HGÜ: Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung) für dessen Einsatz in Frage kommen.
When silicon carbide is used, it is further possible to produce semiconductor elements or a circuit breaker based thereon for operation with very high reverse voltages, so that their use can also be considered in applications at the medium voltage level (10 kV or 20 kV) and in the High-Voltage Direct Current (HVDC) transmission field.
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Grundsätzlich besteht ein derartiger Leistungstrennschalter aus mehreren parallel oder in Serie geschalteten Einzelbauelementen, insbesondere Thyristoren, GTOs und IGBTs.
In general, such a circuit breaker consists of a plurality of individual elements connected in parallel or in series, particularly thyristors, GTOs and IGBTs.
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Schließlich zeigt Figur 4 noch eine weitere Variationsmöglichkeit der eingesetzten Feldeffekttransistoren beim vorgeschlagenen Leistungstrennschalter in einem Ersatzschaltbild.
Finally, FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of still another possible variation of the field effect transistors used in the suggested circuit breaker.
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Darüber hinaus lässt sich der vorgeschlagene Leistungstrennschalter auch in einer Verschaltung realisieren, wie sie in Figur 5 beispielhaft im Ersatzschaltbild dargestellt ist.
The suggested circuit breaker may also be realised with a circuit arrangement as illustrated for exemplary purposes in the equivalent circuit diagram of FIG. 5 .
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Eine derartige Beeinflussung ist mit dem Leistungstrennschalter des letztgenannten Standes der Technik nicht möglich, da dort die Gatepotentiale der JFETs ausschließlich über Halbleitergebiete angesteuert werden.
This kind of influence is not possible with the circuit breaker of the last mentioned prior art, since in that case the gate potentials of the JFETs are only influenced via semiconductor regions.
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Da Leistungstrennschalter in dieser Anwendung überwiegend im Ein-Zustand betrieben werden, können Schaltverluste und Sperreigenschaften in erster Näherung unberücksichtigt bleiben.
Since circuit breakers in this application are mostly operated in the on-state, switching losses and barrier properties may not be taken into account in a first approximation.
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Dabei handelt es sich um eine Parallelschaltung aus einem Bypass und dem aus Leistungshalbleitern aufgebauten elektrischen Leistungstrennschalter, der den Hauptschalter bildet.
This is a parallel circuit consisting of a bypass and the electrical circuit breaker based on power semiconductors to form the main switch.
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Durch die monolithische Integration lässt sich der vorgeschlagene Halbleiterschalter, der im Folgenden aufgrund seiner bevorzugten Anwendung als Leistungstrennschalter bezeichnet wird, platzsparend realisieren.
The monolithic integration enables a compact design of the suggested semiconductor switch—referred to in the following as “circuit breaker” based on its preferred use.
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Der Stromfluss über diesen Leistungstrennschalter kann bei Überschreiten einer bestimmten Anoden-Spannung oder dem Überschreiten eines bestimmten Anoden-Stromes automatisch abgeschaltet werden.
The flow of current through this circuit breaker may be switched off automatically if the anode voltage or anode current rises above a given value for each.
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Mit dem vorgeschlagenen Leistungstrennschalter wird somit die maximale Sperrfestigkeit nicht mehr durch die maximale an die Gate-Elektrode anlegbare Spannung, sondern durch die Dimensionierung des Driftgebietes bestimmt.
In this way, with the suggested circuit breaker the maximum blocking strength is no longer determined by the maximum voltage that can be applied to the gate electrode, but rather by the dimensioning of the drift region.
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Der vorgeschlagene monolithisch integrierte Halbleiter- bzw. Leistungstrennschalter mit regenerativem Abschaltverhalten lässt sich insbesondere zur Sicherung elektrischer Netze und Anlagen einsetzen.
The suggested monolithically integrated semiconductor switch or circuit breaker with regenerative turn-off behaviour is particularly suitable for use in safeguarding electrical grids and systems.
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Die vorliegende Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Halbleiterschalter, insbesondere einen Leistungstrennschalter, mit einem monolithisch integrierten Feldeffekttransistor, bei dem ein Source- oder Emitter-Gebiet des Feldeffekttransistors mit einem ersten elektrischen Anschluss und ein Drain- oder Kollektor-Gebiet des Feldeffekttransistors mit einem zweiten elektrischen Anschluss des Halbleiterschalters elektrisch verbunden sind.
The present invention relates to a monolithically integrated semiconductor switch, in particular a power circuit breaker, with a monolithically integrated field effect transistor, in which a source or emitter region of the field effect transistor is electrically connected with a first electrical terminal, and a drain or collector region of the field effect transistor is electrically connected with a second electrical terminal of the semiconductor switch.
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