Übersetzung für "Kristallfehler" in Englisch

Wie in anderen kristallinen Strukturen können auch in Superlegierungsmaterialien Kristallfehler auftreten.
As in other crystalline structures, crystal defects may occur in superalloy material.
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Unter Seitenwanddefekten versteht man Kristallfehler, die entlang der Kanten der aktiven Epitaxieschicht entstehen.
Sidewall defects are crystal faults that arise along the edges of the active epitaxial layer.
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Es bilden sich daher Kristallfehler in der Epitaxieschicht aus (z.B. durch Stapelfehler).
As a result, crystal faults form in the epitaxy layer (for instance due to stacking faults).
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Es hat sich nun gezeigt, daß in dem Überlappungsbereich keine Kristallfehler entstehen, wenn die Arsen- und Borkonzentration in den Halbleiterzonen innerhalb der erwähnten Grenzen gehalten wird.
It has been discovered that if the concentration of the arsenic and boron in the respective regions is maintained within the aforementioned ranges, no crystallographic faults will be formed in the overlapped region.
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Ein wesentlicher Vorteil des' erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Subisolationszonen und die Subkollektorzone mit geringeren Toleranzen in der Abmessung herstellbar sind und sogar überlappen dürfen, ohne daß Kristallfehler zu erwarten wären.
A major advantage of this process is that the isolation and subcollector diffusions can be designed to smaller tolerances and overlapped if desired without the risk of the formation of crystallographic defects.
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Bei der Warmumformung der Stähle tritt die durch die Vervielfältigung der Kristallfehler (Versetzungen, Gitterfehler,...) hervorgerufene Verfestigung ziemlich schnell in Wettkampf mit einem ersten Erweichungsvorgang, der dynamischen Erholung.
During hot working of steels, the hardening resulting from multiplication of lattice defects (dislocations, stacking faults, etc..) fairly rapidly finds itself in competition with an initial mechanical softening mechanism, i.e. dynamic recovery.
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Neben kleinsten Partikeln können mit solchen Einrichtungen Kristallfehler, metallische Verunreinigungen, Polierfehler, Kratzer, Implantationsinhomogenitäten und andere Effekte an Wafern visualisiert werden.
Apart from the smallest particles, crystal defects, metallic impurities, polishing faults, scratches, implant inhomogeneities and other effects on wafers can be made visible with such devices.
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Neben kleinsten Partikeln können mit solchen Einrichtungen Kristallfehler, metallische Verunreinigungen, Polierfehler, Kratzer, Implantationsinhomogenitäten und andere Effekte an Wafern und Substraten visualisiert werden.
It is sufficient to say that apart from the smallest particles, crystal defects, metallic impurities, polishing faults, scratches, implant inhomogeneities and other effects on wafers and substrates can be made visible with such means.
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Neben kleinsten Partikeln können mit solchen Einrichtungen Kristallfehler, metallische Verunreinigungen, Polierfehler, Kratzer, Implantationsinhomogenitäten und andere Effekte auf Wafern visualisiert werden.
Apart from the smallest particles, it is also possible to reveal crystal defects, metallic impurities, polishing faults, scratches, implant inhomogeneities and other effects on wafers with such devices.
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Weiters gilt, daß alle zusätzlichen Störspannungs­quellen, wie atomare Störstellen oder Kristallfehler im Silizium, auf niedrigem Niveau gehalten werden müssen.
Furthermore, it will be understood that any additional extraneous sources of stress, such as atomic impurities or crystalline defects in the silicon, must be maintained at low levels.
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Durch die Anwesenheit des Alkalichlorids beim Tempern wird ein Versintern der kubischen Ferritoktaeder verhindert, so dass die erhaltenen Pulver für eine Weiterverarbeitung nicht erst aufgemahlen werden müssen, wodurch Kristallfehler und ein breites Teilchengrössenspektrum eingeführt würden.
The presence of the alkali metal chloride during heating prevents the octahedra of the cubic ferrite from sintering, so that the powder obtained need not be milled before further processing, and the creation of crystal defects and a broad particle size spectrum is thereby avoided.
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Durch die Anwesenheit des Kochsalzes beim Tempern wird ein Versintern der hexagonalen Ferritplättchen verhindert, so daß die erhaltenen Pulver für eine Weiterverarbeitung nicht erst aufgemahlen werden müssen, wodurch Kristallfehler entstehen, die Koerzitivfeldstärke und Schaltfeldverteilung verschlechtern.
The presence of the sodium chloride during heating prevents the hexagonal ferrite flakes from sintering, so that the powder obtained need not be milled before further processing, this milling creating crystal defects and having an adverse effect on the coercive force and field strength distribution.
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Nach der Erfindung wird durch eine dünne Diffusionssperre aus Siliziumnitrid, die im gewünschten Temperaturbereich noch keine Kristallfehler erzeugt, die Oxidationsmitteldiffusion unterbunden.
The diffusion of oxidizing agent is suppressed according to the invention by means of a thin diffusion barrier of silicon nitride which also produces no crystal faults in the desired temperature range.
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In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Silberhalogenidkörner regulär in dem Sinne, daß sie keine Kristallfehler durch Zwillingsbildung aufweisen.
In one preferred embodiment, the silver halide grains are regular in the sense that they do not contain crystal defects through twinning.
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Die effektive Ladungsträger-Lebensdauer von kristallinem Silicium wird durch Kristallfehler (Versetzungen oder Fehlstellen), durch Kristallverunreinigungen (u.a. Metallatome) und durch die Beschaffenheit der Kristalloberfläche (z.B. freie Bindungen) begrenzt.
The effective charge carrier life of crystalline silicon is limited by crystal defects (offsets or flaws), by crystal impurities (including metal atoms), and by the quality of the crystal surface (e.g. dangling bonds).
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Dabei ist auch bekannt, dass sich die Absorption aus materialspezifischen (intrinsischen) Anteilen und solchen Anteilen zusammensetzt, die durch sog. nichtintrinsische Anteile, wie z.B. Einschlüsse, Verunreinigungen und/oder Kristallfehler hervorgerufen werden.
It is also known that the absorption comprises material-specific (intrinsic) parts and so-called non-intrinsic parts, which result from inclusions, impurities and/or crystal defects.
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Durch die somit eingebrachte Feuchte wird der Wasserbedarf des Beta-Gipses befriedigt, sodass im Zusammenwirken mit der hohen Temperatur und dem Überdruck Kristallfehler geheilt werden, bis sich schließlich bei einer Verweilzeit von höchstens 30 Minuten aus der Beta-Kristallstruktur die - in Bezug auf ihre mechanischen Eigenschaften vorteilhafte - Alpha-Kristallstruktur ergibt.
The moisture thus introduced satisfies the water demand of the beta plaster, so that, in the interaction with the high temperature and the overpressure, crystal defects are healed, until finally, after a dwell time of at most 30 minutes, the alpha crystal structure, advantageous in terms of its mechanical properties, is obtained from the beta crystal structure.
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Aufgrund der vielen Defekte und Korngrenzen und dem geringen Abstand dieser Kristallfehler werden die Materialeigenschaften der abgeschiedenen Schichten derart verändert, dass der Seebeck-Koeffizient sogar über den Wert eines Einkristalls steigt.
Because of the many defects and grain boundaries and the short distance between these crystal defects, the material properties of the deposited layers are changed in such a way that the Seebeck coefficient is increased to a value greater than that of a single crystal.
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Solche Kristallfehler gehen in der Regel von Fremdatomen, d. h. von Verunreinigungen aus, welche in das Kristallgitter eingebaut sind und somit dessen Homogenität stören.
These crystal defects usually comprise foreign atoms, i.e. impurities, which are incorporated into the crystal lattice and thus interfere or perturb the uniformity of the optical properties of the crystal.
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Würde nämlich zumindest ein Teil des Epitaxiewachstum auf dem Silizium zwischen den Gitterstegen während der Umlagerung beginnen, so könnten dadurch Kristallfehler entstehen, die sich in der Membranschicht weiterpflanzen würden, bspw. als Stapelfehler.
For if at least a portion of the epitaxial growth were to begin on the silicon between the lattice webs during the relocation, this might cause crystal faults, which would propagate in the membrane layer, for example as stack faults.
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Ein typischer Kristallfehler sind Korngrenzen, d.h. Grenzen zwischen verschiedenen Materialbereichen, die zwar dieselbe kristalline Struktur, jedoch eine verschiedene kristallographische Orientierung aufweisen.
A typical crystal defect is that of grain boundaries, i.e. boundaries between different regions of material which, though they have the same crystalline structure, have a different crystallographic orientation.
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Durch die Implantation der Sauerstoff-Ionen werden jedoch Kristallfehler ("Damage") in der dünnen Siliciumschicht erzeugt, die sich bei einer nachfolgenden Herstellung von elektronischen Bauelementen auf der SOI-Scheibe nachteilig auswirken.
However, the implantation of the oxygen ions produces crystal defects (damage) in the thin layer of silicon, and this damage has adverse effects on the SOI wafer during subsequent fabrication of electronic components.
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Durch ein Aufwachsen der ersten Epitaxieschicht auf das Stabilisierungselement kann vorteilhafterweise die Membran stabiler hergestellt werden, da zum einen das Stabilisierungselement die erste Epitaxieschicht stützt und zum anderen ein einheitliches Aufwachsen der ersten Epitaxieschicht auf dem Stabilisierungselement ohne Kristallfehler möglich ist.
By growing the first epitaxy layer on the stabilizing element, the produced membrane advantageously has greater stability since, first of all, the stabilizing element supports the first epitaxy layer and, secondly, a uniform growing of the first epitaxy layer on the stabilizing element is possible without crystal faults.
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Diese Widerstände können durch Kristallfehler in der Epitaxieschicht während der Lebensdauer des Sensors degradieren und zu einer Drift des Sensorsignals führen.
Crystal faults in the epitaxy layer may degrade these resistors over the service life of the sensor and result in drift of the sensor signal.
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Vor dem Wachstum der zweiten Epitaxieschicht kann auch noch bei der höheren Temperatur eine weitere Temperung erfolgen, um mögliche Kristallfehler in der verschlossenen Startschicht auszuheilen.
Prior to the growing of the second epitaxy layer, further annealing at the higher temperature may also be carried out in order to heal any possible crystal faults in the sealed starting layer.
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