Übersetzung für "Kohlenstofftetrafluorid" in Englisch

Im vorliegenden Fall wurde Kohlenstofftetrafluorid (CF 4) eingesetzt.
In the present case, carbon tetrafluoride (CF4) was used.
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Hierher gehören z.B. 1,1­Difluoräthan, Kohlenstofftetrafluorid (Tetrafluormethan), Tetrafluor­äthylen, Trifluoräthylen und Trifluormethan.
Fluorides This subheading includes the following compounds: carbon tetrafluoride (tetrafluoromethane), 1,1­difluoroethane, tetrafluoroethylene,. trifluoro­ethylene, trifluoromethane.
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Kohlenstoffverbindungen reagieren im wesentlichen unter Bildung von Kohlenstofftetrafluorid, wenn es sich um Kohlenwasserstoffverbindungen handelt.
Carbon compounds which are hydrocarbons essentially react to form carbon tetrafluoride.
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Eine bevorzugte Mischung mit einem optimalen Ätzratenverhältnis zwischen Siliciumdioxid und Silicium oder Siliciumnitrid enthält 10 Vol.% Kohlenstofftetrafluorid und 90 Vol.% Sauerstoff, wodurch ein Ätzratenverhältnis von Oxid zu Silicium von etwa 5:1 und von Oxid zu Nitrid von etwa 3:1 erhalten wird.
The preferred mixture to maximize the etch rate ratio between silicon dioxide and silicon and silicon nitride is about 10 percent by volume CF4 and about 90 percent by volume O2 which gives an etch rate ratio of oxide to silicon of about 5 to 1 and of oxide to nitride of about 3 to 1.
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Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen eine Mischung aus etwa 10 Vol.% Kohlenstofftetrafluorid und etwa 90 Vol.% Sauerstoff mit einem Gesamtdruck von etwa 1 Torr angewendet wird.
The process of claim 1 wherein the mixture comprises about 10 percent by volume CF4 and about 90 percent by volume O2 and the total pressure is about 1 torr.
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Das erfindungsgemäße Verfahren weist den Vorteil auf, daß bei seiner Durchführung aus den Verunreinigungen Reaktionsprodukte mit sehr niedrigem Siedepunkt (Sauerstoff, Kohlenstofftetrafluorid), Metallfluorokomplexe mit einem bei der Siedetemperatur von Fluorwasserstoff nicht nachweisbaren Dampfdruck sowie HF entstehen.
The process according to the invention has the advantage that its impurities form reaction products which have very low boiling points (e.g. oxygen, carbon tetrafluoride), metal fluoro complexes having a vapor pressures which are not detectable at the boiling point of hydrogen fluoride, as well as HF when the process is carried out.
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Eine Mischung mit einem Gesamtdruck von etwa 1 Torr, die nur etwa 5 Vol.% (0,05 Torr Partialdruck) von Kohlenstofftetrafluorid in Sauerstoff enthält, ist nicht geeignet, Silicium oder Siliciumdioxid meßbar zu ätzen.
A mixture at a total pressure of about 1 torr containing only 5 percent by volume (0.05 torr partial pressure) of CF4 in oxygen is not found to measurably etch silicon or silicon dioxide.
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Eine Mischung mit einem Gesamtdruck von etwa 1 Torr, die etwa 15 Vol.% (0,15 Torr Partialdruck) Kohlenstofftetrafluorid enthält, ätzt Siliciumdioxid nur etwa 1,6 mal schneller als Silicium.
A mixture at a total pressure of about 1 torr containing 15 percent by volume (0.15 torr partial pressure) of CF4 was found to etch silicon oxide only about 1.6 times faster than silicon.
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Eine bevorzugte Mischung mit einem optimalen Ätzratenverhältnis zwischen Siliciumdioxid und Silicium und Siliciumnitrid enthält etwa 10 Vol.% Kohlenstofftetrafluorid und etwa 90 Vol.% Sauerstoff, wodurch ein Ätzratenverhältnis von Oxid zu Silicium von etwa 5: 1 und von Oxid zu Nitrid von etwa 3: 1 erhalten wird.
The preferred mixture to maximize the etch rate ratio between silicon dioxide and silicon and silicon nitride is about 10 percent by volume CF4 and about 90 percent by volume O2 which gives an etch rate ratio of oxide to silicon of about 5 to 1 and of oxide to nitride of about 3 to 1.
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Dabei einsetzbar ist ein Plasmaätzverfahren, mit welchem P +- dotiertes Silicium in einer Kohlenstofftetrafluorid enthaltenden Atmosphäre mit einer Ätzgeschwindigkeit im Bereich zwischen etwa 20 und ungefähr 40 nm/Minute geätzt werden kann.
For this purpose a plasma etching method can be used by means of which P+ -doped silicon is etched in an atmosphere containing carbon tetrafluoride with an etching speed between approximately 20 and approximately 40 nm/min.
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Hierbei handelt es sich beispielsweise um ein Stickstoff-, Schwefel- oder Kohlenstofffluorid, wie Stickstofftrifluorid (NF 3), Schwefelhexafluorid (SF 6) oder Kohlenstofftetrafluorid (CF 4).
This is, for example, a nitrogen fluoride, sulfur fluoride or carbon fluoride such as nitrogen trifluoride (NF3), sulfur hexafluoride (SF6) or carbon tetrafluoride (CF4).
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Siliciumdioxid wird in einem Plasma aus einer Mischung von Kohlenstofftetrafluorid in einer Menge von etwa 5 bis 15 Vol.% und Sauerstoff mit etwa 5 fach höherer Ätzrate geätzt als Silicium, so daß es möglich ist, Siliciumdioxidschichten auf einer Unterlage aus Silicium zu ätzen, ohne daß letzteres übermäßig angegriffen wird.
Silicon dioxide is etched at about five times the rate of silicon in a moderate vacuum gas plasma formed from a mixture of CF4 and oxygen wherein the mixture contains above about 5 to about 15 percent by volume CF4 so that films of silicon dioxide on silicon can be etched to the silicon surface without excessive attack on the silicon.
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Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für eine Lithium-Sekundärbatterie gemäß Anspruch 1, worin der Ionenstrahl zumindest eines umfasst, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Argon, Sauerstoff, Stickstoff, Essigsäure, Methan, Kohlenstofftetrafluorid, Silan, Ammoniak und Trimethylaluminium.
The method for preparing an electrode for a lithium secondary battery of Claim 1, wherein the ion beam comprises at least one selected from the group consisting of argon, oxygen, nitrogen, acetic acid, methane, carbon tetrafluoride, silane, ammonia and trimethyl aluminum.
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Die Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, löst die Aufgabe, Siliciumdioxid, welches auf einer Siliciumunterlage angeordnet ist, in einem Gasplasma zu ätzen. Die Mischung, die erfindungsgemäß hierzu verwendet wird, enthält mindestens 5, aber nicht über 15 Vol.% Kohlenstofftetrafluorid und den Rest Sauerstoff und weist einen Gesamtdruck von 133,322 Pa auf.
BRIEF SUMMARY OF THE INVENTION In accordance with this invention a process for etching silicon dioxide is provided comprising exposing the silicon dioxide to a gas plasma formed from a mixture of CF4 and oxygen wherein the mixture contains above about 5 to about 15 percent by volume of CF4 and the remainder oxygen.
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