Übersetzung für "In sperrichtung vorgespannt" in Englisch

Auch hier ist die Sperrklinke 4 durch eine Feder 14 in Sperrichtung vorgespannt.
The ratchet 4 is also pretensioned by a spring 14 in the blocking direction.
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Bei Anlegen einer Spannung mit der eingezeichneten Polarität wird der pn-Übergang 3 in Sperrichtung vorgespannt.
When the voltage is applied with the polarity shown, the pn-junction 3 is biased in the cut-off direction.
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Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind die Segmente einer Multisegment-Fotodiode über hochohmige Widerstände in Sperrichtung vorgespannt.
According to a further advantageous embodiment, the segments of a multisegment photodiode are biased in the blocking direction via high-ohmage resistors.
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Zum Sperren der dem Transistorbereich 48 zugeordneten Speicherzellen wird Y1 auf Erdpotential gehalten, so daß der Basis-Kollektor-Übergang des Transistorbereichs 48 in Sperrichtung vorgespannt bleibt.
In order to inhibit the memory cells associated with substrate segment 48, Y1 is maintained at ground potential, keeping the base-collector junction of segment 48 under reverse bias.
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Ausserdem liefert die im Transistor T10 abgespeicherte Ladung die für einen schnellen Spannungsanstieg am Knotenpunkt A erforderliche Ansteuerung, wobei der Knotenpunkt A nur eine kleine Streukapazität C1 aufweist, so dass die Diode D3 sehr schnell in Sperrichtung vorgespannt wird.
Furthermore, the stored charge in transistor T10 provides the drive necessary to quickly raise the voltage at node A, which has only a small parasitic capacitor C1, so that diode D3 is reverse biased very fast.
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Bei ihnen ist bei Anlegen einer in Durchlaßrichtung gepolten Spannung zwischen Quelle (source) und Senke (drain) der zwischen erster Zone und Substrat liegende pn-Übergang in Sperrichtung vorgespannt.
The p-n junction therein located between the first zone and the substrate is biased in the cut-off direction if a voltage poled in the conducting direction is applied between the source and the drain.
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Das Schlauchquetschventil ist vorzugsweise so ausgebildet, daß seine Schlauchquetschzange von einer Schließfeder in Sperrichtung vorgespannt ist.
The hose squeezing valve is preferably made in such a way that its hose squeezing pincers are pretensioned in the blocking direction by a closing spring.
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Die Steuerschaltung 10 ist so ausgebildet, daß dann, wenn die erste Diode D1 in Sperrichtung vorgespannt ist, der Schalter S2 geschlossen und dann, wenn aufgrund entsprechender Spannungsverhältnisse ein Strom durch die Diode D1 zu fließen beginnt, der Schalter S2 geöffnet wird.
The control circuit 10 is arranged so that switch S2 is closed when the first diode D1 is biased in the reverse or blocking direction and switch S2 is open when, due to respective forward bias conditions, a current begins to pass through the diode D1.
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Zwischen der p-Basis 2 und der n-Basis 3 befindet sich ein pn-Übergang 14, der beim Anlegen einer Blockierspannung an die Anschlüsse A und K in Sperrichtung vorgespannt wird.
A p-n junction 14 that is biassed in non-conducting direction, in the case of application of a blocking voltage to the terminals A and K, is situated between the p-base 2 and the n-base 3.
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Die Polung der Ableitdiode und ihre feste Verbindung mit der entsprechenden Gateelektrode des FET 2 macht die Belastung des Gateknotenpunkts dann zu einem Minimum, wenn die auftrennbare Verbindung mit der zugehörigen Wortleitung nicht unterbrochen ist, da die Ableitdiode dann, wenn für einen N-Kanal-FET auf der Wortleitung 6 ein positives Eingangssignal liegt, in Sperrichtung vorgespannt ist.
The orientation of the diode and its permanent connection to the corresponding gate of the FET device 2 minimizes the loading of the gate node when the severable link remains intact with its associated word line by remaining reverse biased when a positive input signal, for an n channel device, is present on the word line 6.
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Bei dieser Rückwärtsdrehung wird die Blattfeder 45, die auf derjenigen Seite der Stempelanordnung 25 angebracht, auf der sich der Schlitz 30 im Stempelkopf 26 befindet, und derart gestaltet ist, daß sie die Gewindespindel 35 gegen ein Herausdrehen sperrt, durch die Nut 38 (bzw. den Vorsprung) in Sperrichtung vorgespannt.
By this reverse rotation, the leaf spring 45, which is mounted on that side of the plunger arrangement 25 on which the slot 30 is disposed in the head 26 and which is shaped such that it locks the threaded spindle 35 against being completely unscrewed from the tube body, is biassed by the axial groove 38 (or the projection) in the locking direction.
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Zum Sperren der dem Substratbereich 48 zugeordneten Speicherzellen wird Y1 auf Erdpotential gehalten, so daß der Basis-Kollektor-übergang des Bereichs 48 in Sperrichtung vorgespannt bleibt.
In order to inhibit the memory cells associated with substrate segment 48, Y1 is maintained at ground potential, keeping the base-collector junction of segment 48 under reverse bias.
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Die Photodiode 82 ist über zwei Widerstände 83, 84 durch eine Gleichspannung U 1 in der Sperrichtung vorgespannt und durch einen Kondensator 85 gegen Masse gleichstrommäßig entkoppelt.
The photo diode 82 is biased via two resistors 83, 84 by a DC voltage U1 in the reverse direction and decoupled by a capacitor 85 for direct current with respect to ground.
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Bei dieser Polung ist die Ableitdiode 12 dann in Sperrichtung vorgespannt, wenn der Gateknotenpunkt des FET 2 so vorgespannt ist, daß der FET leitet.
In this orientation, the bleeder diode 12 will be reverse biased when the gate node for the FET device 2 is biased to make the FET device conductive.
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Die Polung der Ableitdiched und ihre feste Verbindung mit der entsprechenden Gateelektrode des FET 2 macht die Belastung des Gateknotenpunkts dann zu einem Minimum, wenn die auftrennbare Verbindung mit der zugehörigen Wortleitung nicht unterbrochen ist, da die Ableitdiode dann, wenn für einen N-Kanal-FET auf der Wortleitung 6 ein positives Eingangssignal liegt, in Sperrichtung vorgespannt ist.
The orientation of the diode and its permanent connection to the corresponding gate of the FET device 2 minimizes the loading of the gate node when the severable link remains intact with its associated word line by remaining reverse biased when a positive input signal, for an n channel device, is present on the word line 6.
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Wenn das P-dotierte Substrat und die P+-dotierten Isolationsrahmen an ein Potential mit dem höchsten negativen Wert angeschlossen werden, dann sind somit alle Isolations-P-N-Übergänge in Sperrichtung vorgespannt.
When the p-doped substrate and the p+ doped insulating frames are connected to the most negative potential, all the isolating p-n junctions are biased in the blocking direction.
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Im einzelnen ist der erste Eingang des Komparators 29 mit einer Referenzspannung V R beschaltet, während sein zweiter Eingang mit dem Ausgang eines Trennverstärkers 32 verbunden ist, dessen Eingang einpolig an einer Fotodiode 33 liegt, die über einen mit der Spannung V DD belegten Anschluss 34 in Sperrichtung vorgespannt ist.
The first input of the comparator 29 is connected to a reference voltage VR and its second input is connected to the output of a buffer amplifier 32 whose input is connected to a photodiode 33 which is biased in the blocking direction by means of a terminal 34 connected to the voltage VDD.
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Diese Dioden sind im Ruhezustand durch die an den Klemmen 6 und 7 anliegende Versorgungsspannung in Sperrichtung vorgespannt und dienen dazu, den jeweils parallel liegenden Transistor gegen beim Abschalten oder Umschalten eines durch die Wicklung 1 fließenden Stromes auftretende Selbstinduktionsspannungen zu schützen, deren Amplitude die Spannungsfestigkeit der Transistoren überschreiten könnte und in deren Verlauf eine Polaritätsumkehr der an den Transistoren anliegenden Spannung auftreten könnte, wodurch die Kollektor-Basisdiode der Transistoren in den leitenden Zustand käme.
These diodes are reversely biased in a state of rest by the supply voltage applied to terminals 6 and 7 and serve to protect the associated transistor against voltages which are generated by self-induction when the current flowing in the winding 1 is interrupted or reversed. Such voltages caused by self-induction might have an amplitude in excess of the maximum voltage of the transistors and might involve a reversal of the voltage applied to the transistors so that the collector-base junction of the transistor could be rendered conducting.
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Fließt der Strom vom Ausgang VTA der schaltbaren hochgenauen Prüfspannungsquelle 4 zum Port 0 bei ausgeschalteter Spannungsquelle VST der MCU 2 (Port 0 ist dann nach Masse geschaltet), so ist die Diode D der FSR-Folie 10 in Sperrichtung vorgespannt.
When, given a switched-off voltage source VST of MCU 2 (port 0 is then connected to frame), the current flows from output VTA of switchable, highly precise test-voltage source 4 to port 0, then diode D of FSR-foil 10 is reverse-biased.
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Dadurch, daß der Katodenanschluß der Zenerdiode 11, 17 mit einem positiven Impuls belastet wird, wird der pn-Übergang zwischen der Sourcezone des MOSFET 14 bzw. 18 und seiner Bulkzone in Sperrichtung vorgespannt.
Since the cathode terminal of the Zener diode 11, 17 is loaded by a positive pulse, the p-n junction is biased in the blocking direction between the source zone of the respective MOSFET 14 and 18 and its bulk zone.
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Die Diode 36 ist unter diesen Umständen in Sperrichtung vorgespannt, so daß sie keine Wirkung hat.
Diode 36 is in then biased in the non-conducting direction, so it will be without effect.
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Der positive Pol der Spannungsquelle U b ist mit der Kathode der Kapazitätsdiode C b verbunden, so daß sie in Sperrichtung vorgespannt ist.
The positive pole of voltage source Ub is connected to the cathode of variable capacitance diode Cb, so that it is biased in the high-resistance direction.
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Zwischen der Mittelanzapfung 19 und dem Gleichspannungsanschluß 90 werden die Kapazitätsdioden 51, 52 gleichmäßig entsprechend der Einstellspannung an der Mittelanzapfung 19 in Sperrichtung vorgespannt und damit ihre Kapazität eingestellt.
Between the central tapping 19 and the d.c. terminal 90, the capacity diodes 51, 52 are equally reverse-biassed in conformity with the control voltage at the central tapping 19 and thus their capacitance is adjusted.
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Die elektrische Isolierung benachbarter Speicherknoten 22 ist möglich, indem man ein Referenzpotential an die polykristalline Siliciumschicht 28 anlegt, so dass die Oberfläche des Substrats 10 benachbart zu den Gebieten 20 und 22, jedoch nicht unter den Elektroden 38 zwischen diesen Gebieten, dauernd in Sperrichtung vorgespannt ist.
Isolation between adjacent storage nodes 22 is provided by placing a reference potential on polysilicon layer 28 such that the surface of substrate 10 adjacent to each of regions 20 and 22 but not under electrode 38 between these regions is permanently biased to be non-conductive.
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Bei dieser Rückwärtsdrehung wird die Blattfeder 45, die auf derjenigen Seite der Stempelanordnung 25 angebracht, auf der sich der Schlitz 30 im Stempelkopf 26 befindet, und derart gestaltet ist, daß sie die Gewindespindel 35 gegen ein Herausdrehen sperrt, durch die Axialnut 38 (bzw. den Vorsprung) in Sperrichtung vorgespannt.
By this reverse rotation, the leaf spring 45, which is mounted on that side of the plunger arrangement 25 on which the slot 30 is disposed in the head 26 and which is shaped such that it locks the threaded spindle 35 against being completely unscrewed from the tube body, is biassed by the axial groove 38 (or the projection) in the locking direction.
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Die bei diesem bekannten optoelektronischen Mischer als Lichtsensor dienende AFD muß über eine Hochspannung in Sperrichtung vorgespannt werden, hat ein über das Photonenrauschen des Lichtsignals hinausgehendes Eigenrauschen und einen zwar hohen, aber empfindlich von Hochspannung und Temperatur abhängigen Verstärkungsgrad.
The avalanche photodiode serves as a light sensor in this known optoelectronic mixer and must be biased in the non-conducting direction with a high voltage. The avalanche photodiode has an inherent noise which is greater than the photon noise of the light signal and has a high level of amplification which, however, is very sensitive to high voltage and temperature.
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Durch eine nicht gezeigte elektrische Vorspannungseinrichtung sind die Fotodioden mit einer konstanten elektrischen Gleichspannung von beispielsweise 15 Volt für jede Fotodiode in Sperrichtung vorgespannt.
Through a net shown electric bias device the photodiodes are biased with a constant electric direct current voltage, U B, of e.g., 15 volts for each photodiode in the blocking direction.
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In diesem Fall sind die Potentiale an sämtlichen Anschlußpins P20... P23 der zweiten Steuereinheit S2 wesentlich höher als die Potentiale an den Anschlußpins P10... P13 der ersten Steuereinheit S1, so daß die Diode HVD in Sperrichtung vorgespannt ist.
In the latter case, the voltage potentials at all terminals P20 . . . P23 of the second control unit S2 are the substantially higher than the voltage potentials at the terminals P10 . . . P13 of the first control unit S1, so that the diode HVD is biased in the reverse direction.
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