Übersetzung für "Bandverbiegung" in Englisch
Im
Normalfall
führt
die
Bandverbiegung
zu
einer
Verarmung
an
Löchern
bzw.
Elektronen
an
der
Grenzfläche.
In
the
normal
case,
the
band
bending
leads
to
depletion
of
holes
or
electrons
at
the
interface.
EuroPat v2
Die
negative
Ladung
des
Metalls
treibt
die
Elektronen
in
der
Inversionsschicht
von
der
Siliciumoberfläche
weg
ins
Siliciuminnere,
wodurch
die
Bandverbiegung
abnimmt.
The
negative
charging
of
the
metal
drives
the
electrons
in
the
inversion
layer
from
the
silicon
surface
into
the
silicon,
so
that
the
bending
of
the
band
decreases.
EuroPat v2
Durch
die
Bandverbiegung
an
der
Grenzfläche
106
kann
das
Elektron
mit
einer
relativ
hohen
Wahrscheinlichkeit
in
einem
Tunnelprozess
die
Potentialbarriere
an
der
Grenzfläche
106
durchqueren
und
einen
freien
Zustand
in
dem
LUMO-Energieniveau
200
der
n-dotierten
ersten
organischen
Halbleiterschicht
102
einnehmen.
As
a
result
of
the
band
bending
at
the
interface
106,
the
electron
is
able
with
a
relatively
high
probability,
in
a
tunnel
process,
to
cross
the
potential
barrier
at
the
interface
106
and
to
occupy
a
free
state
in
the
LUMO
energy
level
200
of
the
n-doped
first
organic
semiconductor
layer
102
.
EuroPat v2
Zusätzlich
zeigt
die
Patentschrift
US
2006/0197109
A1
einen
Transistor
mit
hoher
Elektronenbeweglichkeit
mit
einer
GaN-Kanalstruktur
mit
einer
sehr
dünnen
(Al,
In,
Ga)N-Subkanalschicht,
die
zwischen
einer
ersten
GaN-Kanalschicht
und
einer
zweiten
GaN-Kanalschicht
angeordnet
ist,
um
eine
Bandverbiegung
induziert
durch
die
piezoelektrische
und
spontane
Ladungsträger
in
Assoziation
mit
der
(Al,
In,
Ga)N-Subkanalschicht
verursacht.
In
addition,
US
2006/0197109
A1
describes
a
transistor
having
a
high
electron
mobility
with
a
GaN
channel
structure
having
a
very
thin
(Al,
In,
Ga)N
subchannel
layer
arranged
between
a
first
GaN
channel
layer
and
a
second
GaN
channel
layer
to
bring
about
a
band
bending
induced
by
the
piezoelectric
and
spontaneous
charge
carriers
in
association
with
the
(Al,
In,
Ga)N
subchannel
layer.
EuroPat v2
Durch
die
hohen
Leit-
und
Dotierfähigkeiten
kann
eine
starke
Bandverbiegung
in
der
p-dotierten
Schicht
in
Nähe
der
Potentialbarriere
erreicht
werden.
As
a
result
of
the
high
conductivity
and
doping
capacities,
strong
band
bending
can
be
achieved
in
the
p-doped
layer
in
the
vicinity
of
the
potential
barrier.
EuroPat v2
Eine
weitere
Möglichkeit,
die
Rekombinationsverluste
an
der
Oberfläche
eines
Halbleiters
zu
verringern,
ist
das
Einbringen
einer
Bandverbiegung
im
Halbleiter
durch
eine
Eindiffusion
eines
Dotieratoms.
Another
possibility
to
reduce
the
loss
by
recombination
at
the
surface
of
a
semiconductor
is
to
introduce
a
band
bending
in
the
semiconductor
by
introducing
a
doping
atom
by
way
of
diffusion.
EuroPat v2
Aus
der
Literatur
ist
bekannt,
dass
sich
mit
dem
pH-Wert
auch
die
Bandverbiegung
im
Silicium
linear
verändert.
From
the
literature,
it
is
known
that
the
band
bending
in
silicon
also
varies
linearly
with
the
pH.
EuroPat v2
Die
Bandverbiegung
geht
bis
zur
Entartung
(keine
anderen
Überschuss-Ladungsträger
erreichen
mehr
die
Oberfläche)
bzw.
bis
nahezu
zur
Entartung
(wenige
andere
Überschuss-Ladungsträger
erreichen
noch
die
Oberfläche).
Band
bending
occurs
until
degeneration
(no
other
excess
charge
carriers
now
reach
the
surface)
or
close
to
degeneration
(few
other
excess
charge
carriers
still
reach
the
surface).
EuroPat v2
Dadurch
bildet
sich
an
der
Grenzfläche
der
ersten
und
der
zweiten
Schicht
eine
Bandverbiegung,
an
welcher
sich
ein
zweidimensionales
Elektronengas
ausbildet.
This
produces
band
bending
at
the
interface
between
the
first
and
second
layers,
and
a
two-dimensional
electron
gas
is
produced
at
said
band
bending.
EuroPat v2
Weiterhin
wird
die
Schwellenspannung
durch
das
Oberflächenpotential
der
Halbleiterstruktur,
deren
Dicke
und
der
Größe
der
an
der
Grenzfläche
auftretenden
Bandverbiegung
beeinflusst.
In
addition,
the
threshold
voltage
is
influenced
by
the
surface
potential
of
the
semiconductor
structure,
the
thickness
thereof
and
the
magnitude
of
the
band
bending
which
occurs
at
the
interface.
EuroPat v2
Bei
hoher
Intensität
der
Laser-Strahlung
ist
außer
Mehrphotonenabsorption
auch
eine
Beeinflussung
der
elektronischen
Struktur
der
Substrate
möglich,
z.B.
Bandverbiegung,
energetische
Verschiebung
von
Grenzflächenzuständen,
welche
die
Absorption
und
damit
den
Energieeintrag
in
das
Material
u.U.
begünstigen
kann.
In
the
case
of
high
intensity
of
the
laser
irradiation,
apart
from
multiphoton
absorption,
also
influencing
the
electronic
structure
of
the
substrates
is
possible,
e.g.
band
distortion,
energy
displacement
of
interface
conditions
which
can
possibly
assist
the
absorption
and
hence
the
energy
input
into
the
material.
EuroPat v2
Da
im
Falle
von
SOI
nur
die
Ladungsträger
innerhalb
der
Funktionsschicht
betrachtet
werden
müssen,
ist
auch
die
Bandverbiegung
und
die
Raumladungszonenweite
entsprechend
geringer.
Since
only
the
charge
carriers
inside
the
functional
layer
need
to
be
considered
in
the
case
of
SOI,
the
band
bending
and
the
space
charge
zone
width
are
also
correspondingly
less.
EuroPat v2
Weiterhin
kommt
es
in
Abhängigkeit
von
der
Ladungsträgerkonzentration
der
organischen
Schichten
zu
einer
Bandverbiegung
in
der
Nähe
eines
Metallkontakts,
die
die
Injektion
von
Ladungsträgern
erleichtert
und
damit
den
Kontaktwiderstand
verringern
kann.
Furthermore,
depending
on
the
charge
carrier
concentration
in
the
organic
layers,
bending
of
the
band
in
the
vicinity
of
a
metal
contact
results
which
simplifies
the
injection
of
charge
carriers
and
can
therefore
reduce
the
contact
resistance.
EuroPat v2
Dieser
Effekt
beruht
auf
einer
starken
Bandverbiegung
der
Energieniveaus
in
der
organischen
Schicht
an
der
Grenzfläche
zu
den
Elektroden
(J.
Blochwitz
et
al.,
Org.
This
effect
is
based
on
considerable
band
bending
of
the
energy
levels
in
the
organic
layer
at
the
interface
to
the
electrodes
(J.
Blochwitz
et
al.,
Org.
EuroPat v2
Die
elektrischen
Eigenschaften
wie
beispielsweise
die
Ladungsdichte,
und
die
Störstellendichte,
sowie
die
Struktur
und
die
Zustandsdichte
an
den
Grenzflächen
werden
zum
Erreichen
einer
Justierung
der
Rekombinationsenergie
in
A
1X
B
1Y
C
1Z
N
1V
M
1W
/A
2X
B
2Y
C
2Z
N
2V
M
2W
-Heterostrukturen
durch
interne
und
externe
elektrische
Felder
infolge
der
Bandverbiegung
verwendet.
The
electrical
characteristics
such
as
the
charge
density
and
the
impurity
density
as
well
as
the
structure
and
the
state
density
at
the
interfaces
are
used
for
achieving
an
adjustment
of
the
recombination
energy
in
A
1X
B
1Y
C
1Z
N
1V
M
1W
/A
2X
B
2Y
C
2Z
N
2V
M
2W
hetero
structures
by
internal
and
external
electrical
fields
due
to
the
band
bending.
EuroPat v2
Hierdurch
wird
die
Anzahl
der
Oberflächenzustände
reduziert
und/oder
eine
Bandverbiegung
an
der
Oberfläche
induziert,
wodurch
die
Geschwindigkeit
der
Rekombination
über
Oberflächenzustände
herabgesetzt
wird.
The
number
of
the
surface
conditions
is
thus
reduced
and/or
a
band
deflection
is
induced
at
the
surface,
which
reduces
the
speed
of
the
recombination
via
surface
conditions.
EuroPat v2
Zwar
erfolgt
auch
hier
eine
zusätzliche
Generation
von
Elektron-Loch
Paaren
durch
die
Beleuchtung
der
Probe,
jedoch
hat
diese
Beleuchtung
verschiedenen
Konsequenzen:
zum
einen
ist
aufgrund
der
Bandverbiegung
in
p-dotiertem
Material
der
Photostrom
dem
von
außen,
zum
Ätzen
angelegten
Strom,
entgegengesetzt
gerichtet.
Even
though
additional
generation
of
pairs
of
electron
holes
occurs
also
in
this
case
due
to
illumination
of
the
specimen,
the
consequences
of
such
illumination
are
different.
Due
to
the
bending
of
the
strip
in
the
p-doped
material,
the
photocurrent
is
directed
opposite
to
the
current
applied
externally
for
the
etching.
EuroPat v2
Die
LiF
Schicht
senkt
die
Austrittsarbeit
des
Kathodenmaterials
(hier
Aluminium)
und
die
Li
Dotierung
der
elektronentransportierenden
Schicht
(typischerweise
und
erfindungskonform
in
einer
Konzentration
zwischen
5:1
und
1:10
Li-Atome
zu
Alq
3
-Moleküle)
ermöglicht
eine
Bandverbiegung
an
der
Grenzfläche
zur
Kathode,
welche
eine
effiziente
Injektion
von
Elektronen
erlaubt,
analog
zum
Falle
der
Löcherinjektion
in
die
p-dotierte
Löchertransportschicht.
The
LiF
layer
lowers
the
work-function
of
the
cathode
2
material
(e.g.,
aluminum)
and
the
Li-doping
of
the
electron-transporting
layer
3
(typically,
and
in
conformity
with
the
invention,
in
a
concentration
between
5:1
and
1:10
Li
atoms
to
Alq
3
molecules)
makes
possible
a
band
bending
at
the
boundary
surface
of
the
cathode,
permitting
an
efficient
injection
of
electrons,
much
as
in
the
case
of
hole
injection
into
the
p-doped
hole-transporting
layer.
EuroPat v2
Wenn
die
Funktionsschicht
mit
fortschreitender
Ätzung
immer
dünner
wird,
kommt
am
Ende
derselbe
Effekt
zum
Tragen,
der
auch
für
die
Flusssäure
gefunden
wurde:
Die
Zahl
der
in
der
dünnen
Funktionsschicht
verbleibenden
Ladungsträger
wird
immer
geringer,
wodurch
auch
die
Bandverbiegung
immer
schwächer
ausfällt.
When
the
functional
layer
becomes
thinner
and
thinner
with
continued
etching,
the
same
effect
as
was
found
for
hydrofluoric
acid
finally
comes
into
play:
the
number
of
charge
carriers
remaining
in
the
thin
functional
layer
become
smaller
and
smaller,
so
that
the
band
bending
also
becomes
progressively
weaker.
EuroPat v2