Übersetzung für "Bandabstand" in Englisch

Das Material der Schicht 48 hat einen größeren Bandabstand als GaAs.
The material in the layer 48 (Alx Ga1-x As) has a larger band gap than GaAs.
EuroPat v2
Pfeil 1 markiert den Bandabstand im Quantenbrunnen.
Arrow 1 marks the band gap in the quantum well.
EuroPat v2
Ansonsten sollte sich der Bandabstand in etwa nach der Bark-Skala richten.
Otherwise the band spacing should be based approximately on the Bark scale.
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Die Quantenfilmschicht 50b weist einen kleineren Bandabstand als die n-dotierte Zuleitungsschicht 50 auf.
The quantum film layer 50 b has a smaller band gap than the n-doped lead layer 50 .
EuroPat v2
Der Bandabstand entspricht dabei der Energie der ausgesendeten Lichtteilchen.
The band gap corresponds to the energy of the emitted light particles.
EuroPat v2
In dem zumindest einen durchmischten Gebiet ist der elektronische Bandabstand vergrößert.
The electronic band gap is increased in the at least one intermixed region.
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Umgekehrt entspricht eine höhere Indiumkonzentration einem niedrigeren Bandabstand.
Conversely, a higher indium concentration corresponds to a lower band gap.
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Die Strahlungserzeugung erfolgt durch Rekombination von Ladungsträgerpaaren in einem Halbleiter mit entsprechendem Bandabstand.
The light is generated by recombining charge-carrier pairs in a semiconductor with an appropriate energy band gap.
ParaCrawl v7.1
Außerdem muß der Bandabstand des Materials der Schicht 10 größer als der des Substrats sein.
Furthermore, the band gap of the material of the layer 10 must be larger than that of the substrate.
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Im übrigen weist das erfindungsgemäß hergestellte Halbleitermaterial einen optischen Bandabstand zwischen 1,4 und 2,4 eV auf.
Incidentally, the semiconductor material according to the invention exhibits an optical energy gap of between 1.4 and 2.4 eV.
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Das Material der Halbleiterschicht 3 ist ein Fenstermaterial, welches einen Bandabstand von 2,7 eV aufweist.
The material of the semiconductor layer 3 is a window material that has a band gap of 2.7 eV.
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Die Halbleiterschicht liegt praktisch mehrphasig vor mit einem graduierten Phasenübergang und einem graduierten Bandabstand.
The semiconductor layer is virtually a multiphase layer with a graduated phase transition and a graduated band gap.
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Typische Werte für einen solchen passenden Bandabstand sind 0,2 bis 0,6 Elektronenvolt (eV).
Typical values for such an appropriate energy gap range from 0.2 to 0.6 electron volts (eV).
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Die Wellenleiterschicht weist einen höheren Bandabstand und eine geringere optische Brechzahl als die aktive Zone auf.
The waveguide layer has a higher band gap and a lower optical refractive index than the active zone.
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Die Mantelschicht wiederum weist einen höheren Bandabstand und eine geringere optische Brechzahl als die Wellenleiterschicht auf.
The cladding layer in turn has a higher band gap and a lower optical refractive index than the waveguide layer.
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Die Teilschichten können auch den Bandabstand regulierende Zusätze enthalten, beispielsweise Germanium oder Stickstoff.
The partial layers may also contain additives that regulate the band gap, such as germanium or nitrogen.
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Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleiter mit großem direktem Bandabstand (3,4 eV).
Gallium nitride (GaN) is a semiconductor with a large direct band gap (3.4 eV).
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Mit einem um etwa 4 Mol% höheren Aluminiumgehalt in der Schicht 10 vergleichsweise zur laseraktiven Schicht 2 hat die Schicht 10 einen um etwa 2 kT größeren Bandabstand als die Schicht 2, bezogen auf Zimmertemperatur.
When the material forming layer 10 has an aluminum concentration greater by about 4 mol %, relative to the aluminum concentration in the laser-active layer 2, such layer 10 or the material thereof, exhibits an energy band gap which is larger by about 2 kT than that of layer 2, at room temperatures.
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Ein um etwa 2 kT größerer Bandabstand der vierten Schicht 10 gegenüber der laseraktiven Schicht 2 reicht gerade noch aus, um bei vorgegebener Arbeitstemperatur die die Fotolumineszenz 22 anregende Laserstrahlung 21 durch die Schicht 10 hindurch in die Schicht 2 ohne störende Absorption in der Schicht 10 gelangen zu lassen.
In instances when the energy band gap of the additional layer 10 is larger by about 2 kT relative to that of laser-active layer 2, it will just suffice, with a prescribed operating temperature, to allow the monitoring laser radiation 21 (exciting the photoluminescence 22) to pass through layer 10 and into layer 2 without an interfering absorption.
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Dieses Material muß außerdem einen größeren Bandabstand als das Halbleitersubstrat und einen spezifischen Widerstand zwischen 10 5 und 10 11 Ohm cm haben.
This material must furthermore have a greater band or energy gap than the semiconductor substrate and a resistivity between 105 and 1011 ohm cm.
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Es ist wohlbekannt, daß die Größe des Stroms, der längs der Oberfläche des Bauteils fließt, sehr stark von dem Bandabstand des Materials abhängig ist.
It is well known that the magnitude of the current which travels along the surface of the component is very heavily dependent on the band gap of the material.
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Zur Erzielung geringster Schwellenströme ist die räumliche Anordnung derart getroffen, daß sich die aktive Schicht, die die Form eines schmalen Streifens, auch als Steg bezeichnet, hat, innerhalb des Schichtaufbaues befindet, d.h. vergraben ist, wobei dieser schmale Streifen von Halbleitermaterial mit niedrigerem Brechungsindex und höherem Bandabstand flankiert ist.
In order to achieve the lowest threshold currents, the spatial arrangement is undertaken such that the active layer, which has the form of a narrow strip also referred to as a ridge, is situated within the layer structure, i.e. is buried. This narrow strip is flanked by semiconductor material having a lower refractive index and a higher band gap.
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Fällt nun Licht L auf die Photoneneintrittsfläche, so werden einige auftreffende Photonen reflektiert, die meisten dringen aber ins Innere des Thyristors, wo sie aufgrund des Photoeffekts Elektron-Lochpaare erzeugen, falls ihre Energie größer als der Bandabstand des Halbleitermaterials ist.
When light L is incident on the photon entry face, some of the incident photons are reflected, but most penetrate into the interior of the thyristor where they produce electron-hole pairs due to the photo effect when their energy is greater than the band gap of the semiconductor material.
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Der Werkstoff a-C:H läßt sich darüber hinaus, beispielsweise im Gegensatz zu a-Si und a-Si:H, mit variablem optischen Bandabstand, variabler Defektdichte und vor allem variablem elektrischen Widerstand herstellen.
Moreover, the material a-C:H can be manufactured with a variable optical energy gap, a variable defect concentration and, above all, a variable electrical resistance, in contrast to a-Si and a-Si:H, for example.
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