Übersetzung für "Abschnürspannung" in Englisch

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, eine die JFETs kennzeichnende Grund-Eigenschaft, nämlich die aktuelle Abschnürspannung U p, zu messen und davon abhängige Spannungen abzuleiten.
The invention is based on the discovery of measuring a fundamental property characterizing JFET's, namely the actual pinch-off voltage Up, and to derive dependent voltages from the measured property.
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Die folgenden Beispiele beziehen sich auf einen EinheitsJFET, der eine nominelle Abschnürspannung U p = 1,2 V und einen nominellen Sättigungsstrom I dss = 1,45 mA besitzt.
The following examples relate to a standard JFET provided with a nominal pinch-off voltage Up =1.2 V and a nominal saturation current Idss =1.45 mA.
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Da diese Spannung über den Spannungsteiler R7, R8, z.B. R7 = 50 ? und R8 = 600 ? die Sourceelektrode des JFETs A3 steuert, wird der Arbeitspunkt dieses Transistors stabilisiert, da er dieselbe Abschnürspannung wie der Transistor A5 besitzt.
Since this voltage Us controls the source electrode S3 of JFET A3 via the voltage divider R7, R8, e.g., R7=50 ?, and R8=600 ?, the working point of this transistor A3 is stabilized because it has the same pinch-off voltage as transistor A5.
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Dadurch wird erreicht, daß die von JFET A5 gemessene aktuelle Abschnürspannung auch die Inverterstufe A6 bis A8 bezüglich des Arbeitsbereiches optimal einstellt.
Thus it is accomplished that the actual pinch-off voltage measured by JFET A5 also sets the inverter stage A6 to A8 with regard to the working range in an optimum manner.
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Der Feldeffekttransistor wird so ausgewählt, daß die im Normalbetrieb auftretende nega­tive Thyristor-Gate-Kathodenspannung die "Abschnürspannung" des Transistors unterschreitet, und dieser somit gesperrt wird.
The field effect transistor is chosen so that the negative thyristor-gate- cathode voltage occurring in normal operation is lower than the pinched-off voltage of the transistor and the latter is therefore cut off.
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Soll nur die Abschnürung beendet werden, ohne die Umschlingung des Körperteils aufzuheben - etwa weil kurz darauf eine neuerliche Abschnürung erforderlich werden könnte -, so genügt ein Fingerdruck auf die Klemmwippe (direkt oder mittels eines Zwischengliedes), um diese in ihre Lösestellung zu schwenken, in der das Band durch das Verschlußgehäuse zurückgleiten kann und die Abschnürspannung aufgehoben wird.
When the constriction must be ended without removing the loop from the body part, since shortly after this a new constriction can be needed, it is sufficient to apply a finger pressure on the clamping rocker, directly or by means of an intermediate member, to turn the same to its releasing position in which the band can be moved back through the housing and the restricting tension can be removed.
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Vielmehr ist gewährleistet, daß die Bandschlinge nur geöffnet werden kann, wenn zuvor eine noch vorhandene Abschnürspannung im Band aufgehoben wurde.
Moreover, it is guaranteed that the band loop can be open only when an available restricting tension in the band is removed.
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Wenn das Halbleiterbauelement ein n-Kanal-FET (n-Kanal-Feldeffektransistor) ist und wenn der Betrag der Differenzspannung kleiner ist als der Betrag der Abschnürspannung, wird das Halbleiterbauelement in einem Bereich betrieben, der als 'ohmscher Bereich' oder als 'linearer Bereich' bezeichnet wird.
If the semiconductor component is an n-channel FET (n-channel field-effect transistor) and the absolute value of the differential voltage is less than the absolute value of the pinch-off voltage, the semiconductor component is operated in a range designated as “ohmic range” or as “linear range.”
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Als Starthilfeschalter 24b bzw. T 4 kann der JFET PMBF4393 der Firma Philips verwendet werden, der gemäß seinem Datenblatt eine Abschnürspannung zwischen -3,0 V und -0,5 V aufweist.
As a start assistance switch 24 b, or T 4, the JFET PMBF4393 of the company Philips may be used which comprises a pinch-off voltage between ?3.0 V and ?0.5 V according to its datasheet.
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Die Erfindung verwendet keine Überspannungserkennungsvorrichtung mit anschließender Abschaltung des Längstransistors, sie beruht vielmehr auf dem Prinzip der Strombegrenzung des Längstransistors unter Ausnutzung dessen Abschnürspannung.
The invention does not use overvoltage identification devices with subsequent disconnection of the in-phase transistor, rather it is based on the principle of limiting the current in the in-phase transistor using its pinch-off voltage.
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Dank der Kompensation führt dies nicht zu einer Verschlechterung des elektrischen Verhaltens des Halbleiteraufbaus, insbesondere nicht zu einer unerwünschten Erhöhung der zur vollständigen Abschnürung des Kanalgebiets erforderlichen Steuerspannung (= Abschnürspannung).
By virtue of the compensation, this does not lead to an impairment of the electrical behavior of the semiconductor configuration; in particular, this does not lead to an undesirable increase in the control voltage (=pinch-off voltage) required for the complete pinch-off of the channel region.
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Dies bietet insbesondere dann Vorteile, wenn eine kleine Abschnürspannung beispielsweise von unter 15 V gefordert ist.
This affords advantages particularly when a small pinch-off voltage of less than 15V, for example, is required.
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Die Steuerspannung, die bei verschwindender Spannung zwischen der ersten und zweiten Elektrode 50 bzw. 60 angelegt werden muss, um eine Kanalabschnürung zu erreichen, nennt man auch Abschnürspannung.
The control voltage that has to be applied given a vanishing voltage between the first and second electrodes 50 and 60, respectively, in order to achieve a channel pinch-off is also called pinch-off voltage.
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Die Eigenschaften der zweiten Epitaxieschicht 262 beeinflussen insbesondere die Abschnürspannung, eine zur Steuerung der ersten Verarmungszone 24 angelegte Spannung, ab der es zu einem Stromfluss zwischen der Verarmungszone 24 und dem vergrabenen Inselgebiet 3 kommt (= Durchgriffspannung), den maximal zwischen den beiden Elektroden 50 und 60 fließenden Strom I (= Sättigungsstrom), den elektrischen Widerstand im Kanalgebiet 22 und auch in gewissem Umfang die maximal zulässige Sperrspannung.
The properties of the second epitaxial layer 262 influence in particular the pinch-off voltage, a voltage which is applied for controlling the first depletion zone 24 and starting from which a current flow occurs between the depletion zone 24 and the buried island region 3 (=punch-through voltage), the maximum current I flowing between the two electrodes 50 and 60 (=saturation current), the electrical resistance in the channel region 22 and also to a certain extent the maximum permissible reverse voltage.
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Es ist daher möglich, dass der Halbleiteraufbau am Ende des Herstellungsprozesses aufgrund der Toleranzen der Epitaxieschicht nicht das geforderte Stromsteuerungsverhalten, beispielsweise eine bestimmte Abschnürspannung, aufweist.
It is possible, therefore, for the semiconductor configuration not to have the required current control behavior, for example a specific pinch-off voltage, at the end of the production process on account of the tolerances of the epitaxial layer.
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Andererseits führt eine zu hohe Ladungsträgerkonzentration aber zu einer Erhöhung der an der Steuerelektrode 40 anzulegenden Abschnürspannung, die erforderlich ist, um das Kanalgebiet 22 vollständig abzuschnüren.
On the other hand, however, an excessively high charge carrier concentration leads to an increase in the pinch-off voltage that is to be applied to the control electrode 40 and is necessary in order to completely pinch-off the channel region 22 .
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Aufgrund der in das Kanalleitungsgebiet 225 eingebetteten Kanalkompensationsgebiete 226 kommt es zu keiner unerwünschten Erhöhung der Abschnürspannung, selbst wenn eine sehr hohe Dotierstoffkonzentration innerhalb des Kanalleitungsgebiets 225 vorgesehen ist.
On account of the channel compensation regions 226 embedded in the channel conduction region 225, the pinch-off voltage is not increased undesirably even if a very high dopant concentration is provided within the channel conduction region 225 .
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Werden nun die p-dotierten Streifen 20 mit einer Breite von (beispielsweise) 3µm und einer Dotierung von 5*10 18 cm -3 gewählt, so kann der Vorwiderstand durch den Abstand der p-dotierten Streifen 20 zueinander so eingestellt werden, dass er bei einer gewählten Abschnürspannung hochohmig wird (und der Leistungstrennschalter auslöst).
If the p-doped strips 20 are now selected with a width of (for example) 3 ?m and a doping of 5*10 18 /cm 3, the series resistance can then be adjusted by the spacing of the p-doped strips 20 from one another such that it becomes highly resistive at a selected pinch-off voltage (and the power circuit breaker opens).
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Dieser weist nach Angaben in seinem Datenblatt eine Abschnürspannung zwischen -3,0V und -0,5V und eine maximal zulässige Gate-Source-Spannung von 40V auf. In einigen Ausführungsbeispielen kann als Schalttransistor T 2 der MOSFET BSH105 von der Firma Philips verwendet werden.
According to details in its datasheet, this has a pinch-off voltage between ?3.0 V and ?0.5 V and a maximum admissible gate/source voltage of 40 V. In some embodiments, the MOSFET BSH105 of the company Philips may be used as a switching transistor.
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