Übersetzung für "Ätztiefe" in Englisch

Nach etwa 5 Minuten war die dem Raster entsprechende günstigste Ätztiefe erreicht.
The most advantageous etching depth corresponding to the screen is reached after about 5 minutes.
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Allerdings muß man die dafür optimale Ätztiefe sehr genau erreichen.
However, the etching depth optimum therefore must be reached very accurately.
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Die Ätztiefe wird durch die Konzentration und Dauer des Ätzbades bestimmt.
The etched depth is defined by the concentration and the duration of the etching bath.
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Eine typische Ätztiefe liegt bei etwa 300 nm.
A typical etching depth is approximately 300 nm.
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Eine aufwendige Kontrolle der Ätztiefe entfällt.
A complicated monitoring of the etching depth is eliminated.
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Durch die relativ geringe Ätztiefe wird das Herstellungsverfahren weiter beschleunigt.
The production method is further accelerated by the relatively small etching depth.
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Die Ätztiefe des Steges 10 kann durch weiteres Ätzen vergrößert werden.
The etching depth of the ridge 10 can be increased by further etching.
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So kann bspw. bei der Substratvorbehandlung in einem Ätzverfahren die Ätztiefe begrenzt werden.
Hence during the pre-treatment of the substrate for example, the etching depth can be limited in an etching process.
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Der Ätzschritt kann solange durchgeführt werden, bis die gewünschte Ätztiefe erreicht ist.
The etching step can be performed until the desired etching depth has been attained.
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Auch in diesem Fall ist es daher schwierig, die gewünschte Ätztiefe genau einzuhalten.
It is therefore complicated also in this particular case precisely to maintain the desired etching depth.
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Schon eine geringe Abweichung von der optimalen Ätztiefe führt zu einem drastischen Abfall der Sperrspannung.
A small deviation from the optimum depth leads to a drastic decline of the breakdown voltage.
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Diese Ätztiefe von 1,6 µm entspricht einer konkaven Krümmung mit einem mittleren Radius von 0,3 mm.
This etching depth of 1.6 ?m corresponds to a concave curvature with a central radius of 0.3 ?m.
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Die Ätztiefe wird dabei so gewählt, dass sich eine stabile Vorzugsrichtung der Polarisation ergibt.
The etching depth is in this case selected so as to produce a stable preferred direction of the polarisation.
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Die Ätztiefe H wird so gewählt, dass sich eine stabile Vorzugsrichtung der Polarisation ergibt.
An etching depth H is selected in such a way that a stable preferred direction of polarisation is obtained.
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Die Untersuchung der Ätztiefe an SOI-Scheiben in Abhängigkeit von der Reaktionszeit bestätigt diese Hypothese.
Studying the etching depth on SOI wafers as a function of the reaction time confirms this hypothesis.
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Die Zwischenschicht 11 fungiert beim Ätzprozess vorteilhaft als Indikatorschicht für das Erreichen einer gewünschten Ätztiefe.
During the etching process, the intermediate layer 11 advantageously functions as an indicator layer to attain a desired etching depth.
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Die Genauigkeit der nach M. Aust (Druckwelt 1978, Heft 9, Seite 466) korrigierten Meßwerte bei 20 / um Ätztiefe (Rastertiefe) liegt bei 0,3µm, was mit den Angaben aus der Litera- tur übereinstimmt (Aust und Braschoss, "Der Polygraph", 21-80, Seite 1885).
9, page 466), at 20 ?m depth of etch (screen depth), is about 0.3 ?m, which agrees with data in the literature (Aust and Braschoss "Der Polygraph", 21- 80, page 1,885).
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Mit dem hier vorgeschlagenen Verfahren kann mit sehr hoher Ortsauflösung (Größe des fokussierten Laserlichtflecks ungefähr 0,1 mm) und hoher Meßauflösung (10 -2 µm und besser) die mittlere Ätztiefe eines Substrats bestimmt werden, das eine beträchtliche Rauhigkeit aufweist (bis zu 2 µm Spitze zu Spitze).
With the method described here, it is possible to determine with a very spatial resolution (size of the focused laser light spot approximately 0.1 mm) and high measuring resolution (10-2 ?m and better) the average etching depth of a substrate of considerable roughness (up to 2 ?m from peak to peak).
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Bei der praktischen Durchführung des Verfahrens wurde pro 1 µm vertikale Ätztiefe in Silicium ein laterales Ätzen von nur etwa 1/10 (~0,1 µm) beobachtet.
In the practical application of the method, a lateral etching of only approximately 1/10 (?0.1 ?m) was observed per 1 ?m vertical etching depth in the silicon.
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Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätztiefe der jeweiligen Schichten 0,1 - 0,3 / um beträgt.
A method as claimed in claim 1, characterized in that each layer is etched 0.1 to 0.3 microns.
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Im letzteren Fall sind die entsprechenden Werte für die gewünschte Ätztiefe z, den Keilwinkel a und die Ausgangsbreite x o in einen angeschlossenen Rechner eingespeichert, dem ständig Signale, welche die jeweiligen Breitenwerte der Keiloberfläche darstellen, zugeführt werden.
In the latter case, the corresponding values for the desired etching depth z, the wedge angle a, and width x0 are stored in an associated computer which continuously receives signals representing the respective widths of the wedge surface.
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Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive lonenätzen in einem Sauerstoffplasma, dem gegebenenfalls Argon zugesetzt wird, bei einem Gasfluß von etwa 5 x 10- 3 bis 10- 1 I/min (etwa 5 bis 100 sccm), in einem Druckbereich von etwa 1 bis 50 ubar und bei einer Gleichspannungs-Vorspannung von etwa 200 bis 900 Volt vorgenommen wird für eine Zeit, bis die gewünschte Ätztiefe erreicht ist.
The method of claim 3, wherein reactive ion etching is carried out in an oxygen plasma, optionally containing argon, at a total gas flow of about 5 to about 100 sccm, a pressure ranging from about 1 to about 50 ?bar and a single-phase D.C. bias of 200 to about 900 V for a time sufficient to obtain the desired etch depth. The method of claim 1, wherein said electrode is made of aluminum and said layer acts as a black radiator.
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Von den Bodenflächen der Gräben 2 und den Oberflächen der Erhebungen reflektierte und einen Phasenunterschied aufweisende Strahlungen gelangen durch den Strahlteiler 5 als überlagerter Strahl 9 auf den Photodetektor 10, dessen Ausgangssignal periodisch in Abhängigkeit der Ätztiefe der Gräben 2 schwankt.
Radiation components reflecting from the bottom surfaces of the grooves 2 and from the surfaces of the raised portions, and exhibiting a phase difference, pass through the beam splitter 5 and reach the photodetector 10 as a reunited beam 9, the output signal of which photodetector varies periodically as a function of the etch depth of the grooves 2.
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Wenn die Höhe der Erhebung 7 jedoch auch Schichtdicken einer später zu entfernenden Maske umfaßt, kann die maßgebliche Ätztiefe in der Substratschicht des digitalen optischen Gitters 1 nur indirekt aus dem nur ungenau bekannten Ätzratenverhältnis der Materialien der Maske und des Substrats ermittelt werden.
However, when the height of the raised portion 7 also includes layer thicknesses of a mask which is to be removed at a later stage, the actual etch depth in the substrate layer of the digital optical grating 1 can only be determined indirectly from the not exactly known ratio of the etch rates between the materials of the mask and the substrate.
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Durch Beobachten des Meßmusters 7 im Mikroskop 9 kann somit der Zeitpunkt bestimmt werden, zu dem die gewünschte Ätztiefe z erreicht und der Prozeß zu beenden ist.
By observing test sample 7 in microscope 9 it will thus be possible to fix the time when the desired etching depth z has been reached and the process is to be terminated.
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Im letzteren Fall sind die entsprechenden Werte für die gewünschte Ätztiefe z, den Keilwinkel a und die Ausgangsbreite x 0 in einen angeschlossenen Rechner ein gespeichert, dem ständig Signale, welche die jeweiligen Breitenwerte der Keiloberfläche darstellen, zugeführt werden.
In the latter case, the corresponding values for the desired etching depth z, the wedge angle a, and width x0 are stored in an associated computer which continuously receives signals representing the respective widths of the wedge surface.
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Eine vereinfachte Methode besteht darin, den Wert x 1 für die der gewünschten Ätztiefe entsprechende Breite der Keiloberfläche in den Speicher des Rechners einzugeben und die vom Mikroskop 9 ermittelten Werte für x ständig mit diesem Konstantwert zu vergleichen.
A simplified method consists in reading value x1 for the wedge surface width which corresponds to the desired etching depth into the storage of the computer, and in comparing continuously with this constant value the values for x found by microscope 9.
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Die Genauigkeit der nach M. Aust (Druckwelt 1978, Heft 9, Seite 466) korrigierten Meßwerte bei 20 µm Ätztiefe (Rastertiefe) liegt bei 0,3 µm, was mit den Angaben aus der Literatur übereinstimmt (Aust und Braschoss, »Der Polygraph«, 21-80, Seite 1885).
9, page 466), at 20 ?m depth of etch (screen depth), is about 0.3 ?m, which agrees with data in the literature (Aust and Braschoss "Der Polygraph", 21- 80, page 1,885).
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Mit dem hier vorgeschlagenen Verfahren kann mit sehr hoher Ortsauflösung (Grösse des fokussierten Laserlichtflecks ungefähr 0,1 mm) und hoher Messauflösung (10- 2 jim und besser) die mittlere Ätztiefe eines Substrats bestimmt werden, das eine beträchliche Rauhigkeit aufweist (bis zu 2 11m Spitze zu Spitze).
With the method described here, it is possible to determine with a very spatial resolution (size of the focused laser light spot approximately 0.1 mm) and high measuring resolution (10-2 ?m and better) the average etching depth of a substrate of considerable roughness (up to 2 ?m from peak to peak).
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Insbesondere bei diesen flachen Isolationsgräben wird dieselbe Ätztiefe in Gebieten gefordert, in denen Silizium lokal großflächig und in kleinen Öffnungen der Maske freiliegt.
Particularly given these shallow insulating trenches, the same etching depth is required in regions wherein silicon lies locally exposed in large areas and in small openings of the mask.
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